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标题: DDR3布线 Break in 和Break out区域，怎么理解？？ [打印本页]
作者: 红孩儿    时间: 2015-3-10 13:41
标题: DDR3布线 Break in 和Break out区域，怎么理解？？
DDR3内存布线的时候，DG中分了好几个区域，region A region B region C region D,文中反复提到Break in Break OUT,  F( H% W9 F( T$ x
  u' r+ v9 o6 h6 j) b. E
不知道怎么去理解这两个意思，通常我们break指的是线散出，难道这里的IN和out只是表示方向么？还是有其他的意识？？2 R. Y# J+ V) C3 O1 f
作者: shark4685    时间: 2015-3-10 15:18
这个问题还真是文化的问题，如下是我个人的理解：6 C6 ~, f% L+ f" O2 H& @& g0 B

6 H. ]" u6 A# R+ i, h0 K我理解的的break一般是指BGA封装下面不能按正常线宽出线的地方，至于你说的break in/out,
5 C% W& ~: l: }) m# u& n2 ? 3 ~2 }( I5 A$ Q+ `. R5 M
应该和你的设计领域有关，DDR3的数据线是双向的，如果从Controler--->>DRAM，如果都是BGA
! w4 |/ J/ ^5 n& |8 g, }) g; O$ T. v
的封装，在Controler下面应该是break out,再进入DRAM的BGA封装下面的时候，就应该是break in了，
9 q* ~0 o7 H  g0 v# R' ?) X" N) o& }' L
你会去看下你的design guide是不是这样理解。
) u* n8 \4 Z% w4 S1 {/ b8 u  Y6 \
0 P! u/ |/ C+ U+ \2 H4 u5 F有时候国外很多做硬件的老外都是老印，老墨，华人，稍微理解下他们的文化，再理解起来会容易些。
作者: cousins    时间: 2015-3-10 16:15
对于这种英文有歧义的地方，可以直接咨询FAE。因为有些术语是部分芯片公司的习惯用法。
作者: 红孩儿    时间: 2015-3-10 16:21
多谢2位版主。。
作者: alienware    时间: 2015-3-16 15:18
谢谢，学习下
作者: tdl    时间: 2016-3-15 16:59
这个问题一直模糊着我



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