请教：时钟的驱动能力是指什么

ieracll

时钟的驱动能力是指什么，驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系？
9 l) j4 B" r/ C0 }     还请各位指教，Thank You.

killerljj

原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表


不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么？可否举例说明一二。
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0 i! {4 a. `. A; L, y" p2 \上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性，当芯片被生产制造出来的时候，这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说，它们之间没 ...

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" v4 {7 E/ u% P我是做主板的，根据我的经验：
4 Z7 J+ w7 ~9 o1 l, n首先，据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的，而不是固定不变的。
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其次，板子做出来一般很难做到一版ok，多多少少会有些这样或那样的问题，例如rise time与spec不符，那么你要怎么办？当然是debug了，你总不能置之不理吧？当然，咱也不能否认有这样的强人存在，不过非常少……

; f. `9 p1 g; ^$ `) k  Y第三，板子做出来要经过很多严格的测试，EMI、 compatibility 等等，如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符，那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么？——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活，最便宜的设计！

tigerish

主要是指带负载的能力！

gyj1038

原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表
# R+ R" w2 O/ E5 X+ y; V


( f. _$ J5 k/ B6 N3 n那么当负载已经固定的情况下，难道上升时间与驱动能力没有关系吗？
8 [! v5 j/ L/ H0 M0 \, s当你的板子已经做出来，正在调试debug的时候不就是这种情况吗？

4 G) p. Q  J2 c1 A不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么？可否举例说明一二。
  g7 B  P4 ?# t/ Z
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性，当芯片被生产制造出来的时候，这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说，它们之间没有关系。
$ o0 F; A1 s3 q* k我们可以说“芯片驱动的负载越多，寄生电容越大，实际的上升时间就越长”，但是这个芯片无论驱动了多少负载，它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子，即便他今天只吃了五个包子，我们仍然说他的最大饭量是十个包子。

killerljj

原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载 ...

. X( P( U8 t4 }1 R0 i. Y那么当负载已经固定的情况下，难道上升时间与驱动能力没有关系吗？
当你的板子已经做出来，正在调试debug的时候不就是这种情况吗？

[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]

yadog

理解成扇出电流能力比较确切

qsj687

和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否

emanule

原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载 ...

6 V0 q% h6 |/ b9 l! x! ~% j; g严重同意  呵呵

ieracll

时钟的datasheet里有1X，2X的调节。
% t2 w" P8 j& P( J1 O2 Z1X的走线长度有没有最大限制？

yangcanhui07

简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.
比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.

+ o4 ~& u' d' D2 _) x2 t/ }如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,

$ _" |/ x7 R2 O# u- o/ v" r但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡
! _" d8 O* H9 M, l
, u( X! T! [$ D3 ~5 V( b[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]

mengzhuhao

这是不是芯片发热大的一个缘故之一
4 |6 ~8 w8 i& y: {, H# }$ y现在的芯片都是百万门
9 j/ y4 ]4 p0 |4 x7 a# @7 R$ v3 ~% q每个触发器都挂上全局时钟，时钟够累的
那这驱动能力的提高在那方面体现

gyj1038

killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载引脚的寄生电容效应越大，从而导致上升时间和下降时间延长，这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解，欢迎讨论。

killerljj

驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强，是指电流越大，带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。

howsi

对于时钟，可能驱动能力更多的是指fanout的能力，个人理解。
/ J& b$ j, Q3 Y( ^, b4 Y当然跟走线长度有关系，路走远了，人也会累的