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标题:
DDR3概念疑问（on-the-fly，write leveling等）
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作者:
dck
时间:
2014-3-18 03:14
标题:
DDR3概念疑问（on-the-fly，write leveling等）
（1）请问在DDR3中on-the-fly，write leveling这两个概念怎样理解？与fly-by拓扑有联系？
* G1 d( Y& d% r, W1 v
2 ]9 a! X% p/ q# M, o1 I
（2）是有BL8 on the fly和BC4 on the fly两种类型的读写命令？
+ h+ ~/ ` ^. S) F3 p4 f
0 J' O1 d. ? h8 c9 m
（3）对于动态ODT来说，RTT_WR是在写命令时的ODT值，而RTT_NOM是其它时候的ODT值，这个其它时候是指哪些时候？
- X! m/ a% s7 r4 N
作者:
topdreams7
时间:
2014-5-27 16:05
1.on-the-fly即时烧录，write leveling软件使DQS延迟使得相位和clk保持一致；writing leveling能力决定规则约束。
$ Y8 c* z% Z# Y; e. B! |7 F+ }9 V
2.我觉得BL8和BC4组合控制 on-the-fly的状态，如速率。
. B9 b6 O2 Q0 H0 N% E/ v
3.DDR3提供个两个不同的端接电阻值：Rtt_Nom,Rtt_WR。Rtt_Nom 是名义上的端接电阻值在MR1中进行编程。Rtt_WR是一个独立的值，在MR2中进行编程使得一个唯一的RTT值工作，当进行写操作时，ODT使能。即使Rtt_Nom关闭的时候，在写操作时Rtt_WR还可以应用。
3 X. e6 B- ^: X8 u7 F
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不知道理解的对不对。
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