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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑
$ p# N# C% _+ U: W# {2 {! E7 b5 Y6 y1 f/ O7 o7 J
顶起! N8 S* D4 |% e6 Q# n
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!
3 c: G7 h5 S4 _' R& v" P( Z/ S0 N" B" f+ n5 `- H% \$ M* p
SEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html
. i! c- b& v( G
- W7 r. p v% s内容提要:5 V; G* P8 l. v- q4 h3 X, S$ y
李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 1 ]6 r" W1 v# R \* R4 v2 |
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。
$ S" S. Z0 V, D5 o# d0 Q; ~1 R N: b《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:6 e6 c/ ^. B! d7 F
第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台 6 o/ Z6 H& X6 [% {( L) I) @
1.1 从Package到SiP的发展 . v! C2 ]/ ]. H* r" J
1.2 Mentor公司SiP技术的发展
) w: u+ ^1 I, z4 Q" y3 _- [1.3 Mentor SiP设计与仿真平台
p$ Y9 c7 c1 V6 ?$ \1.3.1 平台简介
+ C# |" q8 R1 ^* |' s1.3.2 原理图输入
" r9 C1 Y8 S6 N$ j6 q; O1.3.3 系统设计协同 3 D- F- I0 `$ _% A; D+ t% [ z
1.3.4 SiP版图设计 5 N/ w' y2 b9 f, X# B) [
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真
) B; h6 p, M; K& [1.3.6 热分析仿真
$ X" l9 T' \$ a W; z1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 7 H B. l+ m& ]+ M1 c* o6 A8 q9 D
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
! r: s! d2 a$ S( u第2章 封装基础知识
r- \2 H% ^1 \& N2.1 封装的定义与功能 ' f# i! I& \5 [) l
2.2 封装技术的演变与发展
" t3 s( `4 _+ j* K. I2.3 SiP及其相关技术 5 P$ Q; ]8 e, c R! c
2.3.1 SiP技术的出现
$ w `2 z$ ? p/ ?! A( U2.3.2 SoC与SiP 4 [# _0 Z: D% m
2.3.3 SiP相关的技术
7 T- [0 Q8 }1 ~ i; M$ n7 d2.4 封装市场发展
6 r8 a& i; s' C% g8 f' u2.5 封装厂家
5 ~8 E5 y. d3 O( G8 r& F2.5.1 传统封装厂家 9 X' i, x7 r; M& ^
2.5.2 不同领域的SiP封装企业
. ?( f7 f- d1 k5 \+ E2.6 裸芯片提供商 ' D6 K1 W, y" B# h" b3 K$ z8 U
第3章 SiP生产流程
9 h# \" v9 T; U. i( n3.1 BGA—主流的SiP封装形式 ) K4 C) w: @, _) K
3.2 SiP 封装生产流程
6 |, z5 v6 G* K# X* P' G9 V3.3 SiP封装的三要素 & k+ c4 S) i$ Z$ L- H# z3 W. @
第4章 新兴封装技术
$ i/ J8 Z! ~! G9 L4.1 TSV(硅通孔)技术 , N4 L m! o' k
4.1.1 TSV介绍 1 \5 Q" K) ?& @% ~1 |
4.1.2 TSV技术特点 2 @$ f! P2 J& o
4.1.3 TSV的应用领域和前景 5 c! o! E A' j; C
4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 & ^: O9 E/ \3 Z. O L
4.2.1 IPD介绍
* N( b# G0 Y+ Z4.2.2 IPD的优势
9 U+ j+ e: \9 o4.3 PoP(Package on Package)技术 & c8 X5 R6 |: K1 M8 D! G6 m8 V$ O
4.3.1 3D SiP的局限性
3 }2 |8 h0 ]% Q/ S( \! ]4.3.2 PoP的应用 ( l* I# |: |' m) s" a
4.3.3 PoP设计的重点
@9 W$ I! p2 [+ H% n& ~: d4.4 代表电子产品(苹果A4处理器) ( k0 `: N! R8 }! d2 `
第5章 SiP设计与仿真流程 - ?% d3 Z9 F0 _
5.1 SiP的设计与仿真流程 5 D) X6 k6 U4 p; a
5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程
* v9 ^" ]7 v" V g; q7 z5.2.1 库的建立 X, g( d& H) w- `- D! {
5.2.2 原理图设计 G# F" B/ G- e8 E& f9 ?
