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[Ansys仿真] 仿真结果不一致

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发表于 2012-2-29 16:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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两种方法进行仿真得出的眼图不一样:第一种,在SIWAVE里面进行差分线的扫描,得出snp文件,再倒入designer里面,搭建电路:第二种,直接在SIWAVE里面用其SIwizard功能,仿真结束和第一种仿真比较,得到的眼图不一样(尤其是电压),请大虾们指点一下!

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发表于 2012-2-29 17:09 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-2-29 17:10 编辑 ; w, K  @2 E% N, m
( P! r, U+ |+ y% D) S' u  V
先把两种方法的通道包括匹配电阻之类的对比下在看,这种问题一般和匹配电路有关系,还有信号源,差分信号你咋看一根线?

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 楼主| 发表于 2012-2-29 20:05 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-29 17:09
( g! d! d. `3 S5 \, r+ h1 E先把两种方法的通道包括匹配电阻之类的对比下在看,这种问题一般和匹配电路有关系,还有信号源,差分信号你 ...

/ i6 {# d5 z4 }) s, w, {又重新比对了一下,还是不一样,在自己搭建的电路中,RLC的数值完全和SIwizard的一样,图4,5是自己搭建的电路和眼图,图6,7是SIwizard生成的电路和眼图

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发表于 2012-2-29 23:11 | 只看该作者
reddevils1986 发表于 2012-2-29 20:05
' S; I% e; ?* x2 K4 ]7 y, x又重新比对了一下,还是不一样,在自己搭建的电路中,RLC的数值完全和SIwizard的一样,图4,5是自己搭建的 ...
4 I& Z. h7 C3 G9 S' M
幅值不是一样了吗,眼睛不对那是你一些细节没处理好,看看源有什么问题,再看看IBIS模型调用有啥问题

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 楼主| 发表于 2012-3-1 09:06 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-29 23:11 : ?' ^  A) c) H  f0 c6 d: W2 ^
幅值不是一样了吗,眼睛不对那是你一些细节没处理好,看看源有什么问题,再看看IBIS模型调用有啥问题

# P1 y5 O/ {# X- Y) Z4 U) o/ s终于处理好了,谢谢斑竹!

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发表于 2012-3-1 09:59 | 只看该作者
reddevils1986 发表于 2012-3-1 09:06 * Y9 [  x0 m; B
终于处理好了,谢谢斑竹!

( G$ V& x5 o+ c. I1 o1 l4 z3 B  w最好把怎么处理的,是什么问题导致的介绍下,这样坛子里其他朋友也可以借鉴你的经验

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 楼主| 发表于 2012-3-1 11:27 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-3-1 09:59
3 \5 e% Q- i( H7 e, ]. I  `" t: O最好把怎么处理的,是什么问题导致的介绍下,这样坛子里其他朋友也可以借鉴你的经验

8 @# Z2 |9 E9 U8 N: w; G嗯,很乐意和大家分享经验,主要就是你所说的细节问题,首先确保整个通道一致,包括IBIS模型,RLC电路,其次就是源的问题,我之前把就是因为两个没用弄一致,自己搭的的时候用的是PRBS源,而SIwizard用的PRBSD,导致结果不一样。在此有两个问题想请教斑竹:1.当我用PRBS源的时候,必须把TRF设得很小,到了f秒级才能看到眼图(貌似现实中要达到这个上升时间很难哦),而PRBSD则不需要设这么小,这是为什么?2.模型的pullup,但我把模型的powe设为on,不给加电压时,就出现了压降的问题,而设为off后,加上电压,则没有了压降,这又是为什么呢?

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发表于 2012-3-1 11:51 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-3-1 11:53 编辑
; f: M: v& e- m0 n
reddevils1986 发表于 2012-3-1 11:27
; \5 u" Y6 n- H  c9 v1 W嗯,很乐意和大家分享经验,主要就是你所说的细节问题,首先确保整个通道一致,包括IBIS模型,RLC电路,其 ...
+ X, g  i2 k9 s$ Z
3 V  y8 x9 T- X  v
OK,你这两个问题问的很好,蛮有代表性的
* m* I/ v* y, c% A  P5 B' |
8 V0 S5 t" G6 n* `4 C+ g1.源的上升时间问题:我是没有用过PRBSD的源不太了解。但是不管哪个源必须要上升时间设的小才能保证不影响实际的IBIS输出信号的上升沿,这个问题你先自己思考下,究竟是源还是IBIS模型决定了实际的上升时间。
$ B) M) j% B; d$ E" f. ~- ^# o; K3 E( T% g3 M1 C
2.关于power的问题,建议你自己先去翻下designer的帮助文档找到相关内容看看,再想想这个on和off到底是什么意思
( V1 v: e, @1 s7 e6 v5 ]
4 e3 {3 a8 l( ^/ M$ l7 A8 W* a
你先按我上面说的去找问题答案,锻炼下自己解决问题的能力。实在想不出来的话咱们再一起讨论,其实这个都是些细节的问题,想通了,也就那么一回事。

