DDR2 VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用？

beyondoptic · 发表于 2011-12-9 17:37

如题，有人知道在DDR2的VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用么？
有可以提供相关的资料么？

doya · 发表于 2011-12-9 17:37

这是典型的Dimm的设计方法，通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考，所以这里将地址控制信号的VTT用电容接到VDD。但如果我们设计的DDR2的地址控制信号是以GND为参考，那这里的电容就应该接到GND而不是VDD。楼主去找dimm条的设计，几乎都是这样的。

chengang0103 · 发表于 2011-12-10 16:54

问题不详细。
我猜，可能是有线跨了两电源的分割。

beyondoptic · 发表于 2011-12-10 17:06

本帖最后由 beyondoptic 于 2011-12-9 21:12 编辑

可能说的是有点不清楚，但原理图是客户的，不便截图。
补充一点100nf的电容有好多个接到VTT和VDD之间。
希望有见过这样设计的guide的大虾能分享一下，谢谢。

qiangqssong · 发表于 2011-12-13 17:53

减小两电源间的阻抗！！！估计

shark4685 · 发表于 2011-12-14 08:34

查了很多资料,目前原因还是没找到.

beyondoptic · 发表于 2011-12-14 10:47

doya 发表于 2011-12-13 13:13
/ x% @8 I* P. `4 K5 a+ N: r3 \6 U这是典型的Dimm的设计方法，通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考，所以这里将地址控制信号 ...

谢谢doya，觉得说的很有道理。我们这个设计确实是带DIMM的ddr2
一般对于带DIMM的DDR2的地址命令信号由于处理器芯片内部和DIMM处都是参考了VDD。设计时候要求这些走线尽量参考VDD。

shark4685 · 发表于 2011-12-14 11:11

本帖最后由 shark4685 于 2011-12-14 11:22 编辑

我的案例是DDR3颗粒！地址参考的是GND和VDD

dzwinner · 发表于 2012-1-11 10:06

本帖最后由 dzwinner 于 2012-1-11 10:07 编辑

shark4685 发表于 2011-12-14 11:11
: @0 R- R+ i6 T4 T( o我的案例是DDR3颗粒！地址参考的是GND和VDD

版主你好！我最近也设计了一个DDR3，是2片的。我看到你截图中的设计好像是菊花链式的拓扑结构，但具体怎么出线还不是很清楚，可否把这一部分的走线PCB 发给我参考啊！谢谢了！如果实在不方便，每一层的截图发给我也可以。万分感谢！
我的邮箱：77897767@qq.com
其他有这方面资料的，也请发给我，小地感激不尽！

yaoyun · 发表于 2012-1-20 16:37

我觉得这个电容是用来提供连接Vtt到Vdd的路径的。
记得intel一份文档中有提到如果ddr之类的高频信号线换层的话，就在换层的地方每5个信号线放置一个小电容。

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