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学习Cadence的笔记(十)-2010.3.15

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发表于 2010-3-15 16:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1. Oops=undo,在setup/user preference中可以设置undo缓存空间及undo步数或者说是深度,范围是10到50步。
  N9 e8 A5 T  L# f. p' j2 U1 }& G. T' g/ ?$ K. A* f1 f
2. 对于表贴pad,只需要设置 Top、Soldermask_Top 和 Pastermask_Top 三层即可;对于过孔pad,不需要设置 Pastermask_Top 层
9 a7 o% Y( C! ]% G$ l
, O: e- K9 ^4 ~- e: N6 [1 ?3. 做封装的时候必有silkscreen top, assembly top, place bound top,
- o5 {! H+ |0 [" d9 @# i% U9 R3 `  r% a4 w* a4 d) z" j  y
display top 一般是在这个层上在器件的几何中心画一个十字,这样方便定位,& [* K( b" J  p' U

6 Y+ p1 m  J* M3 ADFA bound top 的意思是Dedign For Assembly bound top,作DFA检查用。
' w) }7 C  x/ l1 {/ m7 z/ G$ \' x: F; }; ^
package的assembly是器件的外形,Ref Des的assembly是封装的名称,Component value的assembly写个Val就行了,可以不加的,
' [1 e* P# t, U) v. x' C1 i) H8 b, S. H! b# ?, U6 P6 _
place bound top和DFA bound top定义成一样的,反映的是器件占用的面积,它们不一定和assembly一样,因为器件的外形和他占用的面积不完全一样,这个要依赖于布局布线的% O0 q) x, c, [) X% F4 a% w
0 T" }9 F. y: w; c/ O8 [
考虑。
6 z3 K* R' p& I  ?: E) E
7 U. F5 ~( J. Z6 x4 c
/ p1 h6 T- K0 ^* T$ p. ~: @4. 晶振附近的覆铜,电路中的晶振为一高频发射源,做法是在环绕晶振敷铜,然后将晶振的外壳另行接地。晶振附近的接地隔离带,一定要良好接地。
0 q4 @) _- P8 |. ^1 T1 o  Q9 W! W7 T/ p# v; B

6 X4 |% L4 P) S8 a5. 多层板中间层的布线空旷区域,不要敷铜。因为你很难做到让这个敷铜“良好接地”。
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发表于 2010-3-15 18:12 | 只看该作者
跟着学,就是跟着向前冲……

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发表于 2010-3-15 21:59 | 只看该作者
说说封装中的金手指如何做行吗?谢谢!

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发表于 2010-3-16 05:22 | 只看该作者
路过。

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发表于 2010-3-16 10:55 | 只看该作者
我对第5点有疑问,我们现在做的多层板,中间层的布线都做到铺铜了。另我问了其它的朋友他们做的时候也都有铺铜.

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 楼主| 发表于 2010-3-16 11:22 | 只看该作者
回复 5# cake
8 j6 I1 @, |5 R: p1 a  D7 ^这不是我自己的经验,呵呵,可能是中间层覆铜的工艺方面的问题吧

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发表于 2010-3-16 11:53 | 只看该作者
铺铜是没问题的2 M# [4 {2 N9 Z6 n- r# c- q
只是要搞清楚铺这个铜的作用是什么
- c- T4 ~; S- n; L# G% A# P. `这样就比较好处理了

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发表于 2010-3-16 12:52 | 只看该作者
“ 多层板中间层的布线空旷区域,不要敷铜”  这个不太理解,谁能解答下啊。看过很多板子都是铺地铜的啊

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 楼主| 发表于 2010-3-16 19:18 | 只看该作者
回复 8# xin_yu ; q$ ]0 O4 e- I7 B  s- U# ]4 s% s) ?
% Z. q4 p& U; X0 Q5 z
一般覆铜连接到地网络是比较常见
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