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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑
9 A# S6 \3 c+ @3 s; W# d, {9 @3 G1 Z& `, K/ I- n1 n
顶起!
! g: d. \' W0 p: [, V3 W看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!
$ P' r3 ~# m7 S* b" D7 L
3 V7 Q8 j% ]5 A/ s2 ZSEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html$ L. w' C) x8 j; J6 y5 N
& o$ {( e; U1 a- Q" U1 z内容提要:# b* K" }" m) h6 J u
李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 0 `6 o! H" U8 c) }4 A/ k
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。 . a+ s5 h" V# a3 d( Y$ x8 o- ~
《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
2 A' v5 ?7 l3 S1 S第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
; a/ t+ z3 n2 H1.1 从Package到SiP的发展 , ^* m; @2 { [
1.2 Mentor公司SiP技术的发展 : o7 j0 r% u& F+ r
1.3 Mentor SiP设计与仿真平台 8 n- N! I) O# O3 s: C
1.3.1 平台简介 5 ?7 B+ V" p' b5 h) |* y
1.3.2 原理图输入
0 ~ S2 J3 m/ e* i" w* G1.3.3 系统设计协同
3 Y. q; J8 T* N" b4 {& d1.3.4 SiP版图设计 ! g) ~$ _$ a6 t! F5 z) H
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真 - f) \3 F. Y0 y$ G
1.3.6 热分析仿真
: a. I2 o! s$ C1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 7 O9 i2 ]# c4 u9 u' H* [/ T N T0 N: Q8 R
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
& B4 {, w+ W5 ]第2章 封装基础知识
2 Y% z' D5 d/ q. r! y0 J/ W/ }' ?2.1 封装的定义与功能
' I/ `, Z* l- G2 |4 g2.2 封装技术的演变与发展 7 W2 _9 s$ B, [
2.3 SiP及其相关技术
# [. p3 H- E. m. a1 `* d, O4 ~! x2.3.1 SiP技术的出现
: B2 Y$ X; D% s; s+ H- z) k2 D4 ~2.3.2 SoC与SiP # j% a/ K! n, S7 D3 r% }( {
2.3.3 SiP相关的技术
) i s8 ?( g( G) T2 w0 _/ ^2.4 封装市场发展 + ~ ]: L0 [) V. i. t3 k
2.5 封装厂家
. W' h' V" r; i& w2.5.1 传统封装厂家 - Q3 k/ S! i- M |4 ]( f/ L8 X" A
2.5.2 不同领域的SiP封装企业 + i9 A" A$ A6 ^6 w7 P; }
2.6 裸芯片提供商 6 t, G' W# N: P
第3章 SiP生产流程
3 R" T& n# O* x. R. ? p5 B3.1 BGA—主流的SiP封装形式 0 V: e- u: H3 n u. J. s
3.2 SiP 封装生产流程
( Y( U5 n5 c9 W" P- K. V: X, o3.3 SiP封装的三要素
+ `6 L* S# v K, p3 C% B' c% Y第4章 新兴封装技术 # h9 W# ^' P4 u
4.1 TSV(硅通孔)技术
: L' o& k1 o7 S/ b% e, ^6 G4.1.1 TSV介绍 1 ]0 l7 b/ e; n$ T/ t( Z
4.1.2 TSV技术特点
" w# P! y( F4 | g8 F$ i$ N4.1.3 TSV的应用领域和前景
9 Q& T$ B) ?, p9 [! o0 I! m4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 ; x, N6 y* c5 C0 H$ j
4.2.1 IPD介绍 - Q3 I1 ^* q2 D/ X
4.2.2 IPD的优势 * q5 h, B Q9 G4 s0 e8 d. M8 ~+ y# W0 _
4.3 PoP(Package on Package)技术
0 L- V- f" u2 X0 E8 }4.3.1 3D SiP的局限性 ' a. p' t" K7 h; b: P
