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楼主: sunuy
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[Ansys仿真] 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

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发表于 2012-5-4 08:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
8 ^1 A# g  t5 n% h就一张图片,说不清楚啊,看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

$ Z: i, c3 H) W$ H, f0 b% e0 W; g. J
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
163我看行

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发表于 2012-5-4 09:02 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37 * X3 I- `, H+ t
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

; k1 k3 B: W0 d/ {4 o' }那个只是个示例,最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

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18#
发表于 2012-5-8 10:26 | 只看该作者
也请教一下yuxuan51版主~~' {- L2 Y. J) g$ y$ @( W2 k8 E
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据,能不能教大家算一下?; I% X3 W# b# t# p
DDR3 DRAM datasheet 中1 O  u6 X0 P3 T+ H" G
           Parameter                                            Symbol                       Max
) p' ~9 z5 |! a( NOperating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA8 P" i  }9 j5 k( \, U
Operating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA0 \: `$ z; h6 d9 t- y$ a; q
Precharge power-down standby current               IDD2                        35MA
# ?6 O9 z! U$ wPrecharge standby current                                  IDD2N                      45MA* `, D8 i; l% v, t( U. q
Precharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA
4 V" B0 {1 ^; _6 p, p3 [Precharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA! w) L5 _- o! F- C' J5 R0 @) d
Active power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA# ^. e" g3 V/ A- \, ]% [& B: T) z: k
Active standby current                                       IDD3N                      55MA
: t0 m! A9 X( |/ f: z7 i2 U- u2 w, Y$ }Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA
' S2 T8 o% @, o! x" R6 C) gOperating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA& l2 I# X; G6 k+ G3 O# ?- |
Burst refresh current                                          IDD5B                       250MA
1 t. s6 c. o# }6 GAll bank interleave read current                            IDD7                        210MA
9 W4 {# f4 Z, i最大电流按250mA * 0.5 算??; A5 S* @+ H! y" s6 J9 s
另外,一条板子需要8个DRAM颗粒,这样的话是不是电流还要乘以8?# d! i: _7 ~/ F7 |( M; y1 @
先谢谢~

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19#
发表于 2012-5-8 11:27 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 $ R: I% o) y5 J% ^; ?" e+ `2 ]
picibi 发表于 2012-5-8 10:26
; }" d2 D) n% j% E也请教一下yuxuan51版主~~# n4 k! S2 S1 Q8 M8 L2 _& ?  R
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...
/ k6 j5 }9 W& S5 J( c

$ J0 q9 C+ u5 P首先说明下,这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的,比方说一颗DDR2片子,它有好几个电源供电脚,每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电,这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明,所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了, a) M2 H  `3 q3 v

: v  P  Q# j$ y$ u- Q; k0 D$ a+ T下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法,我一般都用这个来计算,要是有异议的地方大家可以提出来
' X2 K. H; c! h
! `- J$ }( Y/ G首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型1 u- B# K$ J& G+ I+ k* g
4 c8 c3 o" G3 A# W' q# N, Z2 e% q
然后找一个要计算电流峰值的电源管脚,知道它所负责供电的那些buffer,打个比方,我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电,然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up,power clamp节点连接一个DC源,并在他们之间串联一个电流表,如下图,给所有的buffer同一个激励,为了找到buffer翻转时的最大电流
6 J9 @1 e9 P! k  o/ F0 t$ K6 C0 q- x- [4 A  D8 f

: T! z; y- W) T# f0 F% o $ S2 z  G# S8 I6 A# @2 I# q" I

* n( V8 Y9 F* B3 E8 t  \9 |  N- v3 c/ [$ }2 {& ^2 ^
8 e0 W; [* h$ ]2 V
然后执行仿真,得到结果后查看电流曲线,可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值,下图0 c/ v% b" c# K; K

" e( s! O+ D" j* h% D8 `: w% K, G  f8 `$ K

$ q. n# u; L. ?+ i( E9 X! ]/ h' V7 b* d* `) c
% I# O6 c* U9 h
/ _3 H6 d; F  E  a

# o  N0 E# X$ n. Z3 v7 U当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性,不然也就没有参考意义了
# o+ {5 ~. T, l; B
0 ~7 B- v+ ~+ d2 H' a

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发表于 2016-3-29 17:13 | 只看该作者
ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了?
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