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标题: 寻找发热小的LDO [打印本页]

作者: rroyye 时间: 2014-8-24 09:11
标题: 寻找发热小的LDO
做了一个产品，1.8V电压用的LDO（ME6211C18MG,SOT23-5）得到的。输入电压5V。 1.8V电压的电流180mA左右，现在发热和严重，可能达到60到70度的温度。有没有好点的，发热小的LDO推荐,谢谢。

作者: fallen 时间: 2014-8-24 12:10
伪命题，（5-1.8）×0.18×热阻（140度/W）=80度

作者: jsongyan 时间: 2014-8-24 16:26
LS一针见血。
无解。

作者: zhanglaoye 时间: 2014-8-25 19:18
根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正常工作。还有画板时留一块铜皮，双面打孔，孔不要盖油，以增加表面积和通风，加强散热。找发热低的LDO没用，都那架构，谁也不比谁好。还有过孔不盖油散热好些但是抗氧化电腐蚀差了很多，这是个双选的问题。

作者: zhanglaoye 时间: 2014-8-25 19:24
还有选SOT89封装的会好些，你选材都有问题，SOT23-5就是闷烧货，散热差极了。

作者: bingshuihuo 时间: 2014-8-26 08:13

fallen 发表于 2014-8-24 12:10
3 T+ u& `$ h& s伪命题，（5-1.8）×0.18×热阻（140度/W）=80度

你上面热阻（140度/W）是怎么等到的，我有点看不明白，能不能解释一下，谢谢！！

作者: DIA3BLO 时间: 2014-8-26 08:49
LDO的原理就是（输入电压-输出电压）*输出电流=发热量发热量不会变，你要发热小，可以试试看加大封装，加强PCB散热设计，或者加装散热片

作者: 北漂的木木 时间: 2014-8-26 09:44

zhanglaoye 发表于 2014-8-25 19:183 w* x8 \! J; q+ Y
根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正 ...

根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正常……
绿色字体，你说的很对，红色字体，说的不合理。
如果输入端的电源是稳定的，那么，LDO输入大于输出最小差值再留0.2V余量即可。例如：ASM1117-1.8，输入2.5V就可以稳定输出1.8V。

作者: seawolf1939 时间: 2014-8-26 10:04

bingshuihuo 发表于 2014-8-26 08:13$ B# O' m# t( L# m. A5 X
你上面热阻（140度/W）是怎么等到的，我有点看不明白，能不能解释一下，谢谢！！

不同的封装，有一个对应的热阻

作者: fallen 时间: 2014-8-26 10:13

bingshuihuo 发表于 2014-8-26 08:13
& e6 j% r! ^2 h4 r" X* @你上面热阻（140度/W）是怎么等到的，我有点看不明白，能不能解释一下，谢谢！！

规格书上有标明，不同的封装热阻不一样。用JC

作者: bingshuihuo 时间: 2014-8-26 11:32

seawolf1939 发表于 2014-8-26 10:046 \+ t) A- t E2 L, l- A
不同的封装，有一个对应的热阻

这个在哪里可以查的到啊

作者: bingshuihuo 时间: 2014-8-26 11:34
本帖最后由 bingshuihuo 于 2014-8-26 14:11 编辑

北漂的木木发表于 2014-8-26 09:440 w8 |9 I% ?9 g
根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能 ...

LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能。。。。

这个我想应该是这样理解吧
规格书上有明确的曲线图

ME6211.jpg (76.49 KB, 下载次数: 0)

作者: liangkai520 时间: 2014-8-26 13:14
1.8V

V[TOC(RIZ~N~ESK5[ML%X_N.jpg (22.71 KB, 下载次数: 0)

作者: bingshuihuo 时间: 2014-8-26 14:05

liangkai520 发表于 2014-8-26 13:14& F* Z2 Z1 I; Q4 ^& J% f
1.8V

有没有AP2606L 规格书啊

作者: skatecom 时间: 2014-8-26 15:50
开窗漏铜，加散热片，换封装，耗散电阻

作者: zhanglaoye 时间: 2014-8-26 23:12

北漂的木木发表于 2014-8-26 09:44- A v! i( E7 ~" w; {
根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能 ...

有很长时间没用LDO,数据有失误，是的它们最小压差0.2V左右即可，谢谢指正！

作者: bingshuihuo 时间: 2014-8-27 10:28

seawolf1939 发表于 2014-8-26 10:045 \2 K$ d0 [' b! T& D8 h1 }+ T2 T
不同的封装，有一个对应的热阻

上面的封装热阻在那里可以查的到啊，谢谢！！！

作者: 风吹摇摆 时间: 2014-8-27 11:40
ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

QQ图片20140827113507.jpg (85.75 KB, 下载次数: 0)

作者: rroyye 时间: 2014-8-28 13:45

风吹摇摆发表于 2014-8-27 11:408 U. U& @. E( k
ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

谢谢，提示。

作者: kaichen 时间: 2014-8-28 21:59
你在LDO输入端之前串个功率电阻，保证输出正常，分担部分功耗在电阻上

作者: rroyye 时间: 2014-8-31 12:52

zhanglaoye 发表于 2014-8-25 19:18
+ N' j1 y4 b( x: V根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正 ...

串两三个二极管降了1点多伏的电源，电源稳定性可靠吗？还需要考虑些什么不稳定性的因素。有没有一个肖特基二级管降一点多伏的

作者: zhanglaoye 时间: 2014-9-1 00:30
有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都要增加地方。

作者: ych634227759 时间: 2014-9-26 20:51
压降太大啦！

作者: rroyye 时间: 2014-9-27 12:37

zhanglaoye 发表于 2014-9-1 00:309 x: W: B* I3 A- }
有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都 ...

碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

作者: zhanglaoye 时间: 2014-9-28 17:35

rroyye 发表于 2014-9-27 12:37
' d" w$ a# N {! P碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

开玩笑呢，贵又大。压降1V多

作者: gaochengmcu 时间: 2014-10-10 08:31
换封装，输入端加个功率电阻

作者: rroyye 时间: 2014-10-10 12:37

gaochengmcu 发表于 2014-10-10 08:31/ V0 r4 u) _! G4 Y
换封装，输入端加个功率电阻

是的，要换封装

作者: rroyye 时间: 2014-10-10 12:39

风吹摇摆发表于 2014-8-27 11:408 n- M7 l4 P z8 V
ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

是的，封装和压降限制了

作者: rroyye 时间: 2016-4-10 16:42

fallen 发表于 2014-8-24 12:10
6 S7 i* a6 k/ }1 B% \) L伪命题，（5-1.8）×0.18×热阻（140度/W）=80度

谢谢版主指导。

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