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[Ansys仿真] SIWAVE 仿真遇到的疑惑

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发表于 2010-2-25 16:45 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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我在对一块8层PCB 上的一组微带线进行S参数的仿真,发现与实际网分的测试结果相差较大,线宽,叠层和材质都是按照PCB板厂提供的设置的,而且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反,不知道什么原因。另外板上过孔在仿真过程中怎样设置。请哪位高人指点一下。
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发表于 2010-2-26 23:12 | 只看该作者
我會比較相信网分的测试结果。4 j) N! Y1 o$ A+ o6 K
且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反 ==> 會不會是 Port 看錯或設錯?

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发表于 2010-2-26 10:14 | 只看该作者
应该是科学可以解决的问题!

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发表于 2010-2-25 21:08 | 只看该作者
首先你说的仿真与测试结果有很大差异5 N& [, o# }7 W2 e' k! Y
Siwave进行微带线的S参数提取,得到SnP文件% h2 H; C6 ]: v! e1 a( @/ v
但是你的测试环境是怎么样的呢?
3 {2 m" L+ f, y$ P2 M用VNA么,微带线端口有SMA接口么?
& T( x: i1 {7 r# N% n. k9 \3 @( J# C; V. S( _  q5 {1 D
不介意的话
* \8 R( ~& J. M4 B" G( d% X9 _3 P把插入损耗和回报损耗的测试波形发上来看看就明白了6 a( R9 @" k! H
完全相反倒不会
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做
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