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标题: Sigrty Power DC 仿真问题 [打印本页]

作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 13:24
标题: Sigrty Power DC 仿真问题
1.在IR Drop仿真时,请问电流密度参数设置为多少?0 o, S, l) d( y. I
2.在E/T Co-Simulation时,选择Thermal 器件之后,Material选项如何设置?. U9 r7 q1 j' }% E, Q+ i5 i

作者: cousins    时间: 2014-12-4 13:37
1.电流密度参数最准确的可以问你的PCB厂商对于铜皮和过孔耐流力测试报告,不同温度值不一样,这里给几个保守的值: plane:40A/mm^2   trace:40A/mm^2  via:25A/mm^2
) g4 u! K3 R( t. W% J2.虽然有这个功能,但是不建议用powerDC做。我所了解的thermal simulation都是用icepak和flotherm做的,材料是做热设计的专业人员比较熟悉,和PI/SI基本上不在同一领域,我不认为业余的做出来的结果有别人专业做热设计的精准。如果你是做硬件的,想从电子跨界到热力学兴趣的话建议学习下对面的理论知识,例如热阻,常用材质特性,导体粗糙度,介质均匀性影响,结构特性等等。/ T0 v; v, o" T- @2 V. V
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作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 13:53
cousins 发表于 2014-12-4 13:37
8 {. F$ \& S9 p9 p1 u, T1.电流密度参数最准确的可以问你的PCB厂商对于铜皮和过孔耐流力测试报告,不同温度值不一样,这里给几个保 ...
: L2 p" M9 A) [, u# m& O1 T
感谢cousins 的回答,那么我要板子的温度不是很高,满足:plane:40A/mm^2   trace:40A/mm^2  via:25A/mm^2是否就可以了,如果不做准也的热仿真的话?4
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作者: cousins    时间: 2014-12-4 14:01
是的
5 T. S6 C: k  O) K) t1 m( ?以上三个值是在85度表面温度情况下的经验值,属于比较保守的值,如果你能都满足,那么你的设计裕度是足够的。% t4 g5 \! [% c/ H% e/ v

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作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 14:08
cousins 发表于 2014-12-4 14:01  B2 l' {9 o+ x. n: {1 \2 y  \
是的
* s+ |; [9 P3 D; y# J# C以上三个值是在85度表面温度情况下的经验值,属于比较保守的值,如果你能都满足,那么你的设计裕度是 ...

* T2 p  b5 t8 r) F6 {, F! ]据我所知,温度越高,铜皮的同流量应该越大吧,如果是85度的值,那么我板子温度只有50度,那同流密度不更小么?
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作者: cousins    时间: 2014-12-4 14:18
powerDC里设置的电流密度是maximum值 ,意思是你不能超过这个值,你温度为50度,最大耐流密度应该要大于这三个值,温度越高,铜的最大耐流要越小。
  d# N- C$ M4 h+ |* Y所以我说这是个保守的值,你满足这个值,那么50度情况下也能满足。
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作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 14:22
cousins 发表于 2014-12-4 14:18' s, Y$ b6 Q: H* O8 `& y7 J
powerDC里设置的电流密度是maximum值 ,意思是你不能超过这个值,你温度为50度,最大耐流密度应该要大于这 ...

3 `, L: Y  U; j" n1 v( E: ?版主,还有一个问题,VRM的位置,比如我是一个DC-DC电源,那么就有个电感,电感后面是滤波电容,那么VRM的位置是不是应该放在电感和滤波电容处?
/ P, D# v! Q& `! o
作者: cousins    时间: 2014-12-4 14:26
放在DCDC隔交电感后的第一个output capacitor上。
) E+ ?6 [. E+ t; r6 v( C
作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 15:06
cousins 发表于 2014-12-4 14:26
" O' C* a7 D# g& r" V放在DCDC隔交电感后的第一个output capacitor上。
3 @7 T- `, ~1 ^' r6 M
cousins ,再请教您一个问题,如果VRM放在电容上,那么回流点也在电容的另一极吗?, ?. m4 d$ Y6 Y$ w; s

作者: cousins    时间: 2014-12-5 09:02
是的。
作者: beiyouxia    时间: 2014-12-7 13:08
好资料,谢谢分享!
作者: Christhenghao    时间: 2017-10-25 11:34
snsArvin 发表于 2014-12-4 15:06) A  [4 x" ]" J0 P1 E3 _# U
cousins ,再请教您一个问题,如果VRM放在电容上,那么回流点也在电容的另一极吗?

: k7 p: e) k" b! W# t. s, R但是最后回流还是芯片的地管脚啊,这样设置合适吗?输出node也不止一个过孔,需要设置多个node吗?
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作者: Christhenghao    时间: 2017-10-25 11:34
cousins 发表于 2014-12-5 09:029 ?" Z) Q) W/ I0 v1 c
是的。
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但是最后回流还是芯片的地管脚啊,这样设置合适吗?输出node也不止一个过孔,需要设置多个node吗?: M) u0 L8 g) d

作者: moca    时间: 2017-12-9 14:25
看到C大大的回覆又長了些觀念了,非常感謝。




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