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询问增大MOS晶体管增益的方法

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发表于 2012-4-8 11:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对下边这个MOS进行增益测试,在工作频率的增益总是很小,一直处在-30dB以下,请问怎么改进这个管子的增益呢?有什么样的电路结构,因为工作在比较高的2.4G频段,MOS管是180nm工艺的。
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发表于 2012-5-8 11:16 | 只看该作者
恕我冒昧问下,LZ你确定做的是MOS吗?mos是电压控制,没有放大,哪来的增益?我也没在任何一份spec里看到过有这个参数啊

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发表于 2012-5-8 17:07 | 只看该作者
高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下,不能随便调整!!!

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 楼主| 发表于 2012-5-8 19:02 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-8 11:16
. v, @* o: }' Q9 k恕我冒昧问下,LZ你确定做的是MOS吗?mos是电压控制,没有放大,哪来的增益?我也没在任何一份spec里看到过 ...

) p7 K4 u9 l& P2 B- A* T2 g, t谢谢  是跨导太小了

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 楼主| 发表于 2012-5-8 19:03 | 只看该作者
qiangqssong 发表于 2012-5-8 17:07
! E) s6 J  {+ Z7 V8 \9 q高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下,不能随便调整!!!
3 ]& P( f& C% A' d0 F8 q8 {
单单用一个管子做功率放大器时候得到的功率增益总不能提上去

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发表于 2012-5-8 22:14 | 只看该作者
RS与RD一个阻值比貌似可以调放大 倍数。不记得了,还请高人指点下
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