|
|
EDA365欢迎您！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
1月31日上午消息，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用闪存存储) v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。1 w" X$ O2 H, i. V: f
! w7 U# ]8 h) g3 q2 \
* _% L( D: {9 g$ S. t: e简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。3 x1 u( L# ^ P/ V. T v' j0 ^
: ?5 J( ?1 p5 `* ?* p( O+ ]8 O" y1 \; J P( U
1 \+ J7 q8 o2 b' M
$ z. _7 B& `8 G6 ~2 E
. K3 R" _' G4 v1 M" j! b3 ^3 A2 |+ g2 n. F7 s由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。$ ~- r. x- X( E4 p
5 l- V! H; W) g
4 V0 U- a; N) _# i7 F# P( ~互联层设计方面，严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。3 V- N$ s) r+ d. P- V! ~
: {2 }: {" s" T7 I7 k% p
2 C' j+ S* E9 g2 ?$ S+ \* S其它方面，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。. J0 ^" W8 ^$ q) G* k0 p$ Z2 h
$ E7 C5 r X7 O$ V. d# }* S' B" X+ J# u9 s0 y
至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考，用于简化通行设计。" G% u) V4 T* s" a: }1 T, _
; G4 @6 Q- F8 E# d& J p2 h9 S. v
, i& ?( k. g& e
至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。1 r, a9 O- E G
+ R, }, I7 t% N% e
3 M; b+ Z: D$ c2 M1 q4 e. @
" g* C# |2 t" J6 {& v
3 c: |0 M$ z7 E7 }1 w, A) {另外，三星已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。 |
|
/1 
发表于 2019-9-27 15:10
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！