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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
/ V0 K) q1 s+ a4 K$ V

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 . Y" V2 J, h2 u
$ g! k2 m, H8 F; u7 c$ |, u# Y
频率和带宽巨大提升 6 Y6 F/ F  N) e) ^. f$ a
使用Bank Group架构
. C: W, g7 w" U6 |
; N6 x' u# R; n/ M7 Z  H! z, g: h6 `3 G5 y, c
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
9 {4 [' a4 \- ]7 @9 h" C) ]7 e# U
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
! G4 r) w' R/ h( j

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
1 r0 h2 R3 L* s9 X; ?. e
1 R: Z/ ~+ x2 m* }$ o% VNO 6 关于DDR4的电压
5 l( G* j$ ]$ Q- r4 T7 X4 Z/ ^, f8 p! `" a
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
% [+ U; z; w( P' ~; y
( ?* h* ]  }+ ?- _; K. }8 Y电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.' w" ~! m0 |3 O* D

# I( b6 `  G7 O. a! X" |移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。/ A7 X4 _8 l6 L$ k
. ^0 R' p& n3 S7 d/ f  v: O

! M$ X. _: m. e3 d& h/ _
! Y* D$ i- H- G) h

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
. [; L* b2 p8 B) Y0 V1 T& r4 U& J# ~" r: S1 J; Q' Q' `! G7 i
4 S0 i, E7 A- R
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
& H$ D$ Y% Y3 V, S$ x# ~举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
7 N! l* m! v& e; b% t9 D* [9 t$ R9 L; d" T; v0 {& @" I# i3 x( V  K

( P5 f* P2 g$ k8 u6 I2 f, i, Y1 q5 {
/ Y% |( m4 n: u               3DS堆叠封装技术8 P5 u8 b% E3 g; q9 s9 ?4 ]

' Q, b) Y1 M8 u8 D9 u/ h
, Z  K7 }; E- F7 m' A/ a' [

; n1 N, J2 {; X+ s+ m( K" F
9 Y7 l$ c' ?! [/ R3 |
- O& Q; N2 [3 O0 N9 _7 j* s- @
% Y7 \/ i8 d% M( w- t9 n+ K, _: \
$ e9 H+ \' Z8 \( }' m8 A* f

$ M) S2 `$ E( h- z) s. K

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景! I; s$ v$ }: J
& p! ^; u# G4 [2 l1 \! c
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
) v6 i- n) _( K4 u- a
  E1 f* K3 V- c% s# ^6 s+ E(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
# O& `3 m$ b9 o  Q3 [, h+ C9 v) d! H$ z4 }8 {* f9 K1 }
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,4 J7 H6 Q$ y! l  X1 }& |

, {" I: ~3 L% K; o! o现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
. M# b6 J2 y8 J6 }  r& H% c  o0 D

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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发表于 2015-4-13 16:18 | 只看该作者
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专业服务(价格面议):
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发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:115 A5 M6 `& m2 k  `' p& x4 U
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

" U, k; g3 a" e7 O准备慢慢写。
- G( E, E1 \2 C1 ?' u% d# G

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发表于 2015-4-14 09:16 | 只看该作者
恳请赐教

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发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 # n5 A& [3 ~$ D, R# j

( q/ V) f  f# H4 MNO 2 处理器的升级
9 n  {* k) u3 h1 |. h3 R
. Y6 y: ~. g) Z% i' x( t7 [4 y" R 3 a$ T2 B5 k5 d4 [
        i7 Haswell-E架构图解' Y% X. C5 m3 P( \1 I  K" m" z
  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
/ B2 ^7 G% p" n1 s: B/ n* H5 J1 j8 @+ E) u4 g3 h
DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
( b; v$ S3 t/ D; F* [- D' N, H+ I' Q8 O9 y! |' k, E
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,
! D% J* n5 t5 F# A% a* j% F5 D/ {% G( i, {% J/ ]# G. A
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
8 C8 u0 c1 F0 ]# R! R
, |+ ?2 X" l- [: p3 W* r- O8 |6 t2 N" t* Q( \

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貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率
7 w0 w7 \+ R" [$ E! u
6 Y  I( Q& P" B7 L* W; YDDR4-1600 MT/s/ w: K! t4 {5 D7 U+ I$ ~1 G' O/ C3 |& ?
DDR4-1866 MT/s
9 _8 y: e: w% Y2 Q* j' w: CDDR4-2133 MT/s7 l# ^0 L+ _0 T" R, f: S" S1 _2 o
DDR4-2400 MT/s
; X2 J! V- ~3 X/ f: KDDR4-2666 MT/s
& Z/ W  m* i7 N1 z9 kDDR4-3200 MT/s& ~8 ?! V. }* X7 I6 i

9 U+ N  x, u! R: u; ~科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的5 k) K& c' D" o" Q0 D
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,: a% f6 \5 e/ m6 t! j' J
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
- n' |# B+ @* k4 B" {0 S' _; I% @2 Q, t# P/ ]1 N

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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