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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
( K3 T) u! D% i9 |6 a

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
0 g  F% l) q1 A, M% [" n/ r- Z* K& n3 M* V! R
频率和带宽巨大提升 8 l7 `6 }5 a9 p) W5 J0 x2 r3 k. M5 ?0 v
使用Bank Group架构/ b4 S* y# Q8 {4 m  }6 V
7 |) d# q+ v7 C0 N6 L

) x$ g( ~, `; S4 {$ t4 |& M7 I
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

9 x8 m# X3 F8 m3 W: r0 A' l
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

6 |( B. b% f3 y: }0 G$ `

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
/ u: p4 l( k9 a2 S: _0 b1 P" L* q3 V7 W' ]5 A) B
NO 6 关于DDR4的电压4 n) K8 F+ p+ [& J
/ R9 b1 p, a" ]: ?0 ^* G
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
% T: q- _: s3 D' O+ @- v7 z4 O, S! M8 t5 a. O0 Y( T3 t
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V./ G2 M; M6 X  J7 b

$ z8 e: t* i- \4 i$ t$ `) J移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。+ o: d7 d+ \! ~: _+ j5 a
, q' r  [2 ~& ^5 l
2 e6 M) \% f" n# h/ W) D! Y, D
+ Z+ l. f" e  k; R; d. D

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装0 i) c7 p- o& d5 X

# v( Y2 l* T& }9 r, C) C9 t

% _6 U1 i6 _- Z7 Z- P) x3 l2 \" qDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。  m, B" H4 V6 a2 r- E
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。' G3 g' x6 f' P' \6 e8 E$ T' G& b
# O/ p7 |2 |) ^' [0 q
; x* [' J: H3 I4 U; E
! h. ?4 ?1 @4 d$ q" D
               3DS堆叠封装技术- O1 E. z6 n& B+ o: [

" H7 z  C) ]; [) S/ `
+ y- V1 E# J. h. q
, r; U! N1 }& b/ o) C
$ q+ Q  j9 G& t7 {; F

+ X0 b0 d0 o9 W: E& i4 B0 s
/ C$ h2 [8 n) f
  y8 ^7 t1 A: l: m# A

2 y: @; v( t- p

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景5 x8 {. Q9 \$ r" U% r& X

. t3 l' h" c: k( W( J第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
( I% l  A6 |' V, _( T" `. V. F3 m3 \- x7 Q
(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
* t5 k  Y- v4 W$ A
# T: G7 ]( D3 q9 x3 Q2 U是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,
4 z! `0 @' S* Q4 v- T) |
% n- B5 t! z0 @1 a1 G( q0 X现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
2 M& \( j) P" K! C: e5 |" n- S

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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发表于 2015-4-13 16:18 | 只看该作者
必须顶
专业服务(价格面议):
养鱼
钓鱼
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发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11( A7 f' l$ x# }. }% a! k( }
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

0 I$ q2 ^% x: I* G; S0 P准备慢慢写。+ o0 L) A, y* W% \* q  H

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发表于 2015-4-14 09:16 | 只看该作者
恳请赐教

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发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑
, _/ w$ G& I5 w2 Z2 v& y9 r5 o6 `. E: r) I8 V& h( C
NO 2 处理器的升级
, E' d0 K# J3 T) n
' t, }5 {. A- D% P # W9 N0 G* g6 N, K  }3 h& b
        i7 Haswell-E架构图解" ^5 j' U/ a1 X
  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
$ A- ]# T  F" _+ x, p; N
) p7 k$ V  F0 k  D" [0 JDDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
- t1 r) B+ d! W+ p
0 i/ w  Y7 v1 j' o. g: {作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,0 ?' V% Z' N. H7 L5 W0 d5 T
0 O0 J" h- s8 _: g5 T
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。$ V+ G, p2 j+ ?$ Z* ]
" o/ e, Z& w2 e

9 G1 I$ T5 i0 K; L' m- E; k1 i3 x

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貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12

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发表于 2015-4-14 15:53 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率# H7 c3 T! F+ P
2 c' E6 a0 U( V8 v) ?8 x  q
DDR4-1600 MT/s
7 E# K: W6 z# x6 J. D  MDDR4-1866 MT/s/ Z( T# \+ ?0 i( k$ u4 A6 X
DDR4-2133 MT/s0 d9 \3 i0 r5 E% _: \: d
DDR4-2400 MT/s& ?! m! J5 v3 v! _) x  l  g
DDR4-2666 MT/s  h, }# b6 ?3 \% z- ?
DDR4-3200 MT/s9 [8 T& a" N8 h6 s
# _1 A7 w: g0 [% y0 T* t
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的8 V: a* ^& q/ g; D5 z  M
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
: `+ S8 x- L" l0 I* V4 [7 k! v换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
- w5 Y/ a6 V- V: N7 v8 y; c3 N4 b& n; W  K) ]

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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