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! S W, s! s! b0 v) E/ h3 {2 r二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:# b4 t4 l$ t2 k/ l& M# F
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. x$ L, i/ `" |- @1 X第二种placement 方式:# ?6 N8 a4 {: t [' s6 B2 k
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' T I/ ?# f$ g {& z1 H9 E* G7 z总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。8 s5 j' R1 ]8 l' @: \
这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。' N0 X8 |( W: r
data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。
* ]+ G9 E5 w% y" p addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。1 P2 A! Z8 B$ G! ? \6 W
5 \9 m7 n1 R& H( `' y6 j 如下图:9 c, p; p. f, B ~/ |
, d% B* I4 c6 ]* B4 k* k按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
0 d) g! K0 N9 O3 Q 也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!7 \7 l0 r( F& d
而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,
) h8 u! J6 s- }" v v9 h* T5 k; D如下图$ u1 ?/ P/ k- H5 B% Q- E
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7 f* M A( w" f9 g( c- O4 ], x弦外之音,抛砖引玉:; [4 T' Z" W- M
GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
9 {8 ?5 t" V8 D" k: P" } 同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。& x2 J; E0 O, J0 H7 j5 ?8 R
同一group的data net 可以互换。
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