DDR2的Refresh count参数

wayne_likehome · 发表于 2012-5-24 09:59

EDA365欢迎您！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

请问下这个参数代表什么看手册上写的 Refresh count=8K指的是什么意思呢？？？

lxizj · 发表于 2012-5-24 10:10

DDR2_JEDEC标准里没找到这个参数，能把具体的图贴出来吗？

wayne_likehome · 发表于 2012-5-24 11:17

lxizj 发表于 2012-5-24 10:10 2 E- s5 _; S( o; @
DDR2_JEDEC标准里没找到这个参数，能把具体的图贴出来吗？

OK
麻烦帮忙给看看

wayne_likehome · 发表于 2012-5-24 11:19

这是micron 的一款ddr2 颗粒
MT47H256M8

lxizj · 发表于 2012-5-25 15:17

本帖最后由 lxizj 于 2012-5-25 15:20 编辑

DDR内存规格规定，电容的电荷存储上限时间为64ms，而刷新操作每次是针对一行进行的，即每一行的刷新时间为64ms，而内存芯片中一定数量的行以L-Bank表示（见内存工作原理与物理特性），每个L-Bank有8192行（见内存硬件手册),因此对L-Bank的刷新操作应该在64ms /8192 = 7813us时间内进行一次 .
上面是在网上找到的，我的理解是颗粒的刷新是以块为单位的，8K是这个块的大小。整个块必须在64ms的时间内刷新一次，以保证数据的不丢失。
但是我在DDR2_JEDEC标准里没有找到这个值，不知道这么理解对不对。

qiangqssong · 发表于 2012-5-25 15:53

搞不清楚，DDR这块的参数太多，很多都不太理解！！！

liuz0925 · 发表于 2012-5-27 22:08

一般来说，SDRAM的刷新为一笔refresh cmd刷新一个row，而在某些大容量DDR内部，一笔Auto refresh刷新2个row。为了便于计算，micron的datasheet里一般都有refresh counter，即多少个cycle整个颗粒刷新一次。计算时用64ms/refresh counter即为Trefi

		自动登录	找回密码
密码			注册

DDR2的Refresh count参数

EDA365欢迎您！

推荐内容 /1