4.3.2 PoP的应用 5 i/ q* h* M" b4 j% q
4.3.3 PoP设计的重点
( l) {5 I6 P* F( S4.4 代表电子产品(苹果A4处理器)
7 f, D1 I1 Z% W8 T9 |第5章 SiP设计与仿真流程 4 I5 ~( A5 \" l
5.1 SiP的设计与仿真流程
0 z8 x8 k- Q+ U5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程
7 V3 f0 i. K' ]5 I4 h e Z5.2.1 库的建立
& ]$ _% x( T/ W8 T5 C$ z5.2.2 原理图设计
/ h2 p7 R$ q% b* G) t: P5.2.3 版图设计
3 H: _ Z; y1 P$ x7 A0 H1 [5.2.4 设计仿真 8 I( [/ \( S. J' {: Q& g1 i2 v7 o
第6章 中心库的建立及管理
P! m* D: }1 z6 x% O6.1 中心库的结构
; L0 e* ^1 b* B3 P0 b2 j5 N$ h6.2 Dashboard介绍
3 P9 D8 A% y1 v4 n5 g6.3 原理图符号库的建立 , c* m2 G% m) M: g6 I
6.4 裸芯片Cell库的建立
9 ?: H# W7 H. X- {7 T6.4.1 创建裸芯片Padstack & w( l+ I5 u* I$ c
6.4.2 创建裸芯片Cell
! l; o3 l9 T: }( f6.5 BGA Cell库的建立
/ a$ F6 k" a0 r/ i- {0 U8 O9 F# g2 m' l6.5.1 创建BGA Padstack
|7 l$ w" @/ o8 m) L+ l/ a0 g! u6.5.2 手工创建BGA Cell
; m! T1 {% ^, }# b1 r, r/ j6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell 4 b9 A8 \4 ?3 i
6.5.4 LP Wizard专业建库工具
( _: w, S9 G* x; Y7 M3 n( i3 I6.6 Part库的建立
( O P! A8 @* @6 L6.7 通过Part创建Cell
: _2 B0 x3 `9 c, d! i6 Y* H' X第7章 原理图输入 / k+ y9 b8 N! D# N: W7 W1 q% Z
7.1 网表输入 3 \$ u2 x" D, n. g: d" h) N
7.2 基本原理图输入
: D- W) c; R) q6 A7 L7.2.1 启动DxDesigner
+ X* _! m% |! w C! B; A7.2.2 新建项目 / e# ^9 K5 Y! k( ?( y) ~, q
7.2.3 设计检查 % x' K5 V6 k/ U
7.2.4 设计规则设置
# Q3 D# {# m+ M7.2.5 设计打包Package
, S' e" k% Y3 O$ C; H. \7.2.6 输出Partlist 6 D% B1 H2 w1 N) T" C) ` X7 m
7.2.7 原理图中文输入
' u, `" T1 W* r: N, g0 G7.2.8 进入版图设计环境
% [8 x+ G7 Q/ m7 F0 A7.3 基于DxDataBook的原理图输入 8 X% r: F- n9 W. s- J
7.3.1 DxDataBook介绍
; {: h$ f( D% Z: ^' z' Y7.3.2 DxDataBook使用 + ^) S! f( t( Q$ b5 X+ m
7.3.3 元器件属性的校验和更新 $ E- Y. C0 J0 L- ?6 R' Z
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计
- C; a* d* ~/ M3 m) q/ m6 w8.1 多版图项目管理
j- R( y) Q! x y8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求 7 E4 ?2 |# A2 u1 q' m0 N; u
8.1.2 多版图项目设计流程 - Z6 K' i9 K# b8 N$ p
8.2 原理图多人协同设计 0 D H. ~% B+ L" L! Z8 n
8.2.1 协同设计的思路 $ V5 r6 }# z a( g
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法 E- T" @# X8 `$ B& e' L9 a
第9章 版图的创建与设置
$ Z* E, D9 m' M; q7 J( u8 b5 p: l9.1 创建版图模板 0 a8 L+ {2 ]# E' A
9.1.1 版图模板定义
/ X ^0 \$ R; g4 j! X9 |2 r9.1.2 创建SiP版图模板 : i# Q- L( v% J6 X1 T
9.2 创建版图项目 9 f" `# N: Q0 t
9.2.1 创建SiP项目
0 ]' s K% a0 C$ M& Z/ d6 k) {9.2.2 进入版图设计环境
' o6 c- A& v# v3 ~) U& r9.3 版图相关设置与操作 # ~( }9 |" N! K/ \& ^0 d/ n
