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本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 ; ]2 k+ G) j" I: Y: k" G2 z
picibi 发表于 2012-5-8 10:26 ![]()
O2 ^6 S7 G' A% k9 E- V9 j也请教一下yuxuan51版主~~' _6 `/ p' z5 r, V( Z, c; r
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...
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首先说明下,这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的,比方说一颗DDR2片子,它有好几个电源供电脚,每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电,这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明,所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
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; }" G J3 l/ `9 _下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法,我一般都用这个来计算,要是有异议的地方大家可以提出来8 w' y b; w( M, ^& N
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首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型
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! F- c) t9 f3 n8 X1 e# j然后找一个要计算电流峰值的电源管脚,知道它所负责供电的那些buffer,打个比方,我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电,然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up,power clamp节点连接一个DC源,并在他们之间串联一个电流表,如下图,给所有的buffer同一个激励,为了找到buffer翻转时的最大电流! ~0 g* J1 D3 L) k9 f( j
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然后执行仿真,得到结果后查看电流曲线,可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值,下图
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当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性,不然也就没有参考意义了
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