关于在SIGRITY中处理trace和shape结果差异的疑惑

xhyzjiji

在实际的仿真中，当我把PCB板上的trace转给shape后T提取Z参数，POWER SI仿真结果相比较直接作trace处理存在一定的差异性。
* T  g9 j: i; s1 G0 u& O这个在高频时候的考虑我还认为可能是作为TRACE和平面的计算公式不一样所导致，后来在POWER DC中计算直流电阻都有很大的差异。
" R9 B, a7 ^) G& V当时的回路电阻trace改shape之前为13毫欧左右，改了之后就12了，差别1个毫欧。
9 {7 D+ S  f; b+ n9 O6 C% E0 v我换了几个PCB文件之后仍然存在。

可否有人帮忙解释一下？
在POWER SI中差异的理论支撑来自哪里？
4 h" ^) g8 T0 A; G, M在power dc中回路电阻的差异又来自哪里？