9.3.1 版图License控制介绍
( W0 ^( T H; ~% f; n/ g/ p9.3.2 鼠标操作方法 - a f5 J9 O5 o4 z
9.3.3 三种常用操作模式 . V% Y) c$ I4 o1 m3 f+ d' i! ]
9.3.4 显示控制 Display Control
/ q$ e4 H1 |# F& [- E: I) ^9.3.5 编辑控制 Editor Control
, u6 D( O% l) ^8 C' q- ~7 p3 y7 R9.3.6 参数设置 Setup Parameters
' r0 K2 T0 R4 k1 L% ^3 z4 T9.4 版图布局 # C. L4 I# ]# L6 w" f9 Z) k
9.4.1 元器件布局
* f3 u; o( a9 K2 a% l' i2 G: o9.4.2 网络自动优化
% A8 [. x# r1 u) z5 R1 k9 U+ Z- h2 h H9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View
1 ]/ D9 k& t- T! P& r9.6 版图中文输入 1 Y- a& T/ O1 ?6 ]' p8 w
第10章 约束规则管理 5 U, H$ h5 q, Z( V( J
10.1 CES约束编辑系统
& K( U/ }2 q4 m2 S10.2 方案Scheme ( R" s% m5 m8 U3 Z: I* j/ L( b
10.2.1 创建方案Scheme 1 X9 T* f+ S) j5 \
10.2.2 在版图设计中应用Scheme ( d" i/ s% r7 h# K
10.3 定义基板的层叠及其物理参数 2 K! K; n. r. j% L q
10.4 网络类规则 Net Class
4 C* I' r/ a, X0 p4 m: Y2 }10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类 ; U' J/ w! \$ |* L: v
10.4.2 定义网络类规则 0 f P* ]( }! H0 ?; I3 p; \, |/ Z
10.5 间距规则 Clearance
$ @9 n5 O* C; ]) k4 I10.5.1 间距规则的创建与设置
' Y6 t+ t. P2 f10.5.2 通用间距规则 ) {0 C7 v' z) i! h
10.5.3 网络类到网络类间距规则 & P& V# z. r( R) y; J$ N
10.6 约束类 Constraint Class
: L% L: X T, u# V10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类
% a/ H% `+ d0 o! n$ t# @! c: f10.6.2 电气约束分类
7 w0 _" j6 B4 h5 a- t+ \* |10.6.3 编辑约束组
! d2 W3 c6 J" f6 S: x7 Z" V10.7 CES和版图数据交互 5 v) R6 ~# K$ s% x9 A
第11章 Wire Bonding设计
; W5 ^4 h8 O9 A! w6 [11.1 Wire Bonding概述 & [( Q$ S5 C- w. \
11.2 Bond Wire 模型 3 G) b1 D4 R/ b- e2 o
11.2.1 Bond Wire模型定义 $ t- O- z K7 J* q
11.2.2 Bond Wire模型参数
3 [9 p9 C+ p) M+ n$ U4 m5 v11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 $ L4 Y* \: C2 `
11.3.1 手动添加Bond Wire
' i/ E2 A# | M! Y, I" M11.3.2 移动及旋转Bond Pad * H: H2 O/ m9 N% b i7 v8 z: f
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring ( |0 Y _' x; H) Y# q. V1 N" Z* b
11.3.4 Bond Wire规则设置 0 A+ k3 z2 R' o1 c3 \
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor
9 J8 M: _0 M% A( \. z* m第12章 腔体及芯片堆叠设计 & z) i5 d1 }8 }! G3 i( k
12.1 腔体Cavity ! {) \+ J( v b" S
12.1.1 腔体的定义
8 V0 a. o; T0 L& {: S5 V1 ]& P12.1.2 腔体的创建 ; P4 V8 Z5 U- f7 J
12.1.3 将芯片放置到腔体中
3 }( K8 F: d, a! P. U, l2 b12.1.4 在腔体中键合
& ]" y1 J3 w) i5 ]& `& {12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板
' O& a' N7 y0 `% D) N9 D9 R12.2 芯片堆叠
0 d) a T2 _% E: G- d12.2.1 芯片堆叠的概念 # b" ~( Z1 @) \3 j7 x
