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时钟电平可否改变?

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发表于 2009-4-14 16:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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file://xiysdn04/ifcx/COM/07_Functional_Groups/05_CV_Component_Verification/05_Transfer/BaiWuqi/3.bmp 今天想到一个很重要的问题,盼高手解答,谢谢!# }- I, ^7 D! b9 p" D0 X
我们知道手机基带芯片现在的电平幅度越来越低,很多模块用到1.8V,1.25V和1.2V的,但是外围芯片往往是3.3V power supply。同样,一些memory采用1.8V power supply,而memory controler 采用3.3V I/O voltage leve了。这样搭建外设的时候需要用到BUS Switchh或者MOS管把低电平信号拉高到3.3V高电平信号。但是请问对于时钟信号,这样做也可以吗?盼望高手解答,谢谢!
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发表于 2009-4-14 17:23 | 只看该作者
如果电平不符合,说明你芯片选错了,如果你选带DDR控制器的controler,那么他的这部分接口电平一定是1.8V还是2.5V的,如果你选DDR2的controler,那么接口电平一定是1.8V的。
9 A% e/ i: @, u" R4 P9 G
3 T3 A- m9 @8 v! O# _3.3V的 I/O只可能是SDRAM。

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 楼主| 发表于 2009-4-15 10:26 | 只看该作者
谢谢版主回答。我的意思是如果我的芯片I/O电平为1.8或者2.5V,而外围芯片却是3.3V的,比如一些门电路。这样可以用MOS或者BUSSwitch将信号从低电平拉高到高电平,那么这种方法对CLOCK信号是不是也适用?

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发表于 2009-4-15 10:45 | 只看该作者
信号如果是低速的,30M以内应该没问题,不过设计吗,就是要求统一性,你能保证数据的buffer和时钟的buffer有同样的延迟,jitter,温升特性吗?
" |+ x* \6 d2 W5 E& _不过100M的高速buffer也是有的,价格吗牺牲点。

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 楼主| 发表于 2009-4-16 10:20 | 只看该作者
4# liqiangln 4 e1 T/ d2 r( W% \. e* {* J1 [
* W! w% u5 \  Q; I' p. n0 G3 V$ {
难道数据和时钟需要使用不同的buffer?我的考虑是为了使delay一致,时钟和数据都是用同一块buffer,或者至少使用同一类型的buffer.
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