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[PCB] 围殴DDR系列

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发表于 2019-9-27 15:12 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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文 / 黄刚(微信公众号:高速先生)% C- T6 ^; w4 Z4 V6 y

4 k0 n; Z' k& R! Z' U& l/ v
( b. T! O& G% W$ i( t好了,大家最关心的DDR回顾文章来了!我们高速先生见到的每个板子基本都有DDR内存模块,然后大家也知道近一两年来我们高速先生做过的各种各样的DDR设计可能比你们加的班都还多哈~~我们可能会比几期的时间来全方位的回顾这个相对庞大的系列。# o4 y. H+ [6 o% k" x8 g* v$ a

- J" `  ~3 P7 F: ^# v; \  }
+ Y) b9 m$ y. ~) w) a01
0 r1 p" m" X( e# O6 {
- C# g/ F3 i+ g. ~2 x2 x! {, w9 k1 F' {2 _) G' ^
首先我们先给出DDR系列的整个文章框架《DDR系列之开篇》,从基础理论介绍,布局布线规划介绍,设计及仿真分析以及后期的测试及调试上的一些案例介绍% B7 n: W' l7 m' g; \  Y* F5 y

4 M0 H3 A2 l# b6 c( e
4 q! a/ k- I3 B
) K8 R+ e; D3 s$ L1 w5 Y/ d9 V5 p% w
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# D. F- L5 d. d$ o+ v/ A3 M然后通过《前世今生的一》《前世今生的二》来看看我们的DDR是如何的发展。, m' q7 u$ V8 v: `' U, y

5 {7 }: L9 n% d4 w9 g
5 Z6 Y6 W, M3 T+ A
1 l, t, P0 m0 S+ [& P! ~) A1 s7 l, j  x( ?5 S4 J
03, Y# S& j; M9 i. O% R) F: ?

6 x7 X! ?. m! }$ M$ q: A# `% y: W& f. `6 J6 S* e/ d2 g9 N+ u3 N* u6 W" c
然后我们花了3篇文章的篇幅《DDRX的关键技术介绍(上)/(中)/(下)》来回顾DDR的一些关键技术。例如差分时钟,ODT技术,大家看了很久都不明白的读写平衡技术等等。
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( U4 N; U: b. b. v2 [( b, ^6 ?$ r& o0 u6 E6 b  f
2 h8 P% W! d, d8 U- }% `

0 X" l( r0 z/ U9 G8 N" z3 C' ~* G, @04! a. P$ \1 c- G" ]# ^/ e+ X
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1 S, [8 I9 E- \, l  N% c8 n$ g
接着我们通过大家都不喜欢去细读的DDR的标准来帮大家甄选出其中的精髓,《走进JEDEC,解读DDR(上)/(下)》。我们会带大家去看看DDR的电平标准,怎么判断是否过冲严重,包括大家一直都比较迷茫的时序标准,什么叫建立时间和保持时间,如何去看和算裕量,大家都可以在我们这两篇文章得到一个很好的答案。
9 B0 y2 E. z6 J/ S
# X1 G" d' G: D8 `9 S/ L, V. y! y( U3 D5 o1 Y+ m0 _8 D

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% H3 ~& ^+ q8 u
DDR系列是一个大的系列,我们会慢慢去品味和解读,每一期都不会一次性塞所有的文章给大家,本期的分享就先到这里,希望大家能够慢慢的去消化吸收哈。; t# ?  w. c  C. ?7 q

: v( M1 i! t; V' g9 }  c, |7 p6 G; u. f, C' e

* x2 R$ `2 j+ ]6 I8 G
# M. K: z/ b: ?+ M7 W————你可能错过的往期干货————
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没有测试的人生不完美; v. Q( w. x" D7 U
不等长,毋宁死?
/ z; d% X- S: S4 K宝藏文,高速先生所有原创技术文章,戳戳戳!% ^$ B7 {( q# a0 T" M
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