找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

电巢直播8月计划
查看: 1773|回复: 11
打印 上一主题 下一主题

【讨论】滤波电容和耦合电容

[复制链接]

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
跳转到指定楼层
1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??8 T4 q  b9 M9 R3 C6 I, g4 D9 b
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

评分

参与人数 1贡献 +4 收起 理由
66869330 + 4

查看全部评分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏 支持!支持! 反对!反对!
Work as an engineer!!!

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:! ~$ j& m, n' Q# U0 t+ g
1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端- _! D9 H+ H1 w/ g" b, D4 d/ y
2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作" P6 B! x' C* c7 F- H# F4 k! J
6 ]! h$ E- d6 j" T+ M
请大家拍板
Work as an engineer!!!

18

主题

456

帖子

3800

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3800
3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的6 S$ n  W( f4 d. Z& E
你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~: ^% O% @; H. W) ~; v1 _2 ?* ^
何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?
) O6 s, Y* @* O, j, `& P+ J负载有关系吗?
# l' O# z) |5 h2 M4 F请高手解答
Work as an engineer!!!

8

主题

104

帖子

-6997

积分

未知游客(0)

积分
-6997
5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵! n7 f! }) X; s" n
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?5 |4 m! l# f2 E- N* B" I
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
# C) x: [3 K6 e. _( o现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵) I! \' J# {' l. P5 c
原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~
Work as an engineer!!!

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线
- h  h& d6 j2 e* ?因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了
Work as an engineer!!!

18

主题

456

帖子

3800

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3800
8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵7 F2 f: l- x  A" ?% M8 t
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
- K' ~& D( b+ X: F在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
4 d+ b7 }( W7 T2 b; C0 N现在的工艺中电容容值比 ...
$ U. B- u% g9 T2 ^$ T& HJuger 发表于 2009-9-1 20:08
/ |# @/ S1 k( N1 q9 `9 v& X
/ |2 b4 F9 f8 j
最后的说法是不符合客观事实的
" n1 ?: E" c) V6 N3 b: v小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大; @; ^+ K8 b. N) K! m) q
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多0 G) g! b: ^% }# ~
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
, I! h' F7 _( j; f# I# [当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR
; X6 k* o/ G2 b) m- l: _9 P0 f而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/29 B6 A% P" x2 E+ F7 O+ y
可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的3 R; e6 s, r( p0 p6 H
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大6 Q2 Z4 `, G5 u5 M6 j: s. v" p5 r
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多7 s! e1 I, C8 ~! g8 o9 y
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f2 P" a# j/ I! m% D# n# b
当 ...* n! k, N8 r# _( R: n
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

& y4 e! S7 [5 v
* c1 S- M3 ]* s1 P既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?. V( K- u6 y5 k  \
请问有相关资料吗?
& B3 g& B& D/ z那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
9 w; T# ^* t& ^2 u" }找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊
Work as an engineer!!!

11

主题

63

帖子

111

积分

二级会员(20)

Rank: 2Rank: 2

积分
111
10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。4 |: b- C( ?3 j( a6 k4 j4 [: l

2 s& x6 g6 d* v3 L主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。* ~$ J! P9 j, B/ q8 |
! Y, I' B( x% V6 \
大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

0

主题

168

帖子

1471

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1471
11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

6

主题

181

帖子

2755

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
2755
12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2025-7-1 04:17 , Processed in 0.064594 second(s), 35 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表