5.2.3 版图设计
* F9 O& Y% K+ s# `" m& ^ E5.2.4 设计仿真 1 s# @9 n* g: j+ n% |1 {! v T) C
第6章 中心库的建立及管理 ) m+ h5 @$ c, p1 ]
6.1 中心库的结构
\. L: N9 j2 ]6 z' v/ I+ L) T! W8 a4 U6.2 Dashboard介绍 ( M0 Y5 f! t6 ^# J- K# V
6.3 原理图符号库的建立 ! D/ y& B. g( s
6.4 裸芯片Cell库的建立
' I& J! a+ N; z! u3 Z: ~) i6.4.1 创建裸芯片Padstack
0 h4 B% i$ Z% d" ~$ p6.4.2 创建裸芯片Cell
% x/ H* @0 q# L/ j. O, u6.5 BGA Cell库的建立 ! `9 q$ A) z+ Q4 T; ~/ }) w; d
6.5.1 创建BGA Padstack
7 L7 Q; m9 r9 Y1 X) A5 o1 W1 t6.5.2 手工创建BGA Cell
6 A b+ K7 V# _8 ~6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell , k6 I1 X' @) i) c: T E
6.5.4 LP Wizard专业建库工具 9 ]6 K p, G2 A8 T# X& y
6.6 Part库的建立
: X& B% e) y0 W; x- I6.7 通过Part创建Cell * {9 K; s( _" n1 `
第7章 原理图输入
# w" M+ d i. W' k: }1 q# z$ u7.1 网表输入
2 J7 N6 z; R) c8 V4 P7.2 基本原理图输入 7 ~8 W) x; k; y& {' H
7.2.1 启动DxDesigner
% A2 }# H7 H# ~ X* x6 |7.2.2 新建项目 ! h% l+ k) V3 O( c& {
7.2.3 设计检查 $ b- L x$ v+ h" q8 r6 m0 E
7.2.4 设计规则设置
3 _* Y. M! A; ^( @7 N9 B7.2.5 设计打包Package $ P# }% e s* [' O
7.2.6 输出Partlist * V; H3 p4 ]0 G+ o: A5 l
7.2.7 原理图中文输入 3 u1 u0 @# I7 H/ I/ P
7.2.8 进入版图设计环境 5 i2 o: }# q% M# p5 K
7.3 基于DxDataBook的原理图输入 9 `) V; p0 k5 U+ h; O% ~
7.3.1 DxDataBook介绍
1 A" X) y# {0 a/ O, _5 h/ e: U7.3.2 DxDataBook使用 8 N! @4 E9 h: p6 Q0 k
7.3.3 元器件属性的校验和更新 & p, O: S' E' d. O4 T, d
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计
: l0 u$ y2 D# ^6 H2 y$ G8.1 多版图项目管理 2 \" h, U$ f S: {- R5 v5 I
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求 ( w1 r, m3 w: L* a8 h
8.1.2 多版图项目设计流程 8 O4 v3 N9 |4 o# O! G
8.2 原理图多人协同设计 ; s- `) ~( }7 ?( G
8.2.1 协同设计的思路
7 w @2 o5 d; z+ ?! o: C8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法 3 ], v8 z& ]3 U
第9章 版图的创建与设置 4 I# c) ?7 {. W# o2 y0 {/ S
9.1 创建版图模板
0 B3 \. I1 D2 D W' }( u9.1.1 版图模板定义
& `* `9 @' N4 _4 H# M5 H9.1.2 创建SiP版图模板
0 ]; ~8 d# T7 @# z z9 Z+ `( y9.2 创建版图项目
: O3 I. g# r5 X% E/ P9.2.1 创建SiP项目
1 ~5 Q# B' N+ r1 P3 R9.2.2 进入版图设计环境
( h8 j) u W4 d' P/ B9.3 版图相关设置与操作
" g9 M1 D: w0 {, d, O% h. D L* ?! r9.3.1 版图License控制介绍
! p9 N; U. c3 N3 _9 L8 y) w# e9.3.2 鼠标操作方法
( S0 @8 a+ I N9.3.3 三种常用操作模式 . M; r N4 d$ v6 t1 o+ q
9.3.4 显示控制 Display Control $ b4 E. h+ ]9 f5 ]3 q' J
9.3.5 编辑控制 Editor Control