12.2.2 芯片堆叠的创建 6 \( g4 |, k! f7 R9 t
12.2.3 并排堆叠芯片 % R( O: F. q, w. b
12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
; v x! ]5 U/ n# g7 I+ b; O12.2.5 芯片堆叠的键合
3 z4 R+ g- a2 w8 R第13章 FlipChip及RDL设计 " @: B) g) u$ F6 D7 ]* Y
13.1 FlipChip的概念及特点 : h3 B* I' q5 _2 t9 U4 G3 H% E" T
13.2 RDL的概念 ; b" H* z ` U9 A3 ^
13.3 RDL设计 0 C/ o( N" D# x. ]) N( x1 a' ?# e
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立
% W3 W% Q* _" e' O* D13.3.2 RDL原理图设计 . p1 h; \2 E Z$ p4 a5 H) p5 L
13.3.3 RDL版图设计
- U+ e9 B p. S! I+ E. y13.4 FlipChip设计
6 b* b# v* S6 j13.4.1 FlipChip原理图设计
5 E5 M. z7 Y6 m13.4.2 FlipChip版图设计
% ?) J, c+ A- ?6 {, @. w第14章 布线与敷铜 , I3 j8 {. D' p4 Z- k
14.1 布线 - n9 W: ?4 ]. `' s9 z. x- d
14.1.1 布线综述 8 r# g. O' X9 F; a5 {* p
14.1.2 手工布线
; F: {0 A% o4 L) p$ L14.1.3 Plow布线模式 * u4 W c% p+ {1 L* d% C
14.1.4 Gloss平滑模式
, Q. b1 T8 K& P! T3 N14.1.5 固定Fix和锁定Lock
9 W1 a% Y' J; w3 E1 R, n14.1.6 层的切换
* f3 V2 x9 p7 q; B( _8 N% x14.1.7 移动导线和过孔 1 _* X. O0 I5 `+ C U) K$ I" m- d
14.1.8 电路复制
2 Q5 a+ s& r% ^0 Y14.1.9 半自动布线
/ ^3 V5 E3 H' U1 P14.1.10 自动布线
% {) F. n% W. ]3 f6 y14.1.11 差分对布线 / d/ q; D) `$ g3 \# G) _% _
14.1.12 长度控制布线
. W6 W& P( ^: |8 M) s! Y14.2 敷铜 % {/ O9 v2 v# z2 ` f r
14.2.1 敷铜定义 * h0 Q6 |- f5 t% Q$ ?( D+ Z
14.2.2 敷铜设置 ' |; R% C& J a u
14.2.3 绘制敷铜形状 4 \5 p$ M$ V/ B9 K- O1 A" }3 S/ Z
14.2.4 修改敷铜形状 3 K* Y3 n* C! d
14.2.5 生成负片敷铜
/ k1 ~1 \6 X7 B) [- ~4 w14.2.6 删除敷铜数据
C, n: ]$ Q& \, V4 j14.2.7 检验敷铜数据 9 r5 r7 a/ k, `
第15章 埋入式电阻、电容设计
) L4 v: w. P+ \) [* d/ h15.1 埋入元器件技术的发展 / u" s1 L; l: F! g. a* Q
15.1.1 分立式埋入技术 * c3 N% G/ j" |" D4 |/ ^ n; M
15.1.2 平面式埋入技术 1 t' ^) n9 b/ r! r3 u3 E+ S
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料 ' m; G$ q7 V: k7 k' }- a, y
15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes 6 \# x; Z3 F( M2 f3 S8 V' _
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials - Y, c8 u) K5 l* w1 h* h9 ?
15.2.3 电阻材料的非线性特征
' ^4 u7 }+ u! c15.3 电阻、电容自动综合
. O; n# X7 X2 [! q+ L15.3.1 自动综合前的准备 % D0 F. S+ F" r2 D$ N
15.3.2 电阻自动综合
5 |6 l5 q1 k2 C0 {3 [2 ^- {) i) j7 E4 Z15.3.3 电容自动综合
3 l& P$ T; t- ]8 W0 h第16章 RF射频电路设计
0 j9 w9 ~& ]2 S! H16.1 RF SiP技术 . a& d# _' Q0 l$ J( |0 Q
16.2 Mentor RF设计流程 * k0 B0 _% I- U% K
16.3 RF原理图设计 ; ^- i, J, h ?
16.3.1 RF元器件库的配置 : l7 i" A" h, e
......
; C$ ?" b# l8 a/ o/ q/ E' r: B) r) i, I/ L# h" u, p
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