找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 1764|回复: 11
打印 上一主题 下一主题

【讨论】滤波电容和耦合电容

[复制链接]

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
跳转到指定楼层
1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??
" `' O8 U7 p$ o% ~: L& Z2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

评分

参与人数 1贡献 +4 收起 理由
66869330 + 4

查看全部评分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏 支持!支持! 反对!反对!
Work as an engineer!!!

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:
% V3 Q- G* s$ j4 K! U1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端
' T# V; ], Z: i% w2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作
# C* Q) c4 G1 X2 y- K, E( A" `& w. l0 g1 q9 e- m; I7 h8 a) G4 ^4 a
请大家拍板
Work as an engineer!!!

18

主题

456

帖子

3800

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3800
3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的
; {0 C" O* t$ H4 ]- C5 h4 p- E, m你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~
3 {; r8 T1 R6 @1 E  N何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?
; w9 L  q9 o3 |+ v4 g7 I& G0 K负载有关系吗?& S( y) ]9 G( l3 ~  L- z2 n% S
请高手解答
Work as an engineer!!!

8

主题

104

帖子

-6997

积分

未知游客(0)

积分
-6997
5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵  g! l) P4 G% H
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
* F' r5 P7 M7 _+ X5 W8 J在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
1 Q1 G4 F! Z/ r. K& Z& H现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵: @3 Q* I0 z  E9 A1 L
原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~
Work as an engineer!!!

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线6 f0 ^6 T7 s6 c, I8 ]4 Q
因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了
Work as an engineer!!!

18

主题

456

帖子

3800

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3800
8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵
; A% Y, d) a0 T8 x' x7 T楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
1 S5 V5 Y( @' A# p( F5 }在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
1 @) Z/ e! ?+ ?% k: }" R# q3 U现在的工艺中电容容值比 ...% f* o: N0 g' L' @/ @( T
Juger 发表于 2009-9-1 20:08
. _3 }1 J$ |" M0 [! N
6 a+ Z  V8 Y- V8 @
最后的说法是不符合客观事实的
0 W, d0 f4 b0 K小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大* N$ i0 f5 R- C
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多$ g! `5 T5 f- l8 E
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
4 \" U8 ?- W  H, P; d7 g1 n当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR
5 d5 P% W) p7 W& n9 E而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
" r" F4 S( P! Y# f可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的, v# Y; s/ M, v" Y
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大2 Z$ y/ Q1 n& c4 Y8 K$ _
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多0 v6 ?( t7 c9 u4 F7 P1 c( B7 n# c
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
0 s& A7 d, Q% h当 ...) s4 W6 N% ~+ U) \4 n# b
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

, ]+ Z* f1 o# q
& C( u6 V9 o: X" X) G5 U. y既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?
  C% C! Q* d5 X9 g1 r& c2 a6 W$ L& q请问有相关资料吗?
! M) B6 d; [2 _那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
$ k+ w0 _/ T1 M- l2 U" S- H找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊
Work as an engineer!!!

11

主题

63

帖子

111

积分

二级会员(20)

Rank: 2Rank: 2

积分
111
10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。: G+ ~2 A8 ?" t( w1 F$ l, ~

6 {: ?( ?. k  X2 @8 ^4 W主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。! O- B5 {$ E$ o4 G1 T! d

) h6 y' D/ g% W, L大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

0

主题

168

帖子

1471

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1471
11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

6

主题

181

帖子

2755

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
2755
12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2025-3-7 10:52 , Processed in 0.063490 second(s), 37 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表