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楼主: dqd7411
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【精品】2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品下载

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发表于 2012-12-18 16:23 | 只看该作者
jimmy 发表于 2012-12-11 11:38 ) I' u! r6 H* q! I6 B5 _- H
嘿嘿...发现第三的没有绕等长。
5 l3 U% x. [9 v4 v7 i6 u( `3 \
jimmy就是厉害,一看就看出来了{:soso_e179:}

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发表于 2012-12-18 16:32 | 只看该作者
版本全部可以打开的,我想用AD9来参加

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发表于 2012-12-18 16:43 | 只看该作者
牛呀,欣赏中。。。

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发表于 2012-12-18 17:04 | 只看该作者
下来学习,谢谢分享

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发表于 2012-12-18 17:33 | 只看该作者
b不错不错

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发表于 2012-12-18 17:34 | 只看该作者
学习下.......

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发表于 2012-12-18 17:53 | 只看该作者
2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品点评。只代表个人意见。
, q" h" R  G& s7 [( J$ h) U' W+ |& Z
先来看下冠军的作品; b6 {+ `  D* A* {1 ^
1.光绘设置好,看图自然就方便多了,我们选ART03(黄色)看地址的走线,拓朴结构走得蛮顺,上面DDR颗粒之间绕线很少,且误差都在+/-30MIL内。还有一组DDR3数据线(红色)能做到同组同层,看此层线间距很均匀等长也很美观。空的地方都铺上了地铜与POWR04的电源耦合非常合理。2 |) U3 l, Z, V9 T
/ {- |' v! n0 E# _

/ D3 ]5 M# w) s; e0 x2.再来选ART06看下走线。一部分是地址线(黄色),另一部分(紫色)是DDR3的两组数据线也是做到了同组同层,所有走线没有跨分割(平面层都是整个平面),地址线分两层走比较合适,做到线间距均匀合理,蛇形线也很美观,此层空的地方也有铺上GND,这样能考虑到板子的信号质量和板子的平衡防翘曲。
6 R: P, W+ P( ~
" z5 X: n3 N: G6 n, B
8 }  J8 U  J+ E" {3.选TOP加上丝印来看,TC3216钽电容能均匀整齐的摆放到板子上,且每个焊盘都有两个VIA。此层空余处也有铺GND并打上了地孔。* C, M9 d. n: m( m7 c: p) R7 f
0 g& n' G# T: S4 Y+ k4 l

3 @3 @- o2 _3 K! _  [; n, U, B# l8 _4.选BOTTOM加上丝印来看。地址线的上拉(黄色)电阻长度很短,有一组DDR3数据(红色)也是同组同层走,还有一根REF线左右穿插稍微有点绕。
& O3 U' N5 P6 n/ K) |" h , G# g) F+ I6 V. ^, k
1 F, F: s9 y; b! Y- K
5.所有DDR3的数据线误差都是+/-10MIL,在这么有限的时间内等长、文字、设置光绘都能做得如此的到位是非常的不容易!
# ?0 d* I$ o# v  I! T" g
+ x$ v. @2 ^" |+ T! Y4 I& e( G+ B2 d. x3 ]( O1 U
6.我们整体看下电源,DDR1.5V的电源供电在CPU下面有点过远,这是美中不足,布局时考虑不够全面。) c4 a, C) i9 O% C( y
5 m# F& x. _- q& c
1 d+ ]+ N1 I# H2 h4 }3 O
下面来看下亚军的作品8 o' L# t/ @1 P0 T  x: O4 D
1.光绘没设置好,我们只能选ART03加开板框来看了。地址线(黄色)看起来右边的空间很充足,感觉线之间有点紧凑,DDR3颗粒间的蛇形线有两处重叠,估计时间来不及了,红色线和紫色的两组DDR3数据线走得非常好,同组同层没有跨分割(平面都是整块)线间距也很均匀。空的地方没有铺铜,估计时间不足。
6 ]' z. }, N2 u  \& e+ T
( \0 ], f) K2 Z8 E5 S3 p. v
5 S+ r  s: Z. E, b, O2.选ART06加开板框来看。此层的地址和数据线都做到同组同层,地址和数据也是平均分配到两个内层,此层看起来感觉非常美观。" Z% X3 @, V5 V# J, ?% T% V8 y5 V
. R+ p; E5 u5 ]+ K

