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新手请问一下:使用DDR仿真中发现的问题:
3 N- I# K7 T$ z4 J. B使用PowerSI 提取了S参数,我提取了电源和DDR DQ进行仿真,发现如果仿真bit的运行时间小与100ns左右没有什么问题,但是当大于100ns后发现controller与DDR处的电源异常上升或者下降。所以就出现仿真出来的DQ向下或者向上移动的状况,如果仿真bit多的话,就看到了一条带尖峰的直线,这个尖峰能达到1e300的电压值。情况是无论仿真使用idea电源还是VRM都有这个问题,只有我把VRM和他的连接删除,然后仿真才是正常的。+ w1 _. I1 }) d/ }1 v$ y
附图分别为
+ M, s4 T8 t* l# h$ i+ K3 `+ t8 g) A' U( K7 t. f
想问一下这个电源S参数提取有什么问题么?大概是什么问题导致的。. Z/ q( o% Y8 s2 _: L
# M( K5 c. o1 N' F! N
谢谢!; ?, D# |4 Z$ u0 h4 F) t
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DDRDQpower.PNG
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DQ信号异常上升,VRM电源正常,PCB处VRM(噪声小的灰金色)DDR与controller(棕色和橙色重叠)处电源
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DQ.PNG
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DQ信号异常下降
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捕获.PNG
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仿真时间长,尖峰把开始正常仿真结果冲掉了
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