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1、不同的传输速率$ P3 p8 p7 v: M9 U8 Q7 q
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此外,速度也从3200MT / s增加到了4266MT / s(无OC)。这是由于I / O总线时钟(1600MHz至2134MHz)和内存阵列(200-266.7MHz)更快的结果。命令和地址总线已保留有6位SDR空间。最后,它占用的片上空间更少,单个封装最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能与LPDDR4向后兼容。即使设备与更快的LPDDR4内存兼容,它也可能不适用于LPDDR4X。0 k* r- K9 Q3 t. W3 q* Z
LPDDR4输入/输出接口的数据传输速度高达3200Mbps。LPDDR4X采用超薄高级封装,在提供与LPDDR4相同的速度的同时,还可以加快多任务处理速度并优化用户体验。$ V7 ~: U' `8 R/ u
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2、不同的功耗1 w: ]- j3 S& k9 D' v4 \
类似于DDR5降低电压和功耗的方式,LPDDR4X的作用相同。它将I / O电压降低了50%(1.12至0.61v),从而大大降低了存储器以及存储器控制器的功耗。
3 n( f/ s. |. J b {LPDDR4低功耗解决方案,与LPDDR3相比,功耗降低了37%。LPDDR4X的卓越节能解决方案在性能方面比超快LPDDR4进一步提高,与LPDDR4相比,其能耗降低了17%。, \/ L4 K/ m3 w& W5 d! ~4 C& y
9 G5 I0 v( r) D) b/ a* Z总结一下:) @/ L0 O u; y1 v# K* I
LPDDR4X可以视为LPDDR4的节能优化版本。它具有与LPDDR4相同的频率,带宽和工作电压。唯一的区别是封装上的电源引脚设计和测试规格不同,并且功耗得到了优化。简而言之,LPDDR4X内存是LPDDR4节能的优化版本。功耗降低约10-20%,更有利于节电。
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$ q6 Z3 e* _. }LPDDR5 与LPDDR4X对比呢?
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6 J |( l# `8 i' A. \3 W2 l2 {LPDDR4
2 H- y( [2 Q7 y) o1 J# @7 {$ b总线时钟频率1600-2133Mhz,架构 86x,电压1.8/1.1/1.1V
. K. X1 \( l6 P' P# D1 E& i* lLPDDR4X
) d3 g, E* a- s0 I+ i& o$ m总线时钟频率2133Mhz,架构64x与86x,电压为1.8/1.1/0.6V
@6 J) `! c. ~* M7 n, xLPDDR51 z3 v: i; d; p) W3 ~3 h( Z
数据速率3200Mhz,架构64x,电压1.8/1.05/0.9/0.5V
2 T7 q# R/ U8 ^9 M4 g就数据传输而言,新的LPDDR5大约比LPDDR4x快1.5倍 。LPDDR5的传输速度为51.2 Gbps,频率为6,400 Mbps。
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7 e1 ~* O, D/ n" r) {+ z8 ^1 NLPDDR4和LPDDR4x通过使用32bit双通道架构(2 x 16bit)提高了。LPDDR5将移回单个16bit通道,但是,每个通道中的存储体数量已增加到2倍。LPDDR4X仅支持Single Bank Group,而LPDDR5支持多Bank Group模式,这里可以理解为数据传输从单车道变成了多车道,进一步提升了传输数据带宽。 ~2 j1 W- X- Z) p* p( ?6 w
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由于闪存速度比CPU慢得多。为了提高速度并防止出现此瓶颈,DRAM使用了一种称为预取缓冲区的技术。增加缓冲区大小可进一步改善此性能。三星和镁光的LPDDR5使用与LPDDR4相同的16bit预取缓冲区。为了提高数据速率,LPDDR5使用存储区分组,这与LPDDR4相同。* E4 F- r2 X$ X& Q2 p) k2 g
在功耗方面,由于降低了电压,并且LPDDR5具有DVFS,深度睡眠模式,DQ复制和WriteX等新节能功能,使LPDDR5的功耗降低了达45%。
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另外就是LPDDR5价格昂贵,目前只有高端旗舰手机才使用了LPDDR5,大部分还是使用的是LPDDR4X。不过,随着技术的不断进步,LPDDR5正逐渐取代LPDDR4X。- s, I8 U3 g, d1 ^$ a
简单点来说,LPDDR5有三大优势,分别是多车道Bank Group架构、速率跨越式升级最多可达50%性能提升、超低功耗。目前阶段来看,LPDDR5好是好,可是对手机的性能并没有非常大的影响,所以使用LPDDR4x的小伙伴也不要着急着换LPDDR5。
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