4 t9 J! ~8 I- ]" K; j# y `9.3.6 参数设置 Setup Parameters 7 c% s# S9 k* c& I8 e5 p
9.4 版图布局 + w4 Q* n \0 k7 v2 ^1 \3 @
9.4.1 元器件布局 * `, V3 Q7 g, t6 A& z3 s$ r" Y+ O. S1 F
9.4.2 网络自动优化 ; ^8 A. G% o( q N
9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View , G" Q+ E3 F1 G1 Z$ @
9.6 版图中文输入 / `6 U, M; b; N" a% r
第10章 约束规则管理
, p9 U4 v2 e! m; s v2 k* G+ V' m* ^10.1 CES约束编辑系统 2 |% E7 \5 N; b4 X* b
10.2 方案Scheme * @, G/ Y; N- Y) @% A2 m! Y2 e
10.2.1 创建方案Scheme
8 ]3 T; h5 t c; |$ g: v10.2.2 在版图设计中应用Scheme
4 ^8 ^! J5 D; q+ a# Q10.3 定义基板的层叠及其物理参数 * k" I* k1 a+ B. @+ {, V/ k
10.4 网络类规则 Net Class
- b0 Y! r9 r* }7 K0 g$ A/ ?10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
+ m+ x+ ]# ~3 Z& N10.4.2 定义网络类规则
) I2 X4 e1 O' D- M& _( L7 T; f9 S10.5 间距规则 Clearance
6 y D- N5 b1 l3 }" [( {& r10.5.1 间距规则的创建与设置 4 u7 ?3 b, l; f6 v
10.5.2 通用间距规则 $ X" ^9 z3 \" w; t( o5 t4 Y9 x- e( W
10.5.3 网络类到网络类间距规则
7 n+ a' F7 S, {10.6 约束类 Constraint Class 9 p, g& m3 [; F3 R1 N; U ?
10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类 + Y% }# q/ t B$ ~
10.6.2 电气约束分类 & c, T- S% r$ o( {/ ^
10.6.3 编辑约束组
' c" q. _( |1 W9 p10.7 CES和版图数据交互
' T) s, a c3 J) j7 r6 g, ^7 X, G第11章 Wire Bonding设计
' w |' k9 k: |+ ]# N11.1 Wire Bonding概述
0 \/ X* d2 d' W E- v0 B11.2 Bond Wire 模型
( i, a B( m1 t- T11.2.1 Bond Wire模型定义 6 a) c2 v. Q; r0 p Y% m
11.2.2 Bond Wire模型参数 ) W. q$ H. `5 R2 ^' I7 N
11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 6 p. H; ] k. J: a6 ^$ f v
11.3.1 手动添加Bond Wire * C; g2 p! T5 b/ M: Q. a8 Q% v
11.3.2 移动及旋转Bond Pad
4 Z; s& G6 n6 M+ g r11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring
1 f+ e; S/ F( \* j" G11.3.4 Bond Wire规则设置 7 T0 ~% a: S m: y8 I( s
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor # J( M3 M) S2 Q0 r3 Y" s
第12章 腔体及芯片堆叠设计 8 t+ \5 B* b/ _
12.1 腔体Cavity
N' {6 W4 i6 K& E! t12.1.1 腔体的定义
% R: e3 q/ Y% e12.1.2 腔体的创建
: }# z/ K! Y e) j/ P( Y12.1.3 将芯片放置到腔体中
/ m. J1 `3 j! O* e- v1 `12.1.4 在腔体中键合
1 C- i- t' ?3 ]5 U+ |2 [8 Y12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板
! _1 E3 g+ r- j. B12.2 芯片堆叠
& l4 Y" x Z5 J4 }; D12.2.1 芯片堆叠的概念
' M7 u: M$ S: A! p5 c# w12.2.2 芯片堆叠的创建 4 N8 D9 N1 n4 b" G/ y! e
12.2.3 并排堆叠芯片
9 W B- z% Z) S! B6 d12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