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 楼主| 发表于 2012-3-1 12:42 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-3-1 11:51 7 c) R! C& J# g
OK,你这两个问题问的很好,蛮有代表性的
! ^% P5 }; s' h; M$ d; x8 X7 v3 V- a- B% l& ]6 A
1.源的上升时间问题:我是没有用过PRBSD的源不太了解。但是 ...
. F- ^, M: a2 U( A
好的

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 楼主| 发表于 2012-3-1 16:10 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-3-1 11:51
/ E0 q  a& H1 E9 K# ~8 X$ aOK,你这两个问题问的很好,蛮有代表性的
; k! G* M; u! Y$ V% d- @( `5 ?5 G$ r2 L% ^
1.源的上升时间问题:我是没有用过PRBSD的源不太了解。但是 ...

0 k; Q. m/ Z. A1 i' z) gpower的问题已经弄清楚了,我把资料出处贴出来,给今后可能遇到这种疑问的朋友参考一下;源上升时间的问题,我和同学用ADS进行了验证,觉得实际的上升时间应该是由IBIS模型决定的,至于为什么在ansoft里面要设这么小,会不会是软件的原因?

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发表于 2012-3-1 16:33 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-3-1 16:53 编辑 + ?3 ?& S. l/ w. F# M+ n: U% F
reddevils1986 发表于 2012-3-1 16:10 # t) r% G( Q  |3 ?0 j
power的问题已经弄清楚了,我把资料出处贴出来,给今后可能遇到这种疑问的朋友参考一下;源上升时间的问题 ...

1 U( J7 L* j1 B$ w1 N: |9 v* A* O6 }9 i$ W2 h
看来还没毕业啊{:soso_e113:} $ x3 D1 h. L* }! v4 r

) o- V& p' s5 z$ E" O! t你已经明白了上升时候是由IBIS模型本身决定,那么为什么源上升时间需要设小这个问题就应该想通了。你可以试下将源的上升时间设超过IBIS模型的上升时间看看结果,然后在和源上升时间设小了对比下。
$ z- K4 Q2 p( M; E( f  Y0 z! w/ f! C, \( M- ~) O( e* n$ w

3 z& `; h% U, t8 T* W(当然designer里的不同源的结果有的是让人摸不着头脑,https://www.eda365.com/thread-65051-1-1.html,这个是上次你和我讨论的帖子,里面其实涉及到了这个情况,你可以再回头看下,在里面我提到过这个PRBS源的上升时间问题,也许确实和软件本身有关,不过这个不影响你理解为什么源的上升时间需要往小了设)

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 楼主| 发表于 2012-3-1 17:10 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-3-1 16:33 9 @$ s: q* m- E6 w) V4 S' n
看来还没毕业啊 6 i3 f# l  `5 z& {
6 X; F. E; C+ b& h
你已经明白了上升时候是由IBIS模型本身决定,那么为什么源上升时间需 ...
  K: F. f  i8 y# P+ C" ~
呵呵,小菜鸟再次谢谢斑竹,我再琢磨琢磨!

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reddevils1986 发表于 2012-3-1 17:10 5 `7 N, ^* s' r$ D% s
呵呵,小菜鸟再次谢谢斑竹,我再琢磨琢磨!
6 B- f( E) ^$ U1 H- t  f
你现在在学校能学了这么多内容已经很不错了,不过貌似这个方向的研究生专业国内很少啊

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 楼主| 发表于 2012-3-1 18:42 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-3-1 17:23 % n& k: Y3 }4 m- c: S, Y
你现在在学校能学了这么多内容已经很不错了,不过貌似这个方向的研究生专业国内很少啊

, m+ c# S6 g' x) L( _0 |惭愧啊,欠缺的东西太多,就像你说的,内力不够{:soso_e101:} ;没办法,导师交代下来的任务,硬着头皮弄,学着很恼火,斑竹前辈,能给点学习建议不?{:soso_e130:}

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发表于 2012-3-1 18:56 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-3-1 18:58 编辑 . S5 {0 _. k5 J, P
reddevils1986 发表于 2012-3-1 18:42 8 L. U0 Z* D! Z( U4 {& \' D
惭愧啊,欠缺的东西太多,就像你说的,内力不够 ;没办法,导师交代下来的任务,硬着头皮弄 ...

3 f: A. }* h: @! B& a2 \) k( v, P/ G# \/ Z( w, A! K
冰冻三尺非一日之寒,SI涉及的东西是如此之广,电磁理论,仿真建模,PCB工艺,电路分析,数值分析,IC package等等,每项都要去了解去熟悉,要是自己没有对SI的有极大的热情话,很有可能会觉得厌烦疲倦。要是你毕业后还想做这一行的话,兴趣和热情是必须的,当然少不了坚持,建议嘛,还是那句话,这个东西想学好了没有什么捷径,需要继续修炼内功{:soso_e113:}
* i: y+ }! f  ]: f2 m7 Z' k. Z1 I8 q1 I) c# j/ m
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