MOSFET导通时g极电流问题

ykwym · 发表于 2009-8-13 21:23

一般推荐为4.7OHM

bk1688888 · 发表于 2009-8-16 15:42

大家好，一起来谈谈无线产品的经验吧！

bk1688888 · 发表于 2009-8-16 15:44

无线点读产品有朋友做过吗？QQ844362514，如有请多多指教。

yangcanhui07 · 发表于 2009-8-20 10:51

上拉4.7K都有问题,应该是坏了.
没用过这个型号,看楼上的贴图,这个管子不适合用在功率电路上,只能用做小信号电平翻转

hanscody · 发表于 2009-8-24 14:18

我用过9435A,上拉用10K,批量很多了.

wymei1204 · 发表于 2009-9-6 22:09

电压型的不必管对寿命没有影响

huangzhezhi · 发表于 2009-9-14 08:59

栅电容Cg很小，瞬间电流I 太大的话，导致电量Q （Q=It）比较大，根据u=Q/c，将击穿栅电容。

haip · 发表于 2009-10-24 21:23

学习了，呵呵

zhangzhng09 · 发表于 2009-11-24 16:09

这里还是看到了几个高手

ccg1117 · 发表于 2009-12-9 09:16

领教了

xooo · 发表于 2009-12-16 22:03

不错的了,受用...

ziyun121 · 发表于 2011-1-24 16:42

bu dong

kully · 发表于 2011-1-26 08:36

当MOSFET不用于高速开关的时候，可以说其gata不消耗电流，投射一个电场即可控制开启。当用于switch的时候，就需要根据频率和gate极电容，来设计驱动器的规格。像LS说的gate串联电阻其实是为了降低gate的峰值驱动电流，不是为了保护Gate而是Driver提供那么大的电流，因为不加串联的R，栅极的C相当于一个很大的重负载，有些Driver无法驱动。
而且Gate的输入电容不等于Ciss，而是需要根据Qg来换算（一般比Ciss大一个数量级）。
E:\gate charge.jpg
另外也没有所谓的保护降低Gate电流保护MOS的说法，MOS是考虑DS端的，一般都能抗一次击穿，二次击穿就真挂了。

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