ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

Iphone

0 g5 o, ~: M  w, d6 q& ^
有哪位朋友用三星的ARM板设计过？——CPU:SC2410，SDRAM:k4s561632c，你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加电阻呢？
我设计的这个PCB，没有端接电阻，仿真时(133MHz)，时钟信号波形质量和CPU写的时候信号波形质量度还好，但是CPU读的时候信号波形质量就很差了（跨越门限），如图；
加了端接电阻之后仿真，波形就好多了，但是我又不想加电阻，占空间太大！
各位设计的时候CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加端接电阻呢？

jang2lin

Iphone 可否把你的模型共享下
- S5 Q& D9 ~, p. b' Q

chuxuezheyao

楼主，问题怎么解决的？
$ T2 f) B2 X0 K. t: v0 _! r我也有这样的问题，过冲没有你那么大（CPU：LPC3250，K4S561632C），但也超越门限值了，
通过仿真发现，要匹配至少47欧才能达到要求，而且要靠近SDRAM放置！

cindy0924

回复 wzh6328 的帖子
- W/ ?- _/ O3 W* v* x  B
: u$ [$ i0 f2 m) V& q标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧

cindy0924

我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.

liuzhenyaEDA

我也想这个问题呢

iversn

学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的，用什么软件，要哪些模型，谢谢！

honejing

不想加端接，就要調你的特性阻抗，Z0儘可能小些，过冲就不會那麼大。

wzh6328

线长在2inch以下都可以不加，好像说不算做传输线

Iphone

这种事情千万别参考别人的端接
要以自己的实际情况为准
9 I4 A8 V* n$ k) s' h7 \9 A! f有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借 ...
- s* W  q9 w0 m" `2 o袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43

- o9 B0 R) {, P) e2 V! f/ g    呵呵，谢谢您的建议！我理解您说的！
在读状态的时候，SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右，按理说需要端接电阻（当然大小要视您说的实际情况来定）来和传输线匹配，以消除反射；
我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢？

袁荣盛

这种事情千万别参考别人的端接
8 X# G, Y7 D  a# w- s要以自己的实际情况为准
有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借鉴
3 i0 t! n$ B8 e+ v: Z
+ c% }1 y! O2 \/ Z$ P& B3 T- m首先叠层不一样，线宽不一样，导致阻抗不一样
2 ?8 A7 w7 b# }: a$ I* V其次线长不一致
再者，可能驱动源的驱动能力选择不一样
- R3 W- W/ r8 v$ E2 |' k种种情况表明端接要联系实际去解决
不要参考

Iphone

呵呵，就是
- y4 D; k. m/ K# R: Z我是想加端接电阻，不过我看前人做的都没有加电阻，不知道有没有朋友设计过这款ARM呢？

袁荣盛

这过冲忒大了点