3 M9 t7 o  E, E/ `9 o4 {3.我们开所有走线层和丝印层来看。TC3216的钽电容都有均匀的布局,VTT上拉供电路径很短,电源部分都有先过电容输入,过电容输出,DDR3/1.5V电源供电也很近,电源控制部分也很短.CPU在右边DDR3的出线也很好接线,这是一个非常完美的布局。REF走线只有12MIL要是再加粗点更好。
+ ^5 E1 O/ c# i% o6 O$ e8 d
& U, @# Y% v" _! O1 T- F% \! w# V6 t0 ~
下面再来看下季军的作品. x6 Y: ]  y2 g, F  a( `$ [3 d
1.我们开L3层来看。地址线(黄色)走线很靠板边,红色和紫色DDR3的三组数据线走得有长有短,明显是空间太紧张。现在接通已经是很不错了,等长应该是没有空间做了。季军此布局欠考虑,是影响布线的关键。
* U( }/ |5 {0 L6 G3 @ : b# [  ]- X( u9 E; v% x. E

9 |+ u1 ^$ L$ p$ D8 k* [* q. w0 P2.我们接着看L6层。黄色地址线右边有希希的几根,DDR3颗粒之间的线太密了,线没有合理的分层,紫色DDR3数据线只有DQS差分在TOP层走很长才在此层换,相对来说这组线走得比较好。
/ C* g! k. n) O9 U 0 N: A2 J  @( r& _. J: v

4 x; U" @7 J- v7 a6 ?+ E3.我们接着看BOTTOM层。地址线(黄色)在背面这么多小滤波电容的情况下真是太难走了,最左边RST/OTD两根地址线已经不是走菊花链,已违背DDR3的设计要求。
) j- {. w/ Z& W2 I% z3 {
. ]% h! r& y: E/ }) |% @' D
7 d. Q  `8 h9 H* Q& \9 A# i4.我们接着看TOP层。有一根黄色CSN0在其它层没法接,就在此层绕来接通。红色的DDR3数据线也是参差不齐的换层。还有TC3216钽电容摆在CPU上部没有多大意义。
; @- A& T5 M$ }  X9 ^$ S 8 m) W/ j& w1 r, k9 c9 c  J. p0 U

2 {3 r# J: l* y5 t* f5.再来看电源部分。12V电源输入到MOS管处只有12MIL线宽,输出也是一样过细。1.5V经过电感到电容再给DDR3供电太远了。与亚军的相比布局正好是倒过来了。
' G! i/ h) i3 A! y 3 T; k$ \% F5 o4 z' I2 p
往下看VTT部分的供电吧!
! s) }& r0 i+ I4 f* s; c8 ^1 X" qU7输入1.5V转出VTT,没有经过两个TC3528钽电容滤波进来,这里是设计上的失误。
8 B1 d/ |+ A  i6 N - l0 h" Y( x% D1 q! d+ w- w  |9 H
再来看DDR3REF。' A2 A8 c3 i& a. J) q+ n
REF电流小于100MA,没必要用一个平面层分割来处理,这样走在L6与BOTTOM层的线就会跨分割,信号完整性的考虑欠佳,估计以前设计DDR3太少了。
; z- `: [5 [: S; n( I. e / Z, ?2 A, B' n  e8 E

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发表于 2012-12-18 18:02 | 只看该作者
太牛了6 a& Z; `, h& ~
3 O/ v* {+ |  ]
大牛啊: V. ]. M$ K2 F# r" {* C7 X  v3 P

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发表于 2012-12-18 18:14 | 只看该作者
下载下来才知道  这不是用AD画的
2 Q- }/ |$ Q' J, r5 W, D

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发表于 2012-12-18 18:26 | 只看该作者
欣赏欣赏。
( h! H. Z. Q8 V" V9 ~

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发表于 2012-12-18 18:42 | 只看该作者
好东西,要学习!

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发表于 2012-12-18 19:20 | 只看该作者
学习学习,谢谢了。。。。。。。。。。。。。。

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发表于 2012-12-18 20:39 | 只看该作者
看看
任何伪装也无法遮挡自身的不足;
单纯的模仿会失去自己本身的技能;
一切脱离实际的想法都是馊主意!

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发表于 2012-12-18 20:49 | 只看该作者
看看高手是怎么设计的~

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发表于 2012-12-18 22:08 | 只看该作者
!拿来看看
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