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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑 . \: s q. q9 u. ?+ u S4 x, F' _
d& q0 D1 S4 k- G顶起!5 @9 @2 p2 S% y( h" W
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!: n! B0 P* R4 [1 o/ q& @0 q" u
" q1 B7 r7 U! p; Q: R
SEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html
; ^& o0 S7 @* }; P$ v# A6 I& M9 d7 \/ o
内容提要:
0 U* j4 G4 M3 n: ~) q9 H李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 " ?# k% v% C1 x
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。
4 c5 Q+ V h# r) |8 n7 c3 s/ y* T7 P《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
! e, Z. Q% J3 c& r第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
4 p2 e8 ?. d* ~7 W1.1 从Package到SiP的发展 9 u6 D s0 @ }1 r. F. P4 w/ Q p. H9 z$ ]
1.2 Mentor公司SiP技术的发展
6 }& L. z9 \5 X7 A( V+ c; `" Y1.3 Mentor SiP设计与仿真平台 4 Q) I4 z4 V- G! E( Y2 S8 h6 p( A
1.3.1 平台简介
$ Q% Y7 @& \9 x/ {7 @& T1.3.2 原理图输入 ! E# I" p7 c/ e) y: W: ?
1.3.3 系统设计协同
) l; P8 f ]: G; u# g1.3.4 SiP版图设计 5 w1 ` X+ ^9 P1 X& a
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真
( O9 ?' d! I2 Z& Y1.3.6 热分析仿真
8 n2 h/ w0 N, m( O, S* L8 U1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 , G% C% P _2 o- b5 G: e& B
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
7 u' z+ E, g" k) R B4 m) `第2章 封装基础知识
& R& E4 R E1 W. \; o- C6 `9 ^- w/ ?" Z2.1 封装的定义与功能
9 v y6 |* K, |, N) p+ p7 V: ~2.2 封装技术的演变与发展 ( F" _6 S7 _5 n! E* [
2.3 SiP及其相关技术 % p5 L8 b" t! h; u" I4 |4 y
2.3.1 SiP技术的出现
7 o/ @8 ~; e( d& c3 g3 @2.3.2 SoC与SiP
+ r: R5 w' n Q9 k- H/ e9 C- O7 |8 |2.3.3 SiP相关的技术 2 A1 C4 n3 o6 ^" Z4 j/ F* c
2.4 封装市场发展 . X- [3 L4 Q! x; ?
2.5 封装厂家 2 T' W( C8 ^' d- \+ S' F
2.5.1 传统封装厂家
0 A; V' a+ C9 U# {2.5.2 不同领域的SiP封装企业
$ m& O- P& ]% F2 e! S2.6 裸芯片提供商 + R g7 V Z( E9 f( @
第3章 SiP生产流程 8 K& O/ k+ Y( a9 y8 B: h
3.1 BGA—主流的SiP封装形式 ) R7 P! L8 b6 ?6 r$ @" U
3.2 SiP 封装生产流程 + @2 L3 ^% D* g; L
3.3 SiP封装的三要素 }& w$ Z; P* a6 W
第4章 新兴封装技术 1 o ?, {8 g8 e' f/ r4 A4 a3 v
4.1 TSV(硅通孔)技术 * P9 t+ _0 [2 m0 c5 b
4.1.1 TSV介绍 8 c$ S# O4 a4 Y% V# E) g6 ~! g
4.1.2 TSV技术特点 3 T% s+ x' B9 j. `; f
4.1.3 TSV的应用领域和前景 4 @) j) z( O8 r& \% Q
4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术
% _( S3 T% V6 B k5 }+ | ? u2 X4.2.1 IPD介绍
, {8 O7 M3 W& H, V8 \; z4.2.2 IPD的优势 " Y6 t3 d3 H: C' z' U
4.3 PoP(Package on Package)技术 4 a4 ]# `5 n* o% S% S! v( P' ~
4.3.1 3D SiP的局限性
