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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications
% M6 C: ~. Q' o! F  U
6 C4 g) |0 G' H$ ]8 ?" w$ B8 P3 APerforming time domain analysis to confirm designs meet specified targets
* i! E: u1 p; m- e  G, JSPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。4 n6 D  K7 K# o
Understanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
9 i) `9 s% e) G, H) e2 L9 {* eSPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。/ T; G3 ]+ N0 ?( t  {" q
Assessing various decoupling capacitor implementations
& \4 \+ n: _0 K+ L- h不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。
0 |" g7 |! d3 E4 n, N/ Z. I3 a* K: TSimulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options& M. L2 g  L& |3 O
快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。
$ Q- W2 L  ]: X6 |* C4 `Identifying package and board resonance and radiation harmonics
# h* P& S* q+ x. ~SPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。
* r6 h( y- p. G( r+ Y9 n==========================================================( B7 C9 N$ d1 q: a9 o7 }$ v$ Y
PowerSI Applications
/ K2 F( S( B2 z% x % x8 L+ g* o6 K+ L$ z) i9 U! c# P
Establishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards" j- Z4 d6 c3 k( [: V* M3 F
提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。& U9 X! t! d. |! T3 i' `6 k
Evaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement1 U# m! W! `7 }" B6 U( e3 g
PCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。
# W% g+ r7 @! nExtracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation4 @9 ?+ N4 U9 R, t/ C
PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。, s+ |' s. m8 ^! t2 o1 ]4 w
Anticipating energy leaks with near-field ration display
0 X" J1 q4 J7 {* [$ q/ Q经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
' s# K4 {" O/ L$ bAssessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects; |5 s, A) ^$ W: V$ U( e
使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。* o) s) H9 P! g  L, l
Broadband modeling including accurate DC performance characterization: G! Y7 r- M# M* r+ S
使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。
6 S: I6 n* h- }4 n; W& @$ [0 v
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