☆※请教关于DQSp和 DQSn为什么要走成差分线形式的问题？※☆

多宝258

DQS+和DQS-实际上是两个反相的信号，DQS-是可选的，在速度不快的时候如DDR2-533，或传输线较短的时候，可以只用DQS+的上下沿来锁存DQ，通常两个信号都用上，DQ会在DQS+和DQS-的交点被锁存，使用差分信号相比单个DQS可以补偿上升沿和下降沿的不对称带来的影响，具体原理可以在论坛找找内存的原理里面的介绍。
' o# q7 F+ }4 [! o0 k8 P% O( O' Y0 J# L, O! h. q5 K6 n" S) ~3 R关于UDM和UDQS，前面已经说了DM和DQS，DQ是一组信号了，对一个具体的内存颗粒而言，有16位，也有8位的，如果用16的颗粒来构成一个RANK，每个颗粒会有两组信号，即高字节UDM，UDQS，DQ15~8，低字节LDM，LDQS，DQ0~7，同组的UDM，UDQS，以及LDM，LDQS当然走一组了
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may

忘记了在哪个资料上看的，
说是差分信号，好像是一个传输的是主信号，另一根是它的补码或是*码，记不清了，
所以两条要走在一起的，
而且长度加了包装值要差在5MIL之内，
这样数据才能保证在一起传到
4 x; l% m0 D9 @; ]
不知道我说的对不对，请高人们再指点下。

yangcanhui07

实际上我们做的嵌入式就是用的DDR2-533,CPU本身只提供了DQS+,不提供差分STROBE,还省去了ODT.当然是否选用差分还需要软件在内存初始化的时候进行配置的,不是割断DQS-就行(可以试试).

numbdemon

原帖由 yangcanhui07 于 2008-2-21 21:00 发表
DQS+和DQS-实际上是两个反相的信号，DQS-是可选的，在速度不快的时候如DDR2-533，或传输线较短的时候，可以只用DQS+的上下沿来锁存DQ，通常两个信号都用上，DQ会在DQS+和DQS-的交点被锁存，使用差分信号相比单个DQS可 ...

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理论上只用单DQS是可以锁存数据的么？还是说实际上也可以这么做？

yangcanhui07

DQS+和DQS-实际上是两个反相的信号，DQS-是可选的，在速度不快的时候如DDR2-533，或传输线较短的时候，可以只用DQS+的上下沿来锁存DQ，通常两个信号都用上，DQ会在DQS+和DQS-的交点被锁存，使用差分信号相比单个DQS可以补偿上升沿和下降沿的不对称带来的影响，具体原理可以在论坛找找内存的原理里面的介绍。
关于UDM和UDQS，前面已经说了DM和DQS，DQ是一组信号了，对一个具体的内存颗粒而言，有16位，也有8位的，如果用16的颗粒来构成一个RANK，每个颗粒会有两组信号，即高字节UDM，UDQS，DQ15~8，低字节LDM，LDQS，DQ0~7，同组的UDM，UDQS，以及LDM，LDQS当然走一组了

rjc

还好 多看E文就知道~

mikle517

看不懂 ，能解释下就好啦

numbdemon

关于第二个问题应该容易理解
, H; R1 e# l3 _3 s" n! t) RStrobe信号必须和它所在的group信号走线环境相同(走一起)且等长，并且远离其他信号线

numbdemon

DDR2的  strobe信号的确得用差分拓扑,如图

numbdemon

去看DG或者DataSheet,这不是哪个硬件工程师说要这样走就这样走的，而是必须得这样走

panhaojie

各位,知道的解释一下啊