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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications
* b# H, v( o3 p2 D* {8 r 2 p6 v/ l5 q; q5 a
Performing time domain analysis to confirm designs meet specified targets
6 s. {, M7 A8 r% [( fSPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。( ]" l. _6 M/ d
Understanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities0 U: F" P8 F6 F9 Y4 V
SPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。0 y' N  L  I8 Y) t( g; H" `
Assessing various decoupling capacitor implementations
4 _# l7 o* B6 ~# l' |不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。
7 q# U8 a# O; ^Simulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options5 o6 {! D8 D* ]4 o6 L% y5 d
快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。
3 Y- f/ N0 |/ v2 ?8 v! HIdentifying package and board resonance and radiation harmonics
, m6 C& p8 R$ `4 {SPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。
) j+ t4 {* ]& m==========================================================$ N0 y* u8 j5 X2 t: W
PowerSI Applications
9 w  {2 i) Z6 L- V3 d) B 7 C5 C/ _. L& \% M. N' J
Establishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards) s0 Q" V1 c3 d, n. X" g
提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。
/ Y, Q4 c  o/ z4 EEvaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement2 @' f% L" Z& S  Z4 `6 `
PCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。4 o3 g; {& Q$ S; p* ~7 D, a
Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation2 f7 f6 V9 k# s; ?6 G4 K
PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。: b  C' `2 f, A+ B0 G
Anticipating energy leaks with near-field ration display
0 z1 z" j* Q$ m% g  b经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
: r4 L- }3 k/ q7 _; M+ m6 ]$ OAssessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
1 M9 h* i' f# l3 _9 c' }+ {2 A使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。( v: ~8 t+ ]* K5 c6 K
Broadband modeling including accurate DC performance characterization
3 q% f2 n: A% Q# d5 w! o使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。" K; S, V( F8 ~2 C  D+ f) F% K
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