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楼主: gdli
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三极管参数选择

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发表于 2014-9-4 13:57 | 只看该作者
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。
7 O0 g0 x$ ^+ @) q8 q饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进入深度饱和。

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 楼主| 发表于 2014-9-5 08:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-4 13:571 x8 d  ]1 L1 [( z% ^  q8 E* v
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。
2 c* l( }9 Q  D  r饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进 ...

, h0 ]/ g; Q- D$ _这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知道怎么回事

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发表于 2014-9-5 10:24 | 只看该作者
gdli 发表于 2014-9-5 08:46/ ~; Y1 ]1 \: |% L
这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知 ...
( |+ t9 ]; }# C6 ?6 h* s$ d5 i" O( _
你的IC很大?如果IC很大,建议用MOSFET

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 楼主| 发表于 2014-9-6 08:36 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-5 10:24
3 I9 B6 W- F. F. e3 r' s  h( \你的IC很大?如果IC很大,建议用MOSFET

" V! u- p  B3 _! ^3 \, ]不明白
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