《射频微波功率场效应管的建模与特征》

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内容简介  
7 q" w) p  |/ L7 `《射频微波功率场效应管的建模与特征》首先回顾了一般商用微波射频晶体管的种类和基本构造，介绍了高功率场效应管的集约模型的构成；描述了功率管一般电气参数的测量方法，着重讨论对功率管的封装法兰、焊接裸线、引线等无源部分进行建模和仿真，热特征的测量仿真与建模；详细分析了功率管有源部分的复合建模，包括小信号建模、大信号建模，电荷守恒定理，温度变化条件下的模型建立；还从数学上分析了集约模型的函数近似逼近方法，从工程设计的角度出发阐述了模型在计算机辅助设计工具包中的应用，最后对设计的模型进行了验证。

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作者简介
# d1 @2 |- o7 D  WPeter H.Aaen
分别于1995年、1997年和2005年获得加拿大多伦多大学工程科学学士学位和电气工程硕士学位，以及美国亚利桑那州立大学电气工程博士学位。他现在是美国亚利桑那州的飞思卡尔半导体公司射频部门射频建模小组的总管；他在1997年加入该公司(那时称为摩托罗拉公司的生产事业部)。他的专业领域是为功率晶体管和IC的设计和开发建立无源和有源集约模型。在出任总管之前，他致力于为复杂封装环境开发有效的电磁仿真方法。现在他的工作主要集中在微波晶体管模型和无源元件的开发和验证方面。他的技术方向还包括电磁优化方法、微波测量的校准技术和封装建模技术的开发。
近年来，他出席了IMS(国际微波研讨会)和RWS(无线电研讨会)的各种专题学术讨论会，在过去两年中他是IMS技术项目委员会的成员。在电磁仿真、封装建模以及微波器件建模和表征方面，他单独或与他人合作完成了数十篇论文、专题文章和专题学术讨论文章。他还是IEEE和MTT-S(微波理论与技术学会)的成员。

目录
# X; B6 _+ t7 O( |* w# N第1章 射频微波功率晶体管
' g+ J$ ^% ~9 \6 Z0 \% M1.1 引言
5 _( }3 x  B$ l( S1.2 晶体管建模过程概述
2 l% `6 i& o4 W) E, L" k3 F/ V5 z1.3 高功率晶体管的商业应用回顾
0 {4 n6 d4 @( ~- U: ~1 C0 E3 G! r1.4 硅器件技术发展
9 G4 ?  g( U4 u. D/ i3 n8 q1.5 复合半导体（Ⅲ-Ⅴ族）器件技术发展
: ^) ]6 v1 I: M  V) W1 @; D! Z1.6 FET基本工作原理
5 `: F6 v6 C, H5 l' U8 N1 u5 [1.7 封装
) @4 I( ^5 q" o2 {5 h1.8 未来发展趋势与方向
" B7 n. @  g) q% `& E附录A MESFET中fT的推导
% m4 `3 C7 F$ E0 e# H( y& z& `参考文献
8 [# N( p3 X. n第2章 高功率FET集约模型导论
: _) U* S! q1 \. q2.1 引言
9 G  k8 ^" g4 l( D! d2 z2.2 物理建模
2.3 集约模型
! z( x7 C0 R- f3 n# N
- Q: E* Q0 e* g# ?% v······

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