EDA365电子工程师网

标题: 关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题 [打印本页]

作者: Coziness_yang 时间: 2014-9-14 09:14
标题: 关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题
在我们目前很多DDR3的DQ信号线上都设计了串接匹配电阻，这个串接电阻为了使驱动器与传输线匹配，因为驱动器的输出阻抗为25Ω左右，而PCB走线为45Ω左右，所以在线上加一个23Ω左右的电阻匹配（一般设计在内存条上），但是在有些设计中，由于版面布局的限制，我们不设计该串接电阻。有谁测试过有串接电阻和没有串接电阻的差异？

作者: cousins 时间: 2014-9-15 09:10
有ODT就可以了，关键还是接收端的信号质量。
在无odt的情况下有这种匹配会抑制掉源端的振铃，但是会增大功耗。

作者: xuexiyixia 时间: 2014-9-15 16:56
DDR3数据信号都有ODT，所以没必要再接匹配电阻。

作者: Coziness_yang 时间: 2014-9-15 19:41
但是在DIMM条上是有串接电阻的，ODT是可调的。

作者: qingkong0709 时间: 2014-9-17 19:43
不需要串电阻

作者: zhaoyang0351 时间: 2014-10-8 15:17
有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选，配置一下寄存器就可以了

作者: Coziness_yang 时间: 2014-10-8 16:04

zhaoyang0351 发表于 2014-10-8 15:17
1 @4 M2 q4 e) B9 J有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选，配置一下寄存器就可以了

谢谢你的回复。

作者: 台风12 时间: 2014-10-14 09:23
学习了

作者: ryo1023 时间: 2014-11-27 17:51
嗯！有ODT,可以不接串阻。

欢迎光临 EDA365电子工程师网 (https://bbs.elecnest.cn/)