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【讨论】滤波电容和耦合电容

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发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??5 H/ O# t2 m5 ~; a
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:
2 [1 e; I: `: n+ d+ G0 h1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端- k8 L& {9 Q7 z2 u5 v+ H
2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作
( C6 |$ `0 x5 t5 b' \( @) I" {
/ Y+ z* V8 m+ b) W6 V! g请大家拍板
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发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的# o+ Q% c1 h% H0 L! }
你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~2 K2 x0 L& ]* V% {3 ?- E
何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?4 A( j0 |; _: M! X
负载有关系吗?6 _* C# a& \( s5 J. v
请高手解答
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发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵
' ~- E; R( x: }) K! n$ O4 t楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
! ]- D* {5 T/ ?9 L% O. z在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果: F5 c' g* H& e6 U% G7 V2 \
现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵
, T" f4 D3 X; h" _! F5 u" Z/ O原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~
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 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线
; [" D, U3 K5 c1 o% Y2 H/ @因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了
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发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵/ D3 i2 B1 Y$ o7 [
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?* H$ e" t; o2 l9 b; T
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果/ u+ f. V7 O" k. }4 @& c
现在的工艺中电容容值比 ...
/ g8 n3 m6 _! J0 Q: SJuger 发表于 2009-9-1 20:08
2 g" A; l  y" h4 s2 r

, D; ~, e/ `3 Q* H最后的说法是不符合客观事实的! K) C2 J; h- I% @1 E- v- k4 P( c% k
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大& [8 v9 g' w" q5 J7 m: K  M: {5 o: b- d
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多9 X6 g! C6 D/ z5 Z8 }& Z0 E
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f, @  @: Q6 A; R2 V
当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR. p. g9 e1 V; H/ G) k
而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
7 I. T0 o" `0 O1 O5 s可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的" U; g9 Z( T  m4 E) u
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大$ N' Z. D0 M2 o; h
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
( o) h9 `, f& P" ~4 U, H1 D( M电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f# ?$ n) W% B9 d2 H
当 ...( @/ O* T  t- A  G# u( U
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

4 B) c. `, p( n' ^$ ]0 I0 ?/ U. H/ s1 V: S
既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?
1 Z0 d& B5 U" a3 O5 r请问有相关资料吗?8 d% l4 y8 y& L3 ]  D
那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了8 t/ R9 {7 ^9 K. j' w: D( p
找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊
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发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。
% m/ F3 i: N( j; p5 s& R1 e
& n! W  a; Q! j( p; K+ z6 z; _主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。
; k$ D  Z7 a& c
+ }- w; z5 b* H" n' H大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

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发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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