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[PCB] 围殴DDR系列

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发表于 2019-9-27 15:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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文 / 黄刚(微信公众号:高速先生)
, ], N0 m1 [  q, W( j5 ?5 S; r; I1 I; S

6 [4 a) T8 z) e! m! o4 d好了,大家最关心的DDR回顾文章来了!我们高速先生见到的每个板子基本都有DDR内存模块,然后大家也知道近一两年来我们高速先生做过的各种各样的DDR设计可能比你们加的班都还多哈~~我们可能会比几期的时间来全方位的回顾这个相对庞大的系列。* Z1 }' N; M& f2 ^6 p2 T
2 ]3 ~. r: |- J0 P1 F' _

: _8 @. |: I( V. y- ^2 ]3 v01
( M; g3 ?/ \- O4 T' w! Z5 n% o. o
  H9 l6 K9 s0 G! ?  h3 \  v2 F6 q! \  A8 L7 l; f- r. D
首先我们先给出DDR系列的整个文章框架《DDR系列之开篇》,从基础理论介绍,布局布线规划介绍,设计及仿真分析以及后期的测试及调试上的一些案例介绍
# o# h/ }6 A3 t& J& F) |- ?( b7 k" ]3 K% W
  h$ c- A: B" M) Y4 R) B

. w- h9 J2 m* z+ ~
' @3 I; j  ?/ z& r" V: o2 R) Y' v02
5 F  _* p$ k4 \4 ^1 m0 G& m, t! Q* u  ~
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然后通过《前世今生的一》《前世今生的二》来看看我们的DDR是如何的发展。2 G- i# W9 G! y. }

8 o) _+ J) T' y2 t
% B# P8 b7 E5 d5 v2 |
8 P; [5 F( H' m, o+ Z+ D& a4 w, B' r6 ?: w9 d2 ~
03! p5 Q6 E5 y! b; @/ H, q

/ i7 G8 M# q! c3 S8 D  N" S
  b' {; {9 ]' ~! p. q( A: ?然后我们花了3篇文章的篇幅《DDRX的关键技术介绍(上)/(中)/(下)》来回顾DDR的一些关键技术。例如差分时钟,ODT技术,大家看了很久都不明白的读写平衡技术等等。5 ]' b, {) @* _6 y( e& S- Q+ u

& H+ P3 l+ ~9 n9 B# h$ w1 v9 ^* r. x1 ^5 v& a4 x

4 W; ~: c- f# d- }  b( |; N% N5 G1 S
04
7 G0 g  g& B! L6 R+ S4 @* H5 d5 P* b' ^8 S/ e' D1 r1 M/ q$ O( r, x

* n7 ?* ?0 o) O$ Q# B接着我们通过大家都不喜欢去细读的DDR的标准来帮大家甄选出其中的精髓,《走进JEDEC,解读DDR(上)/(下)》。我们会带大家去看看DDR的电平标准,怎么判断是否过冲严重,包括大家一直都比较迷茫的时序标准,什么叫建立时间和保持时间,如何去看和算裕量,大家都可以在我们这两篇文章得到一个很好的答案。. E# {: W$ l: j% q
4 t( s! s& B- G: N+ e" `

0 r/ [+ r( Z. @) Y, @  X
+ d! S; l( H  j# o1 J  e# U. D9 s7 T$ T9 o9 J
  a6 k7 Q/ u7 c* n% X$ y& B
6 o- `) X, l  V$ U5 J8 a- k
DDR系列是一个大的系列,我们会慢慢去品味和解读,每一期都不会一次性塞所有的文章给大家,本期的分享就先到这里,希望大家能够慢慢的去消化吸收哈。" c4 d. i# h# I/ s  f) M
' O) `% h% r8 q' c' x3 O
$ T& V9 l; D% N* y

7 @( |: q! L# K; X, g+ Z3 W* ]! q: H9 V
————你可能错过的往期干货————
2 i; M7 y5 x! y; w# V

0 i0 Y( u( ?9 e4 [, V# e) c6 B3 l
( S1 `& V* r3 Z, W' m" |  V/ b9 w' w9 Z3 h, h2 K4 Z3 z

' z, G! t/ t+ N4 f  n6 b. I) \1 m6 c% ?: C0 ]3 N; T* K7 }
没有测试的人生不完美; `! Q- I1 G! V
不等长,毋宁死?
) G  Q# ?7 I; r$ c, m; ?7 F宝藏文,高速先生所有原创技术文章,戳戳戳!
' \9 G+ b( {: I
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