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标题: WCDMA之ACLR劣化之因素 [打印本页]

作者: criterion    时间: 2015-3-8 16:55
标题: WCDMA之ACLR劣化之因素
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑 ( ^3 h3 w" k2 Z3 B: ]9 z  `- b
+ y' u. v* T# O/ {5 I# o
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
7 z2 b( [, n7 f6 J

+ o( |/ P# }2 J* x3 J% B, R
5 e- l! F- R1 G0 W+ N9 T5 D& ~6 Z
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

# k& G: _0 G% B* ?0 y
. s( p. c, u& z
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

" W& @, v  E1 U9 U4 `; W; y
0 i8 E2 A- L! `
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

) E  W4 d0 g5 @- x& e' l8 C- D+ @& ^

: i0 ]1 I! Z' E- N, P: E
7 V  o- p9 A& s/ {4 }
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低* W/ u4 g7 U4 V

3 n, _6 @, j' k( Y) `) B& a
" T, f- v, l3 I3 s
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

8 R/ C  a/ w4 ^* o. G+ e( E7 U* h) [4 |+ U) b

6 S$ Y. x6 H  H0 F
/ g. ?$ n1 w" A; G0 u6 Q
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
6 b/ x9 G( u6 Y* B9 I2 H* M; S

+ ?- w8 I" p2 i5 v- C# {
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
5 U9 I5 ]9 P2 O
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
  N! \3 X& b1 \+ d4 y2 H
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

' {) _. d$ ~; I* x" N& }
/ y) W2 m5 W0 W( e* e
7 H& z9 F9 M+ K1 f  n
这是为什么呢? 9 [5 b2 R# r& A
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,' _7 J2 Y4 c, p1 \  W
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
) q! P. q# n) ~% c
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

$ [5 a' _8 W% r0 b

# R) f# x. L2 y' t
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

! j. B% c) @6 {/ W4 n6 @
' z8 N! ]) s; S" E" [

$ `1 `3 V4 R1 S
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
& I3 E8 X/ t( X( _1 @! k+ F
3 A* ^0 Z- R, c5 c8 R
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
& ?( t4 j+ h3 M3 m

: s+ m  [4 O5 I0 Z

( o" U+ h+ t5 u1 W7 v
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

% W- r4 v6 K# d3 \2 C# e  Z% Q
! B/ K% I! Y6 J& Z
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

, b0 w  ]5 q$ J' f* i# V# P- @9 A
+ \, i9 ~( r$ A& e

/ A2 D7 t; _; u- V, }4 z: \
而当电压极低时,其Cgd会变大。

6 @: Y0 r' q% z7 a1 j, t
                        

2 X: I) ~: R/ @% {! G

# _# s, b, ]. P( I  j) e
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
. m' o' q8 L# X% _3 Q# w5 y
# |: Y0 @0 U1 u/ M6 l3 E! {3 u
. m8 S5 Y/ f3 D6 s0 Q5 `
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

# c. Q2 s+ n" d6 \( n+ x
5 I2 e# f! i6 m" h' B4 v* d

1 _( o. j# j/ Z8 k
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

. V6 v# @9 T/ u+ j' ?8 b5 ?" X
& Z3 |9 l- _- M2 p
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下% b: j: B, N2 W- S4 J- l1 y
& n' J; K# Y1 z
+ D) N0 d; ~1 C/ O3 ]* x
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

5 T& _2 q$ p) n/ \9 V

, @# M3 ?& J7 F8 R+ \! r' N
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

& Y8 d8 r1 N+ B0 |1 ~9 \; }
/ C7 N. p, ]; K7 z' o
( ^. E. b! F$ }3 |6 n( ?
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

) ]  {8 M6 m: @- i) G. A( w+ r

! T* Z' f, e0 N+ k
我们作以下6个实验
1 @4 C, P, D2 H4 ?7 d9 U

, Y0 b+ X* f/ O8 e; A8 K, ]( [: V6 Z

4 Q  R( X3 ]' p+ X
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

. q2 x& c- C, M- @( K% H( N  o# g/ p
: _, a5 j. X, m3 x1 l. r3 E
5 i: c9 ]' w+ y" R5 ?# ^% B

# s: f2 z' o( v+ E
% J8 A+ S: y; n9 Q# L' J1 ^0 V9 }1 j
8 S5 z$ |% ]: W# s; @# [

+ k) L$ f0 z! M$ s- @$ W
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
% o; D+ s% O+ D8 [! H& ?+ F
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化8 y$ Z) ^- w" g9 t( b% N( u0 g

' e% z, W& O  b  q
. P% L. N) p4 q0 q4 R$ Q, d. G
6 v4 D: w( y) Z4 a& O: }! z4 s, W8 a+ H
  N( ^/ M; J& {. V' Z8 {7 x8 y
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
1 D1 o% e" S- R% J) ?. q: j
+ o( [4 W" P" j% U

. ^( e+ h! r4 U- j9 k% e% \, P  r& }& x
6 D7 _1 y. l5 W0 W9 S& t& W; H) n9 m* v. U/ r7 q
其他详细原理   可参照  
0 U5 z) _# f& s: c) |/ J3 j& e* V EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... ' ^1 o; s+ }7 r6 ~, |8 R
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  1 U7 N/ d( L3 {0 s  m
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
, \0 r) j& O8 ?4 w4 z射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析" p2 o2 K+ R$ S% O: n  U

# _- W9 K9 T. a  }  在此就不赘述
  H. S$ o; f# p7 @
3 j. l2 a% _! O* k/ i  U

作者: Xuxingfu    时间: 2015-3-9 10:51
很好的贴,赞一个~
作者: wanglele    时间: 2016-3-31 11:39
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!
作者: hicgq183    时间: 2017-3-23 17:09
好资料谢谢
作者: sunyan0917    时间: 2017-9-21 11:29
好资料,谢谢楼主分享
作者: jzb168168    时间: 2017-10-24 09:59
感谢分享# u# H. q, ]- b' ~+ `: _* f  D





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