硬件设计基本提高课程[不定期更新]

zonezq · 发表于 2010-1-13 20:31

很多经验性的东西

mikle517 · 发表于 2010-1-14 00:10

不错的帖子，看完睡觉

oliver324 · 发表于 2010-1-27 20:37

先顶起来

joinnow1166 · 发表于 2010-1-28 09:02

学习了，谢谢楼主

trp2008 · 发表于 2010-2-1 10:39

呵呵，

tienyu · 发表于 2010-2-7 21:25

本帖最后由 tienyu 于 2010-2-7 21:29 编辑

"另一方面旁路掉该器件的高频噪声，故又称为旁路。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在 7MHz 左右，也就是说，对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。"

以前也看到有上述的说明.但有些不明白的地方.希望有高人出来说明一下.下面是我的看法:
1.这里的分布电感似乎应该是和电容串联的,要对高频噪声起旁路作用的话,就要求它在对地时有最小的阻抗.这里的高频噪声应该看作是小信号正弦波吧?电感电容串联谐振时才会有最小的阻抗,而并联谐振时应该是最大的阻抗.2.按照谐振的计算公式,算出来的频率也和7M相差甚远.哪里错了呢?

faiei · 发表于 2010-2-10 11:05

谢谢，正需要

cctv19881023 · 发表于 2010-2-10 14:09

如何根据芯片的datasheet来设计电路？

这个问题怎么没人回答

lujie82618 · 发表于 2010-2-10 14:19

顶一个

tulance · 发表于 2010-2-21 09:59

谢谢哦下面的没有了啊

ljbone · 发表于 2010-3-6 09:18

非常不错，鼓励

hjf1.0 · 发表于 2010-3-9 21:43

好，好得很

kully · 发表于 2010-3-17 22:14

此处有误，“此时封装多为 0805 或者 0603”，应该为1206或者0805封装

sxd1984 · 发表于 2010-3-28 11:41

不错，学习了。。。

aladi · 发表于 2010-4-1 16:05

楼主，学习了

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