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标题: 求助电路图MOS的作用 [打印本页]
作者: tlyyy1314    时间: 2015-3-17 12:11
标题: 求助电路图MOS的作用
本帖最后由 tlyyy1314 于 2015-3-17 13:17 编辑
, ~8 @4 R5 k3 l  M& l" Q- |
: F, r4 u" \2 z, U 1、电路中的MOS的作用，是如何导通的。
. L5 j. a6 g: p, W1 `2、电容C387的作用？6 s: T$ V$ g# a: J- V

- o0 V8 S. I6 l
1 A3 t! V! ^3 S
作者: fallen    时间: 2015-3-17 12:55
不就一开关电路么，
. n1 Y  d5 u: a/ o* F- g4 _, M3 u另外C462在哪里？
作者: yujingfa    时间: 2015-3-17 12:59
PMOS管：OTG-ID置低时，三极管导通；对于mos，此时Vgs小于0V或者说阈值，MOS打开。电容？位号没看到
' |, t( p) Y& o
作者: tlyyy1314    时间: 2015-3-17 13:11
yujingfa 发表于 2015-3-17 12:594 ?# D4 Z. F3 D5 c# o
PMOS管：OTG-ID置低时，三极管导通；对于mos，此时Vgs小于0V或者说阈值，MOS打开。电容？位号没看到

, D+ V: s) q1 z: m6 x) W电容标错了  是那个C387
* O  k6 a0 U, I; c0 _; C* Y# x: n, W
作者: tlyyy1314    时间: 2015-3-17 13:11
fallen 发表于 2015-3-17 12:55
* v3 t. a# b( ]/ z不就一开关电路么，
0 b0 i' |0 F3 f% ^另外C462在哪里？
# K* H$ x5 n/ G; a( _
C387
$ p9 U  O& T* ]7 C
作者: CStaller    时间: 2015-3-17 13:47
C387用来延迟Q32的导通与关断，拿个软件仿真一下就知道了
作者: fallen    时间: 2015-3-17 13:53
tlyyy1314 发表于 2015-3-17 13:11% Y2 D$ \  h$ D$ v; A  I8 K
C387

7 {' [3 k1 D! e7 M5 XC387就是增大GS的电容，跟GS电容并联目的就是软启动，减缓上升沿，降低器件的应力。
" p, s1 h( E' u4 k( l2 i7 ], U
作者: 北漂的木木    时间: 2015-3-17 16:52
MOS作用——开关; |9 o- j; r/ @% i7 y) {
OTG-ID为高的时候，Q17导通，Q32的G极低于VBUS，Q32开通。
& p. v/ P+ |, j4 ^OTG-ID为高的时候，Q17关闭，Q32的G极等于VBUS，Q32关断。
" k' G& X1 l4 n& k/ e; F7 U+ A0 A为什么能开通，请查阅PMOS的特性。
3 I( A# Z. E6 A/ }% I
作者: liaotingkang1    时间: 2015-3-17 17:46
电容作用就是充放电功能，就在VBU0上电是，R42为C378充电，Pmos 就会在充电时导通，
作者: yangcanhui07    时间: 2015-3-17 20:48
本帖最后由 yangcanhui07 于 2015-3-17 20:50 编辑
: L8 _# ^& \1 @, m  E0 \" _# S+ h: N6 b  S3 G2 B
C387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
5 t7 C% K" M' y+ [第一种情况是开关后面的负载在启动瞬间会从电源吸收一个大电流(浪涌电流?有些器件如LCD会明确标识出这个参数并附上测试条件,测试原理图和测试结果),由于开关电源的动态响应特性和电流补给是需要一个时间的,这个浪涌电流轻则在电源上产生一个小尖峰(举例如见下图),严重的,浪涌电流如果超过开关管的current Limit会使得开关电源暂时性保护(电压瞬间跌落较多).从这个电源动态特性图基本上可以看出,电流从0增加到3A,只在电源上产生了100mV左右的尖峰,并且在200us以内重新恢复正常.应该说这颗电源芯片的性能还是不错的.如果说在3.3V上产生100mV的尖峰不算多大个事,把这个电压换成1.1VCPU内核供电,可能谁也不敢忽视了.所以,在接通或断开大电流负载时,尽可能让负载电流平滑.个人的经验值是1ms,仅供参考.注意这个时间不宜过长,否则会引起负载时序紊乱或上电异常. d+ B$ Z; i$ W$ ^. P* P
c:\电源动态特性.JPG9 c; n5 A9 f0 t  `& I4 ^. {# I
第二种需要缓启动的情况,负载电流并不大,但是开关管后面有个大电容!这个问题相比第一种情况产生的后果更严重.举个例子,假设一个3.3V主开关电源滤波电容是10UF,后面接一个MOS开关,开关后面接一个电容容量也是10UF,那么,当开关打开瞬间,如果你有示波器,你会发现,电压直线下降一半,然后再逐步上升重新回到3.3V.为什么会直接下降一半?因为开关打开的时候,就相当于把一个充了3.3V的10UF电容跟一个没有充电的10UF电容直接并在一起,结果就是两个电容都只有一半电压了....然后,悲剧发生了,系统复位了--不复位那才叫怪呢.
( h1 c0 o0 J9 m/ q1 L) c看起来楼主的图上这两种情况都存在,虽然只是充电电路,而不是内核或主电源,从设计角度来说,减小冲击是对的,因为电源入口产生的尖峰也同样会转移到各路输出端,只是幅度会有所减弱而已.
$ j4 ^: ?5 {8 ]+ W

电源动态特性.JPG (107.94 KB, 下载次数: 0)

电源动态特性.JPG
作者: 戏出东方    时间: 2015-3-17 22:00
正解，PMOS是开关，OTG_ID控制开关的导通，电容和电阻一起是为了缓冲
作者: tlyyy1314    时间: 2015-3-18 19:03
感谢各位的回答
作者: gdpforfun    时间: 2015-3-18 21:21
yangcanhui07 发表于 2015-3-17 20:48
0 t  u* o% @1 B; R7 h9 {9 `! f. zC387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:% ~2 N+ _, v% N
第一种情况是开关后面的 ...
0 P# g: m/ I2 V
高手！
作者: liangkai520    时间: 2015-3-19 08:50
yangcanhui07分析的比较详细，



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