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DDR2数据线分四组:" n) m p" }% x4 k2 u; d Z
1组0~D7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P% i: @3 R o; g2 m4 z! r- \: K5 u
2组8~D15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
# f. v" l& W1 y7 r8 ?1 R3组16~D23,DQM2,DQS2_N,DQS2_P
6 b& B7 t: N/ V4 H, h/ Y& }6 G4组:D24~D31,DQM3,DQS3_N,DQS3_P! S. F5 q6 d; Y: k# c c7 `* w
" ? P9 d% n. ^+ L- U5 O3 {( _- p
每一组同层同组走线,过孔数量应一致.误差不超过25mil
) G3 _2 p% {$ V' T9 d4 ]% j( T; c- X
地址线:A0~A11
4 y( A% O( |% i- R6 x: E" [
8 g0 R1 B$ T0 g( M& b控制线:WE,CAS,RAS,BA0,BA1,CS,CKE
6 m2 Q) O# F) {4 L6 ?4 D+ n2 A# [8 v. j+ b0 x0 Q; Y
差分时钟:CLK,CLK#
. l9 ~1 n* m& D* R
0 x1 n" s, P* I8 ?地址,控制,差分时钟可设置为同一个CLASS,布线拓扑结构优先采用远端分支(T形)+ Y0 {, a G0 w
) \; B# M, C" O/ O
误差可用100mil9 h4 o2 h* n5 u9 R( s! G8 f' o) V
7 W, J3 S. D4 c9 A" V
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