3 _7 h0 Q# ~; `* s) k. s* v% a4.3.2 PoP的应用 $ X( C' T1 ?5 u! K2 N4 y5 J3 R
4.3.3 PoP设计的重点
# Z7 A/ D5 Y2 y) P" k! H2 ?9 Q4.4 代表电子产品(苹果A4处理器) & g& H% Y, n) l( m, ^/ O0 M
第5章 SiP设计与仿真流程 3 S: H& B' p/ E. }! _/ {
5.1 SiP的设计与仿真流程 , o, Z2 _8 C) V3 D- P4 t ?2 p
5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程 ) W' o" q* Z# R& y" u( H
5.2.1 库的建立
# Y2 |+ o3 W1 ]5 _9 j! }0 C2 d# i! f5.2.2 原理图设计
" D4 [1 B- W* u* i0 u5.2.3 版图设计
4 p+ J5 x; f7 a5 k- M5.2.4 设计仿真
' R$ k) s2 N1 X( O: F第6章 中心库的建立及管理 * L" O; R& Z! o! M: y- L' M# J; @
6.1 中心库的结构
& J, s& ^8 g; S. W, E6.2 Dashboard介绍 # N) h4 p6 K3 G, J m6 v
6.3 原理图符号库的建立 , `( E- z, S# q
6.4 裸芯片Cell库的建立 , ?) u3 a& f: x/ L$ u: E# j
6.4.1 创建裸芯片Padstack - r2 v* D9 d; `( O( V# I7 }: x7 x2 }
6.4.2 创建裸芯片Cell + X O" E2 P+ K- |* @
6.5 BGA Cell库的建立
) T( X) e2 R0 e9 R) y3 u6.5.1 创建BGA Padstack
; T4 g: ?* C c( P" h5 r( P( {$ R6.5.2 手工创建BGA Cell
: J& f, I* Z. ^' C+ e' i! L6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell 2 M, }' Q, D9 O7 ?* L& i
6.5.4 LP Wizard专业建库工具 ; |% J4 E. P/ I# j
6.6 Part库的建立
( m/ b; j r1 n& s6.7 通过Part创建Cell
5 n: t! V; G: h, e' _6 [! Y3 B第7章 原理图输入 / L# N) a0 C9 D
7.1 网表输入
5 J$ m- n8 Q4 }7.2 基本原理图输入 ( L' Q/ j+ `9 v4 v+ m9 h2 I- ]$ ~
7.2.1 启动DxDesigner ( U. H/ Z4 X' t0 v1 U8 ?
7.2.2 新建项目
3 r2 r: o& T6 e( A6 r7.2.3 设计检查 0 [% v( d! f+ z! J
7.2.4 设计规则设置
' a1 e- i4 v4 l7.2.5 设计打包Package ) X4 c+ |/ ^. g+ L
7.2.6 输出Partlist + q) H/ P' E- ~( h2 V
7.2.7 原理图中文输入 6 m, n& ]; p3 `7 ^. g& Q
7.2.8 进入版图设计环境
$ f' ~1 @. s9 a4 `. x# b4 c7.3 基于DxDataBook的原理图输入 : x$ W0 ^# [) j6 W
7.3.1 DxDataBook介绍
& p6 S, j3 k# G4 U8 b' N7.3.2 DxDataBook使用 6 |0 \5 T- t! G2 L) m" f$ j/ C5 m
7.3.3 元器件属性的校验和更新 2 G Y2 J) ]% m/ v" o
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计
5 m6 _7 J/ F+ C' B) }9 W- p8.1 多版图项目管理
$ v7 S3 A* A% d: F8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求 1 u: Y5 d- n; `, r
8.1.2 多版图项目设计流程 0 n6 x( ?" ^0 m9 `
8.2 原理图多人协同设计
2 C- m2 P) ~, \$ E& ~: D9 J( U) o+ A8.2.1 协同设计的思路
/ V* S, I0 c$ d# k9 X8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法 ( w) M Z: A6 o$ i
第9章 版图的创建与设置 & t" w# Q# ?5 O" o2 P4 ^# j8 {0 |! O
9.1 创建版图模板
, R. f3 N- p2 D7 {% f9.1.1 版图模板定义 # Z2 k/ G/ _, o& r, F4 }7 S
9.1.2 创建SiP版图模板 , C" i; ^' |1 }" U- c: W
9.2 创建版图项目 . p: u; |; v" X/ Y( T
9.2.1 创建SiP项目 ; |5 i# R" U) X. Z ?' C Y
9.2.2 进入版图设计环境
. C( P/ n( V' i: ~1 }* Z9.3 版图相关设置与操作
