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在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

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发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中
# A9 O! a  C$ Q* B; \, Z- a
$ P" Y5 e. J/ A, }' F' o( m: c5 {- s# E8 ~! s) ?& y8 j
第一种placement 方式:1 h' g7 {+ L* K# e6 J
      " }! Z( U; |3 O# p9 \; m
     第二种placement 方式
1 E" ?% J. }6 v7 H3 B% x     
0 H) Q# [7 f1 M6 Y' B% O 总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
  [2 W0 H3 [# r, v' w! p        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。
, u, t/ g3 Z& Q0 B& T4 }3 k- A  G         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。
1 d* M1 E$ m* G2 F1 W0 O

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lixc2008 + 5
heweishuai78 + 2
ymf2529 + 5 辛苦了!
summmmmm + 2 辛苦了
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zlei + 4 辛苦了!
fromnow + 2 LZ辛苦

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 楼主| 发表于 2011-4-22 11:44 | 只看该作者
回复 天使旋律 的帖子
7 M. |& O  j3 d' U+ R8 Q. A8 d1 b% `% T- G% L
二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:
$ V+ p( t. w+ `- W 5 m* S" k4 Y: d0 a; W! C

6 D2 u1 @$ }( X' j$ U% _' [第二种placement 方式:4 T' U( f$ U5 O6 v: s6 n

  w/ W# X6 B1 Y- w) t

6 }  t3 {6 R4 w$ J2 U, ^2 d总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。+ e/ S& g5 C. `& B7 T  C6 Y
        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
! k  R0 V  n: E7 @0 G7 _6 @/ s# ~, I         data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。% d) j+ G' u9 E2 ?- t
         addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。
0 d  n2 H0 o' k4 D( H8 P. k: Y( m: D9 u, C
     如下图:
) `2 N7 G' _9 Z3 ~+ p9 }9 v- M    / h" |) U+ {2 ^" M7 f
按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!# @# _6 g$ S7 q& e$ L1 Q: s
       也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!1 y( V/ M+ f1 M* i. i
        而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,
$ @# V0 C5 W8 V/ i& N如下图3 A4 T1 w+ ?& `+ G2 o: o

5 X3 E3 T& {$ V6 U$ K* M0 A
$ Z; i0 e3 h1 C7 \' k- \% y$ X- w) ?/ q) Q( V

# X& j+ n3 X) u  ~' p- @8 e+ v+ _8 A9 p2 y
弦外之音,抛砖引玉:
( H( q1 j. B. L9 e GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
' u+ T' K: q/ h! N3 j& [          同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。1 c: ^; j0 o* L7 D  E
          同一group的data net 可以互换。
2 f9 r, {9 F0 }6 d' Y
" J3 _6 z" B2 K$ r) c

点评

不错  发表于 2012-1-31 11:38

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参与人数 2贡献 +7 收起 理由
fromnow + 2 原创内容
winricky + 5 感谢分享,解释的很棒

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发表于 2011-4-22 11:49 | 只看该作者

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发表于 2011-4-22 13:13 | 只看该作者
结论呢?

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 楼主| 发表于 2011-4-22 13:26 | 只看该作者
回复 wzh6328 的帖子) v4 C& I$ U  D' l* S; n
- a5 u) r' R4 a* ~. K5 N9 J8 H3 [
结论就是,在DDRIII元件的place,推荐第二种placement方式;至于DDRII设计,两种情况都有自己的利弊,看自己的想法了,呵呵~

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发表于 2011-4-22 17:52 | 只看该作者
LZ辛苦,很直观,很强大~

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发表于 2011-4-23 15:24 | 只看该作者
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发表于 2011-4-23 20:45 | 只看该作者
LZ辛苦了

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发表于 2011-4-23 21:18 | 只看该作者
lz强大啊

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发表于 2011-4-24 11:38 | 只看该作者
不错

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发表于 2011-4-24 11:45 | 只看该作者
太棒了,最需要的就是这种复杂器件的place经验
250 字节以内
不支持自定义 Discuz! 代码

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发表于 2011-4-24 12:06 | 只看该作者
不错.很有启发意义.

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发表于 2011-4-25 15:49 | 只看该作者
学习中,感谢楼主分享

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发表于 2011-4-25 21:59 | 只看该作者
只要层数够,怎么摆都行

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发表于 2011-4-26 09:20 | 只看该作者
回复 CAD_SI 的帖子7 O) A  f$ s2 j6 S8 X" h
4 {& _3 `$ ?& }$ w2 H1 O5 F5 d
呵呵,如果这么说,那么如果工厂不考虑亏本,买方不考虑消费,还用我们设计做什么?
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