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标题: 关于DDR匹配电阻问题请教！ [打印本页]
作者: cary_wang    时间: 2014-12-30 10:08
标题: 关于DDR匹配电阻问题请教！
想问一下各位大大，DDR在添加匹配电阻的时候，匹配方式为末端匹配，是不是只需要对AD/CS/CLK做做匹配就OK了，然后DQ/DQS/DQM不用添加匹配电阻。9 P4 g  U$ ]; P' K; j
作者: wq_463    时间: 2014-12-30 21:26
数据线，地址线，时钟线终端加匹配电阻
作者: part99    时间: 2014-12-31 00:38
如果是DDR1，什么线都要匹配电阻；5 e4 N  e. W) n% A
如果是DDR2/3，可以在软件上设置ODT（on die termination）；
/ ^5 Q" ^- D5 `命令地址时钟线，如果内存是2片以下，可以不加，如果是4片以上，则需要加匹配电阻上拉到VTT。时钟线一般串两个电阻靠近源端。数据线，如果加10-22欧姆的串联匹配电阻，会有效降低EMI辐射，但会引起布线的麻烦。如果内存可以离CPU很近，可以不加。
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作者: 阿斯兰    时间: 2015-1-4 09:11
可以根据LAYOUT手册上的建议来进行匹配，这样做质量是有保证的
作者: cary_wang    时间: 2015-1-12 09:35
part99 发表于 2014-12-31 00:38
0 Y9 X; Y" H3 I# n如果是DDR1，什么线都要匹配电阻；; v: }0 s2 i9 t4 H2 q
如果是DDR2/3，可以在软件上设置ODT（on die termination）；
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1 w3 Z$ Y( T( _! P谢谢，已采纳此建议，十分感谢
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