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标题: Sigrty Power DC 仿真问题 [打印本页]

作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 13:24
标题: Sigrty Power DC 仿真问题
1.在IR Drop仿真时,请问电流密度参数设置为多少?
& m3 ^* o3 q: k4 D7 \# L2.在E/T Co-Simulation时,选择Thermal 器件之后,Material选项如何设置?+ x3 d& R% Z/ H/ b( V3 D

作者: cousins    时间: 2014-12-4 13:37
1.电流密度参数最准确的可以问你的PCB厂商对于铜皮和过孔耐流力测试报告,不同温度值不一样,这里给几个保守的值: plane:40A/mm^2   trace:40A/mm^2  via:25A/mm^2$ l: u$ I( A2 }" I4 U
2.虽然有这个功能,但是不建议用powerDC做。我所了解的thermal simulation都是用icepak和flotherm做的,材料是做热设计的专业人员比较熟悉,和PI/SI基本上不在同一领域,我不认为业余的做出来的结果有别人专业做热设计的精准。如果你是做硬件的,想从电子跨界到热力学兴趣的话建议学习下对面的理论知识,例如热阻,常用材质特性,导体粗糙度,介质均匀性影响,结构特性等等。/ c2 D+ g) X( i9 a

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作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 13:53
cousins 发表于 2014-12-4 13:37
! c# O$ C1 U0 T% O6 c7 F1 z1.电流密度参数最准确的可以问你的PCB厂商对于铜皮和过孔耐流力测试报告,不同温度值不一样,这里给几个保 ...
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感谢cousins 的回答,那么我要板子的温度不是很高,满足:plane:40A/mm^2   trace:40A/mm^2  via:25A/mm^2是否就可以了,如果不做准也的热仿真的话?4 * j; m- }! @1 A! I( ?( L, F' p

作者: cousins    时间: 2014-12-4 14:01
是的
" ?9 @3 b- Z" ^( }, O2 V  H以上三个值是在85度表面温度情况下的经验值,属于比较保守的值,如果你能都满足,那么你的设计裕度是足够的。, L# n+ R! U0 p& J+ ^1 k/ W
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作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 14:08
cousins 发表于 2014-12-4 14:01
: q( K; ?/ `7 }* I是的( K; A1 y" R1 {7 ~7 g4 R
以上三个值是在85度表面温度情况下的经验值,属于比较保守的值,如果你能都满足,那么你的设计裕度是 ...
) N0 R; H( q" J; D0 z
据我所知,温度越高,铜皮的同流量应该越大吧,如果是85度的值,那么我板子温度只有50度,那同流密度不更小么?6 ?0 ^9 n! J/ S& S6 \

作者: cousins    时间: 2014-12-4 14:18
powerDC里设置的电流密度是maximum值 ,意思是你不能超过这个值,你温度为50度,最大耐流密度应该要大于这三个值,温度越高,铜的最大耐流要越小。( |) c9 f' y+ F6 Y5 X2 B9 R
所以我说这是个保守的值,你满足这个值,那么50度情况下也能满足。# b7 D1 e6 k& i; b  L

作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 14:22
cousins 发表于 2014-12-4 14:18
1 s  ^0 l9 W: {; ZpowerDC里设置的电流密度是maximum值 ,意思是你不能超过这个值,你温度为50度,最大耐流密度应该要大于这 ...
7 q$ L- J6 G9 G9 u# }
版主,还有一个问题,VRM的位置,比如我是一个DC-DC电源,那么就有个电感,电感后面是滤波电容,那么VRM的位置是不是应该放在电感和滤波电容处?1 i0 [: ]- q% v$ D1 t& e, m

作者: cousins    时间: 2014-12-4 14:26
放在DCDC隔交电感后的第一个output capacitor上。1 z/ ~( ]" Z' |: B1 D. g# b! P

作者: snsArvin    时间: 2014-12-4 15:06
cousins 发表于 2014-12-4 14:262 I, @# P' C+ _. ~" b6 S
放在DCDC隔交电感后的第一个output capacitor上。
" X. `# j+ s/ l% u2 L9 J
cousins ,再请教您一个问题,如果VRM放在电容上,那么回流点也在电容的另一极吗?) H$ U+ }9 |  J1 B+ s* L+ ^

作者: cousins    时间: 2014-12-5 09:02
是的。
作者: beiyouxia    时间: 2014-12-7 13:08
好资料,谢谢分享!
作者: Christhenghao    时间: 2017-10-25 11:34
snsArvin 发表于 2014-12-4 15:06
; ?4 m3 `0 i* D* v6 ucousins ,再请教您一个问题,如果VRM放在电容上,那么回流点也在电容的另一极吗?
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但是最后回流还是芯片的地管脚啊,这样设置合适吗?输出node也不止一个过孔,需要设置多个node吗?1 I- }: N9 b* h1 B! s

作者: Christhenghao    时间: 2017-10-25 11:34
cousins 发表于 2014-12-5 09:02
; v; F8 C' a2 e4 y9 t是的。
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但是最后回流还是芯片的地管脚啊,这样设置合适吗?输出node也不止一个过孔,需要设置多个node吗?
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作者: moca    时间: 2017-12-9 14:25
看到C大大的回覆又長了些觀念了,非常感謝。




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