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标题: 请教：时钟的驱动能力是指什么 [打印本页]
作者: ieracll    时间: 2008-9-1 21:48
标题: 请教：时钟的驱动能力是指什么
时钟的驱动能力是指什么，驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系？
( F3 Q: C( w5 _& e) W+ p/ a     还请各位指教，Thank You.
作者: howsi    时间: 2008-9-1 22:05
对于时钟，可能驱动能力更多的是指fanout的能力，个人理解。
/ y8 S; O) W" y1 W) g当然跟走线长度有关系，路走远了，人也会累的
作者: killerljj    时间: 2008-9-2 11:30
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强，是指电流越大，带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。
作者: gyj1038    时间: 2008-9-3 00:01
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载引脚的寄生电容效应越大，从而导致上升时间和下降时间延长，这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解，欢迎讨论。
作者: mengzhuhao    时间: 2008-9-3 19:33
这是不是芯片发热大的一个缘故之一
& W" S9 D' d' t; e现在的芯片都是百万门, o* M) r/ B9 D: g
每个触发器都挂上全局时钟，时钟够累的
2 M1 t( t. }) ]0 |2 K' _2 Y那这驱动能力的提高在那方面体现
作者: yangcanhui07    时间: 2008-9-4 13:26
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.. L; |, I" I$ Z7 @6 J
比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.2 e) ^, L1 c9 Z' P
% ]0 ?* d+ t7 ~9 ~, a, T- @7 L. o
如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,& g& D2 I3 T/ L/ P

0 o# x$ o- C' e' l& @但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡7 @0 R  H4 _7 |& O

9 C4 g0 v: A/ N1 O" h3 h[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]
作者: ieracll    时间: 2008-9-9 23:13
时钟的datasheet里有1X，2X的调节。( d# {) r: r( [+ k+ f. n5 u
1X的走线长度有没有最大限制？
作者: emanule    时间: 2008-9-12 12:12
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
1 [6 K* n8 e( ^3 O. ukillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载 ...

0 d: r& z( U! l  ?( I严重同意  呵呵
作者: qsj687    时间: 2008-9-12 21:29
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否
作者: yadog    时间: 2008-9-18 22:09
理解成扇出电流能力比较确切
作者: killerljj    时间: 2008-9-19 14:55
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表 5 |. w! A) `# R  Z
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一，是在某个固定的负载条件下测得的，与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中，时钟驱动的负载越多，则负载 ...

3 |; R5 f" l5 q2 h
6 O& `/ i7 ]+ M- n0 i: N: |4 x- @5 ]7 f' }2 t8 c9 b4 e
那么当负载已经固定的情况下，难道上升时间与驱动能力没有关系吗？4 w! w" r! d9 q+ @( y( a) T% J+ x' F
当你的板子已经做出来，正在调试debug的时候不就是这种情况吗？7 _6 o- H8 m; d; e: c# B7 B! m

3 n  E+ w/ x  i& _; P1 P/ E[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]
作者: gyj1038    时间: 2008-9-19 23:06
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表 : m1 X( T& |* a
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7 Q5 U- v1 S+ }! v* _* V! E- ~$ l+ b
那么当负载已经固定的情况下，难道上升时间与驱动能力没有关系吗？
* N: K: |  _) w% i: U% l. L当你的板子已经做出来，正在调试debug的时候不就是这种情况吗？

1 R: Q/ N2 U$ {7 ]5 E  K
" m  w) O; U$ \" d! [2 `不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么？可否举例说明一二。: f" J- s6 i, ]% A8 Z
5 V; y* Y; G' N+ k" i: t- Y
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性，当芯片被生产制造出来的时候，这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说，它们之间没有关系。
6 c3 j: D3 w6 p4 ]我们可以说“芯片驱动的负载越多，寄生电容越大，实际的上升时间就越长”，但是这个芯片无论驱动了多少负载，它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子，即便他今天只吃了五个包子，我们仍然说他的最大饭量是十个包子。
作者: tigerish    时间: 2008-9-21 23:01
主要是指带负载的能力！
作者: killerljj    时间: 2008-9-23 15:19
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表
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不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么？可否举例说明一二。
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1 k- \/ `( _' ?4 L/ |上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性，当芯片被生产制造出来的时候，这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说，它们之间没 ...

* |6 K/ Z5 _2 E- d, t+ Q7 y+ j; H, X. g- U% A: e

" |, b6 }  [% F# D0 i2 I4 D. y' h* ~  h我是做主板的，根据我的经验：
/ g" x4 d0 ~9 [8 b0 M首先，据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的，而不是固定不变的。
1 R9 A; A3 r6 A( E  y' |9 B+ a3 M- h4 v( j
其次，板子做出来一般很难做到一版ok，多多少少会有些这样或那样的问题，例如rise time与spec不符，那么你要怎么办？当然是debug了，你总不能置之不理吧？当然，咱也不能否认有这样的强人存在，不过非常少……
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8 k5 J8 J5 C! w. C6 k% D& Y( B. y第三，板子做出来要经过很多严格的测试，EMI、 compatibility 等等，如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符，那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么？——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活，最便宜的设计！



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