1 s+ h* E' g3 q2 ]: r x: Y9.3.1 版图License控制介绍
! d4 ?! k. Z1 L" m9.3.2 鼠标操作方法
' g5 ]- g. ?; F# A% E9 K9.3.3 三种常用操作模式 . q3 c1 y. B+ ^9 r
9.3.4 显示控制 Display Control F! |; @2 c* J+ l1 h
9.3.5 编辑控制 Editor Control . l, ?4 M; a# [# U2 }: v' h0 N
9.3.6 参数设置 Setup Parameters
' {7 a5 v: y% h% f9.4 版图布局 4 J/ h- U/ i: h; j3 `' p( R
9.4.1 元器件布局 $ B$ f6 f% o1 ^, F3 C) B) T. |* j
9.4.2 网络自动优化
. [7 d- i: `4 l: G/ D3 ]9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View ! i, X9 H9 e9 m- J
9.6 版图中文输入 " h3 F- L3 h. C- Z2 w& D
第10章 约束规则管理 2 R( D. E; P/ B7 {
10.1 CES约束编辑系统 4 \9 V/ r6 ^- ?8 j% G
10.2 方案Scheme * t. O$ T9 m) a: U# g4 u2 L
10.2.1 创建方案Scheme
4 |$ M, Z+ O$ Z6 t4 k0 ]5 h10.2.2 在版图设计中应用Scheme
& m$ z* W) v- r$ d4 Y: [- o3 s7 T' i10.3 定义基板的层叠及其物理参数 ; k4 v; J- x2 B0 C. T3 E' G7 P; z4 D
10.4 网络类规则 Net Class
2 D9 W; l( Q* \6 c1 @) B; P10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
9 ?+ |5 y" L# G10.4.2 定义网络类规则
9 s( X: J$ N; S$ P! q( |8 G2 L10.5 间距规则 Clearance
& ^ |: W( N+ f/ ^* v10.5.1 间距规则的创建与设置 2 y9 m# _' R/ M% C2 V% D/ w, y
10.5.2 通用间距规则
* `8 d% F) w; G, V10.5.3 网络类到网络类间距规则
& n2 s1 O2 a4 Z: x% y$ r4 S% C5 F10.6 约束类 Constraint Class
( C$ E$ Y1 D2 R4 S. i8 D10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类 ( _, G; ?- \" B7 |) s3 g" F& X; z
10.6.2 电气约束分类
7 K3 N% C$ e1 y; e10.6.3 编辑约束组
8 n$ L/ Z" X. i, W. C+ W10.7 CES和版图数据交互 {' o% p5 l" B, x
第11章 Wire Bonding设计
/ ]& o; M& f. S2 t* \2 n; t11.1 Wire Bonding概述
" ?4 _( M' q- p2 p) w11.2 Bond Wire 模型
# |4 N" I1 F* V; z5 [11.2.1 Bond Wire模型定义
9 y m0 }$ a' }! i0 r. X* d11.2.2 Bond Wire模型参数 . L* G+ u0 v% I9 K: q) r( Q
11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 / W# F/ X" ?, ^$ J% l
11.3.1 手动添加Bond Wire
( ?( Z5 B% H2 }; p9 S11.3.2 移动及旋转Bond Pad $ p$ ?( c) h/ |) t2 L
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring
' a8 @) ^( q' a, F11.3.4 Bond Wire规则设置 - h* b* }' w: R6 Y
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor : t: X7 Q) O$ S
第12章 腔体及芯片堆叠设计
) l7 q0 D# O4 O s' o12.1 腔体Cavity
' D' d' P3 T E- J3 S1 ]! A12.1.1 腔体的定义
3 s0 A. w/ G$ r+ K7 O& a) V/ ?+ ~12.1.2 腔体的创建 * C2 c3 W+ z) e) I2 A# |3 f
12.1.3 将芯片放置到腔体中
5 H/ j3 Y' T9 l: u# v \- b12.1.4 在腔体中键合
* a8 `0 C& `. Y( K! r$ J12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板 + B' J& o% w# e0 Z" A9 ^ _
12.2 芯片堆叠
, @3 D' R! s" I7 u12.2.1 芯片堆叠的概念
1 J, L- E5 v8 T7 T4 V8 u4 G12.2.2 芯片堆叠的创建
