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楼主: sunuy
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[Ansys仿真] 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

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发表于 2012-5-4 08:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
% {) T$ ]) ]/ t/ I' ?% J就一张图片,说不清楚啊,看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

+ g3 T  p# g: {* n% e* J9 L3 C7 F+ K* |
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
163我看行

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发表于 2012-5-4 09:02 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37 ; Y5 n$ g- [. l+ D4 l% H% P
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
7 a# r0 O' M3 f9 y) F8 i- ^
那个只是个示例,最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

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发表于 2012-5-8 10:26 | 只看该作者
也请教一下yuxuan51版主~~# u) o' H+ `  ^+ L8 n3 ]; q
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据,能不能教大家算一下?' M2 s5 q; c5 f" c1 F4 F  Z
DDR3 DRAM datasheet 中
  ~  O3 r' K4 j7 V           Parameter                                            Symbol                       Max  X' G, F# N, |5 I  P5 O8 L
Operating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA- E9 U2 b$ F$ p$ ]
Operating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA
& O) j4 j2 r" R) I' G0 \6 G' LPrecharge power-down standby current               IDD2                        35MA+ @  I% f) v, W' B
Precharge standby current                                  IDD2N                      45MA: u/ {; ]8 W7 O4 H: ?$ N: T% Z
Precharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA
2 f3 v, G' N; J) CPrecharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA; a" o. }7 u5 N" R/ t
Active power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
8 e0 D. v' o: _9 n, ^1 |5 `4 JActive standby current                                       IDD3N                      55MA
7 ^( e, Y& }; L* G# d0 S# l5 SOperating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA
* P, a+ ~9 B. I7 ~Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
7 M6 X9 m1 Q( lBurst refresh current                                          IDD5B                       250MA6 n  M0 C* `  y! z2 i
All bank interleave read current                            IDD7                        210MA
" ^% h" B# C& W3 P0 H, X  d最大电流按250mA * 0.5 算??
: t2 h) N, `& ?另外,一条板子需要8个DRAM颗粒,这样的话是不是电流还要乘以8?
- j- X7 ?+ L) u( W4 D先谢谢~

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发表于 2012-5-8 11:27 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 ; ]2 k+ G) j" I: Y: k" G2 z
picibi 发表于 2012-5-8 10:26
  O2 ^6 S7 G' A% k9 E- V9 j也请教一下yuxuan51版主~~' _6 `/ p' z5 r, V( Z, c; r
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

! j) g  w$ U$ t0 t- Y1 n, }7 ?. _7 H! Q6 C( S! Z$ x5 V% R
首先说明下,这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的,比方说一颗DDR2片子,它有好几个电源供电脚,每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电,这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明,所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
7 P& R. \$ ~- A0 ?0 J1 b4 ^
; }" G  J3 l/ `9 _下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法,我一般都用这个来计算,要是有异议的地方大家可以提出来8 w' y  b; w( M, ^& N
& H6 `, M( ~/ R* X9 x
首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型
1 h! K- S+ T% [
! F- c) t9 f3 n8 X1 e# j然后找一个要计算电流峰值的电源管脚,知道它所负责供电的那些buffer,打个比方,我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电,然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up,power clamp节点连接一个DC源,并在他们之间串联一个电流表,如下图,给所有的buffer同一个激励,为了找到buffer翻转时的最大电流! ~0 g* J1 D3 L) k9 f( j

9 M- O, `1 y5 G( z* _! h* C7 E0 C$ [( ?9 v

1 G) n9 f, R& X& x8 s
+ r3 }, v& F/ R/ v# C  Z3 s
2 D: E8 z0 ?$ @" p( H/ [; @, q% U* M- e
然后执行仿真,得到结果后查看电流曲线,可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值,下图
5 A7 B( p# H$ l6 c% X4 y8 Y  a/ d/ E6 B- E7 ^
) A1 e4 y1 T* `
2 c5 G! `4 ^5 F9 x: ^* L, K3 e
8 W! L5 A2 s  ?% c+ @. r

% [9 ?' h; }  r( I" L: Y4 L7 ], x% R( U0 [2 s8 @
! a3 ]: y7 Y+ R- [, O- z% e
当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性,不然也就没有参考意义了
, e0 N# u& D/ M% H% M
  Z8 y  v8 d4 G( y- q6 ~3 J( o4 t

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20#
发表于 2016-3-29 17:13 | 只看该作者
ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了?
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