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三极管参数选择

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发表于 2014-9-1 11:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如下图1和2是三极管的参数在设计偏置电阻时,电压3.3V,电流iIc是按照图中那个来计算?
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发表于 2014-9-1 14:00 | 只看该作者
做为放大用?还是开关用?
9 A. ?/ D8 n3 Z% I3 Z$ q: {图1表示的是集电极最大的持续电流,超过此电流就会烧掉管子。2 x% j% |9 g5 d$ q

4 U1 v- d, p. K' F, r/ y作为放大用的话,就看具体的要求偏置,内容比较多,不是一句两句说的完。& C- H* W: Q' P6 |5 E! x' u; \
如果是开关用的话,就是看饱和电流,设置ib>(ic/hfe)

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 楼主| 发表于 2014-9-5 08:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-4 13:57- Q( q0 F4 t) F2 e& _- S
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。' G9 s8 e/ S7 O! v
饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进 ...

  I- Q. L' ~1 w4 P# ~这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知道怎么回事

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发表于 2014-9-1 11:40 | 只看该作者
没有图片,图片用附件形式上传。

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 楼主| 发表于 2014-9-1 13:29 | 只看该作者
不好意思,漏掉了

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2.JPG

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 楼主| 发表于 2014-9-1 14:30 | 只看该作者
caseyxie 发表于 2014-9-1 13:51
/ N1 `6 I6 D: H$ B# m简单的计算方法就是ic=hFE*ib;
* l% z8 @8 ^: s5 X6 Y
问题是在这个规格书内怎么选择Ib,那行的参数为准

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 楼主| 发表于 2014-9-1 17:19 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-1 14:00
# C' W5 E4 q5 w4 i6 d8 y  w做为放大用?还是开关用?
* s0 q5 f; ?: }3 Q4 w0 m图1表示的是集电极最大的持续电流,超过此电流就会烧掉管子。

4 O* W2 M8 y* b6 s% r做开关电路用的

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 楼主| 发表于 2014-9-1 17:41 | 只看该作者
如图B按照10图进行偏置计算
) }* l9 G  @( U' v% M已知VCC=3.3V Ic=150MA Ib=15ma Vce=0.3V Vbe=0.6V
1 `2 H0 S2 a3 @1、Rc=(3.3-0.3)/150ma=20R/ x8 t8 b; Q0 v% L1 f
2、R1=(3.3-0.6)/(150-15)=18R. M% o) o1 P! j# G. k) X0 J. N
3.R2=0.6/15=40R- _! s3 f. P9 @% P5 h& j
这样计算正确吗?

b.JPG (12.37 KB, 下载次数: 0)

b.JPG

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10.JPG

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发表于 2014-9-1 17:44 | 只看该作者
简单一点,不要搞的那么复杂。; b/ e# \' D" @5 e" b

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 楼主| 发表于 2014-9-2 13:01 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-1 17:44  H3 O3 K1 t/ W% i' p, x% R( _- P+ z
简单一点,不要搞的那么复杂。
+ A/ w& |+ J+ y& ^6 F
还有简便算法吗?

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 楼主| 发表于 2014-9-2 13:01 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-1 17:44" N/ p( m( W3 |( }4 U
简单一点,不要搞的那么复杂。

/ Z4 X# T8 b; c, D9 i可以指点一下吗

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 楼主| 发表于 2014-9-3 12:32 | 只看该作者
太简单了吗怎么没有人分享一下呢

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发表于 2014-9-3 16:29 | 只看该作者
hello ,楼主,你需问什么问题,请说。

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发表于 2014-9-3 16:30 | 只看该作者
是三极管,开关电路的设计吗?你把你的要求说出来。

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 楼主| 发表于 2014-9-4 13:31 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-3 16:30
6 |' `4 @$ ^4 `* u  `+ K  v是三极管,开关电路的设计吗?你把你的要求说出来。
* V; l, j8 m4 c: ]- v+ Z- H8 j
是三极管的开关电路,具体参数就是上面三极管的规格书,供电3.3V

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发表于 2014-9-4 13:57 | 只看该作者
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。
0 S6 `" b, c: c( y% d+ [饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进入深度饱和。
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