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原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表 ![]()
! c1 z Q. p6 B# k/ Y什么是IBIS模型$ v O, S/ N! }' w
IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ...
8 `% N; k2 w1 _- j% C4 b
0 b x7 k. M& z* j' C文章里面有些地方讲的不合适。
, D, x# t c" y3 C0 ~5 C/ x) {/ zIBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性，VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外，还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。( C1 n5 o h% B4 p
不同类型的buffer，IBIS有不同的VT和VI曲线个数。
! m, I- f0 { s) M比如对于Input buffer，仅仅只有VI曲线；
- ] C. o7 C. [3 Y5 h对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线；
( P, P+ h$ B, g* Y* r. X. C7 P还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。 |
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发表于 2008-2-29 22:03
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