- y6 ?; p- Z8 A/ U% R- D12.2.5 芯片堆叠的键合 8 }. ~1 G! d' `) {
第13章 FlipChip及RDL设计 7 x$ R* k7 E7 P; A) {" I) v/ `1 W9 K
13.1 FlipChip的概念及特点 ' h: |" x5 D. M, x+ E+ D
13.2 RDL的概念
) ?0 _1 o9 [& i; `13.3 RDL设计 / M0 b) ?7 j: x5 j- e% g
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 % d7 ?3 ~: ]3 i1 G
13.3.2 RDL原理图设计
( C9 j) i9 l3 _13.3.3 RDL版图设计 3 K6 T( o A i* o. a: o
13.4 FlipChip设计 " y! D# b+ r* H0 R
13.4.1 FlipChip原理图设计 - O) W( I2 A J# A
13.4.2 FlipChip版图设计
1 M6 b% H9 Z2 D, T: a第14章 布线与敷铜 6 }- Z/ Q' w6 d1 A$ M0 `
14.1 布线
3 p; m: l& q' Z" @4 j: e& @14.1.1 布线综述
: |2 ~) Z3 a5 P5 V3 Y14.1.2 手工布线
) T1 |! B: {! R* e8 z14.1.3 Plow布线模式
5 d$ P$ M& V! c: T+ |7 _14.1.4 Gloss平滑模式 0 @& W* M+ H8 U# r, o+ Z2 n
14.1.5 固定Fix和锁定Lock 5 W, }7 q. H* E, Y4 |& V' F* g* T
14.1.6 层的切换
8 z5 g9 h; z7 M) j14.1.7 移动导线和过孔
& `" u" `0 u' S14.1.8 电路复制 : T. l& Q% w' z/ d5 c
14.1.9 半自动布线 : e5 f0 y' s! D- W
14.1.10 自动布线 1 t, N ~. _ V5 ]* z
14.1.11 差分对布线
. n; n: q4 n3 H7 ^14.1.12 长度控制布线 $ m5 c' h9 R8 h1 ?3 m" o
14.2 敷铜 5 D+ |2 F# ?0 z8 f
14.2.1 敷铜定义 + h( c H3 Y/ G- X" Q& @- e7 ~
14.2.2 敷铜设置
3 A8 @- N: c1 q14.2.3 绘制敷铜形状 % \1 s) J# V% C( A, x% g
14.2.4 修改敷铜形状 9 j* d* X+ Y! Y/ l0 D
14.2.5 生成负片敷铜 $ @3 x4 q$ S- i% k
14.2.6 删除敷铜数据 [6 u. o# u' }9 C2 ^+ [: }
14.2.7 检验敷铜数据 0 z A. s/ ^$ d0 S, r& v
第15章 埋入式电阻、电容设计
7 u5 f9 L! N8 @1 v8 _15.1 埋入元器件技术的发展
9 P2 D/ n9 i1 a" b1 } x0 s15.1.1 分立式埋入技术 : n9 ^4 }9 [( {, s+ u
15.1.2 平面式埋入技术 - }8 t0 R9 f& h( g& w k/ L1 |
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
) k \0 L, R$ v' W15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes ' |+ f+ p* F% J8 @6 Z! ~; P
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials $ Q- r X4 w9 [; D8 X3 W- d
15.2.3 电阻材料的非线性特征
# w; D+ n) K6 I0 A4 K15.3 电阻、电容自动综合
3 ] ]/ W0 e" [6 h# W7 H15.3.1 自动综合前的准备 2 y9 p3 \# f. }; o4 ^* H, h9 o
15.3.2 电阻自动综合
2 Y2 P2 l# G, r4 Q7 |2 B! @; H15.3.3 电容自动综合
2 P0 d) v. O q5 H7 ?第16章 RF射频电路设计 ; Y6 n, y; b/ p2 f- i: c, n0 S
16.1 RF SiP技术
5 o) Y0 `* o; k8 L. j16.2 Mentor RF设计流程 . P! W! P M, _& v! F
16.3 RF原理图设计 0 l5 ^9 I; \2 F. h1 Q2 [( b9 |4 w" v
16.3.1 RF元器件库的配置
7 p+ Q9 q6 G! G4 B1 r: U F......
# q* c5 e* E- j: {0 |$ N3 B0 n0 R+ u; x
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