|
原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表
% @* B4 o( ]2 I. J) q什么是IBIS模型* `! Z4 y3 R/ `9 w7 U- L. a
IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法,是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准,它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ...
; }: \+ b& v3 U3 |5 {; A
Q1 Q3 K+ f$ N: e% X6 o. M% M文章里面有些地方讲的不合适。& D1 o6 `8 q! c1 Z; i, v
IBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性,VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外,还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。' q3 o, Z$ M8 a) v/ x8 `% P, i9 d
不同类型的buffer,IBIS有不同的VT和VI曲线个数。9 I$ d0 O( y- s9 \
比如对于Input buffer,仅仅只有VI曲线;
* h) I- F9 Q S8 L) K对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线;* k: ]5 X/ j2 ^$ Z- u' |
还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。 |
|