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【讨论】滤波电容和耦合电容

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发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??
1 q! v9 o6 M4 ]2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:; Z* c9 |, \6 E
1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端
, A6 |; @8 r1 w. ^5 y% z! b2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作
, q, C" W5 a. w' O* c
, v7 U- r3 `! z9 y' J2 }+ _请大家拍板
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发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的
7 S  E! c, m  J8 q你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~5 y# y5 A# m! I: Z& n& l
何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?4 M5 c+ V1 J& k, x8 w- `
负载有关系吗?
/ {9 i2 ^# C7 H9 H3 |* [请高手解答
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发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵8 p! P) w9 n4 w- x  P0 m1 L
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?* S* X4 @" {7 u
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
5 J3 B( `+ s. y1 i! {/ c0 U现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵8 X, p( J6 V% L& x/ i; `
原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~
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 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线- D+ J4 ]- P6 L" @! C
因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了
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发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵
! ^! P2 K) W9 ?楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
' r, U, b1 m, L在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
+ v3 b& p. Y) `0 u' g现在的工艺中电容容值比 ...' _# f9 f$ Y( t3 C4 a$ u  |$ ]! O
Juger 发表于 2009-9-1 20:08
; D1 S5 O# ~1 f! P+ @4 K0 F6 [* B

/ N6 M* [" A* M- U最后的说法是不符合客观事实的4 @, q* t7 y/ Z- |/ j& u9 [
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大+ S2 O( e3 M" X# w! \) N
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多. P0 w8 n4 G6 I' ^. K
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
" j/ M9 d0 z& m: ?6 q当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR- F! K# s+ j6 H; l: ^
而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
, i2 C; i7 \( W6 X) T- ]* l可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的
& a# A& x( N. ?小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大/ {3 m9 J' ?6 b9 l# ^& b
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多6 V. r5 k3 G& z$ M, j* W
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
- m) e% a; }2 c当 .... Z/ k; O$ R8 J7 f+ C2 o! Z
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

& v, v& A' b* `/ F! k
/ c1 P- j0 C7 C- F. A既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?
2 ]$ @6 a" m- p- W请问有相关资料吗?; \9 P* Q+ c1 w! A
那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
  r, h; A; _* y9 h5 l! [5 w找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊
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发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。. U. m8 @3 h. \) \
% ^8 d$ [3 n+ [# `/ ~* Q# c, `* F
主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。9 i* y! {/ `) P' O8 Y- u# q1 A
& b% M( z% y& m" W  L
大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

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发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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