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N沟道MOSFET的VGS问题

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发表于 2017-5-25 16:01 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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N沟道MOSFET的数据手册中VGS(th)会有一个最小值和一个最大值,如果VGS的值在最小值和最大值之前的话,N沟道MOSFET是否导通?
' ~1 S+ r- Z: b( X$ u  g

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好精彩!什麼答案都有。^_^  发表于 2017-5-28 23:29
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发表于 2017-5-25 21:07 | 只看该作者
VGS是导通的临界电压,此时有导通  电流也是很小,Rds会很大

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发表于 2017-6-13 22:19 | 只看该作者
VGS有个范围是针对各种批次的器件和各种环境条件下的参数范围。若在最大最小值之间,则某些器件可能会导通,也可能某些环境下能导通。

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发表于 2017-5-27 14:54 | 只看该作者
驱动电压小于 VGS最小电压处于半导通状态 RDS 很大  驱动电压大于VGS 就会损坏MOS管
% N8 u' s3 t! S

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发表于 2017-5-27 12:19 | 只看该作者
就是这个阈值不是很准,比较散,但可以确定的是阈值是分布在最大最小值之间的,对于同一批次的不同mos,有的min就打开了,有的max才打开。  这个问题我以前遇到过,我选用一个阈值typ可以用LVTTL电瓶驱动,但是范围是2-3V左右的(具体值和型号记不清了)PMOS,大部分板子都没问题,做了10个就有几3个板子不行,后来才发现是阈值太临界了,有几个MOS刚好碰上这个max了,单片机引脚输出的刚好落在放大区了,不能完全打开。吃一堑长一智!!!

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 楼主| 发表于 2017-5-27 09:36 | 只看该作者
戏出东方 发表于 2017-5-26 17:07) ~( g; E! N& P( x+ W) x
VGS(th)的值就是能够导通的值,达到最小值,MOS管能够完全导通,最大值是一个限值,VGS超过此值会损坏MOS管

+ |- X* p+ b: [* Z1 v8 I你对我的问题理解有误9 @' }2 ~, Z( |3 U6 c  t7 u

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发表于 2017-5-26 17:07 | 只看该作者
VGS(th)的值就是能够导通的值,达到最小值,MOS管能够完全导通,最大值是一个限值,VGS超过此值会损坏MOS管

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你对我的问题理解有误  详情 回复 发表于 2017-5-27 09:36

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 楼主| 发表于 2017-5-25 17:08 | 只看该作者

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发表于 2017-5-25 16:52 | 只看该作者
MOSFET 的值离散型很大,要使MOSFET可靠导通,VGS必须大于最大值; 如果VGS的值在最小值和最大值之前的话,有的MOSFET会由于本体差异不导通的;
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