|
.... 电容退耦半径是隶属于电容储能角度观点下的概念 ....。6 ^( R/ L9 `: ^. p: a3 n
6 ~; y: w) z6 A# L' U- W, O5 T/ @
我看到最早有關去耦半徑的 Paper 是加州大學的 Huabo Chen and Jiayuan Fang 在 EPEP conference in 2001 所發表的,[Effective Decoupling Radius of Decoupling Capacitor]。+ v1 T8 s1 {( ?' ?: ?& b$ c$ E
幾個結論:8 {5 ]1 y! @6 T! `' z/ ?5 _/ ~
1. 去耦效果佳的頻帶為"去耦電容的自諧振頻率低一點" 到 "自諧振頻率點" 之間的範圍。- g+ M3 m- t' m$ d
2. ESL 越小,去耦半徑越大。
' Y- P& `5 @! O, f/ y+ \$ U: [* u3. 不同電容值在不同頻帶有效去耦。8 |! C, p. W% e K# p
4. 電源平板間距越小,越可供高頻段去耦。
8 Y, D$ L/ m* s- Q2 t' h" f' A3 Z$ K$ c9 { }' ^) K# f/ a" S$ A
以上可以用在板級的去耦設計概念。
4 z! L# o+ n4 X Q' c0 A所以說 "电容退耦半径是隶属于电容储能角度观点"我並不認同,。
7 }4 @, T5 K4 F7 E5 a近代都是以仿真工具來輔助 PDN 的設計。去耦半徑只是方向性概念,它依然受數個參數影響,不過以早期 只說"去耦電容越靠近芯片越好"的簡單說法,可算是一個客觀性的評判準則。
" G% e/ r; N! T6 G7 k |
|