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.... 电容退耦半径是隶属于电容储能角度观点下的概念 ....。
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# i! r' R9 I" c4 k& \ 我看到最早有關去耦半徑的 Paper 是加州大學的 Huabo Chen and Jiayuan Fang 在 EPEP conference in 2001 所發表的,[Effective Decoupling Radius of Decoupling Capacitor]。) u* f: e* E9 A6 o! T
幾個結論:8 }/ X4 b$ B! Z/ @
1. 去耦效果佳的頻帶為"去耦電容的自諧振頻率低一點" 到 "自諧振頻率點" 之間的範圍。
7 @, @, e+ [. l0 z- Y2. ESL 越小,去耦半徑越大。9 S" C: |9 X& a$ L# m
3. 不同電容值在不同頻帶有效去耦。
! X, U) B3 t7 l y1 Q1 G4. 電源平板間距越小,越可供高頻段去耦。0 ~9 T/ g; s5 j, K7 b& |
# ] H: Z, G+ D+ `以上可以用在板級的去耦設計概念。
' N2 I& E$ j7 U0 l所以說 "电容退耦半径是隶属于电容储能角度观点"我並不認同,。3 L! P2 ?: i8 ~' | S1 `" x* ~
近代都是以仿真工具來輔助 PDN 的設計。去耦半徑只是方向性概念,它依然受數個參數影響,不過以早期 只說"去耦電容越靠近芯片越好"的簡單說法,可算是一個客觀性的評判準則。* V R" k, p0 K+ _. G% F
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