& p0 |; F: i. K12.2.3 并排堆叠芯片
6 e, e5 G9 E/ y" y+ R12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置 - F2 h" q/ }7 G) q6 K4 \/ D/ o' m
12.2.5 芯片堆叠的键合
( d3 n7 I# l: J! e2 k+ m第13章 FlipChip及RDL设计
3 P- @4 X9 y0 _5 v% b13.1 FlipChip的概念及特点 ( T/ s2 c5 ]+ l6 V2 d& K8 Z& b
13.2 RDL的概念
# B6 R( l& M: w# x5 q( W5 Q13.3 RDL设计
5 U: Y; P) n, c13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 9 w( ^' [4 p+ r i) K! A
13.3.2 RDL原理图设计 8 |8 F% @. ^& l* I
13.3.3 RDL版图设计
! Y# f! j& c; T2 P( S13.4 FlipChip设计 ( a4 a0 T' j% V2 M1 F; L
13.4.1 FlipChip原理图设计
2 c7 f! O. S# T0 M4 u# [13.4.2 FlipChip版图设计
+ u7 l2 c0 x y/ b5 u第14章 布线与敷铜 2 E$ l- y9 L" F6 p. ^& N
14.1 布线
, T( O/ @9 r4 B) g1 N; |14.1.1 布线综述 " z& W) f' y, V+ \5 i) u7 @
14.1.2 手工布线
$ P7 p" N- [2 q$ q' e8 L2 Z: g14.1.3 Plow布线模式 9 g" G" e$ y$ p6 Y& s& q. }
14.1.4 Gloss平滑模式
; S2 `0 F$ Y2 B6 [14.1.5 固定Fix和锁定Lock
0 h- L& l* d+ X, e/ f# I14.1.6 层的切换
1 n! k# b" A$ O# Q* F* \14.1.7 移动导线和过孔 0 _1 X7 @0 b4 E/ b [3 F5 @
14.1.8 电路复制 , Z4 L) N9 ?% ?* L+ y' D( V3 ?4 Z
14.1.9 半自动布线
. L. H: R6 [0 {2 r% ?2 k) s14.1.10 自动布线
0 t# f9 F4 n% h14.1.11 差分对布线 # o6 u( s" G/ E; }1 x9 V- y
14.1.12 长度控制布线
+ t; }2 j: t( ?# }14.2 敷铜
: z* |' o0 m' K$ W7 n* }+ T14.2.1 敷铜定义
' E/ z+ [3 e1 I( k14.2.2 敷铜设置
2 O4 ]8 V' M5 u: q( J5 w14.2.3 绘制敷铜形状 / s: S; T4 a1 R: o4 I! t) r8 O, A: T' ?
14.2.4 修改敷铜形状 + v L1 C. L7 | {7 ^4 ^# P
14.2.5 生成负片敷铜 : j' }" d r5 v8 L- L' k% O$ h5 }4 A
14.2.6 删除敷铜数据
6 T# h% h# q- K# j. D$ D) s- q( ^14.2.7 检验敷铜数据
5 }! M# r! q5 x; a. E第15章 埋入式电阻、电容设计
$ K0 L- k& D5 G! Z$ q4 m15.1 埋入元器件技术的发展 - {' j* `% c, |1 _9 |% ^# b( {
15.1.1 分立式埋入技术
9 ^. K( A, Y# b$ R2 t1 b0 g15.1.2 平面式埋入技术
/ N1 t1 w5 }% h+ i. _4 C15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
+ Z/ V' E: H+ Z' G15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes % y, t6 Q. M9 G1 ^
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials 5 J3 [0 ]7 N# c: Z; ~
15.2.3 电阻材料的非线性特征 - p* N& v3 h# u3 i
15.3 电阻、电容自动综合
$ l0 s R6 t2 t- b2 x( R& X15.3.1 自动综合前的准备
! ^3 u. R! \* m1 N1 Q15.3.2 电阻自动综合 / j2 H2 j8 T x- V& X
15.3.3 电容自动综合
6 ~& o# q' |# o7 s( R3 U" r第16章 RF射频电路设计
' a1 m0 M) I/ `, d; }) I16.1 RF SiP技术
q" q- x' t& b7 k8 k16.2 Mentor RF设计流程
7 ]8 ]9 _( d1 f6 @16.3 RF原理图设计
6 c5 _* x" U6 b5 g2 H$ Q16.3.1 RF元器件库的配置 : F2 @9 d/ w+ ~: v
......: ?( r' C7 S! t2 p) F+ W! \
) n! _/ p: X" {/ m9 }. a
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