找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 1771|回复: 11
打印 上一主题 下一主题

【讨论】滤波电容和耦合电容

[复制链接]

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
跳转到指定楼层
1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??; C4 ]9 h% d- V! @6 w
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

评分

参与人数 1贡献 +4 收起 理由
66869330 + 4

查看全部评分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏 支持!支持! 反对!反对!
Work as an engineer!!!

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:' G& G4 u8 a# }9 K; d0 v
1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端
, e0 m1 @2 Q' H* t. }* V2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作! W$ Q9 F' c3 Q
" g# H( O5 @5 k! H1 z% s
请大家拍板
Work as an engineer!!!

18

主题

456

帖子

3800

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3800
3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的. @. l, D0 v$ h) ?* n( X
你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~) X1 P% C- g: N+ R
何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?) W+ t' p: ~" x
负载有关系吗?
1 P5 [$ ]4 X. }+ D请高手解答
Work as an engineer!!!

8

主题

104

帖子

-6997

积分

未知游客(0)

积分
-6997
5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵0 K) R8 f5 b8 b- D: k  v& a( n
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
6 e. k/ _& d, l9 {. w% r在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
$ ^+ m6 J# p" d- b& H4 v# h! R7 |2 o现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵
7 S3 V) q% r7 @8 a6 Z/ ^  E原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~
Work as an engineer!!!

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线
( F( C2 g3 F0 I因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了
Work as an engineer!!!

18

主题

456

帖子

3800

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3800
8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵
5 Q5 X4 o( X& N- R: _楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
# G8 Q6 {. D. O* N. S' \* p在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
" i$ n! H- i1 }9 x6 O; a现在的工艺中电容容值比 ...
1 ?: b) N1 p/ L6 ^+ kJuger 发表于 2009-9-1 20:08

, o! K- t- T5 r& |0 }4 b( Y" i0 z2 w  }8 E& V+ n. m5 j; V
最后的说法是不符合客观事实的9 B! ^% B5 u% `: _5 [
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大, Q  E2 {# W* L! F. r% `1 `4 F
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
+ ]( ^. X/ v1 _, [; N/ |电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f( Y/ w# ^2 j. i, {9 B& T
当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR. P) G' V# c& E- T" n
而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
* z3 e/ u2 M% M/ I7 N1 o可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

13

主题

160

帖子

1299

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1299
9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的
8 r! ?0 a% b/ `小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
' f+ n8 V. y0 a3 C不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多% G. Z$ e: G# Z1 V- |5 a( B
电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
2 k+ |1 ?% |( a; {9 D4 a当 ...+ [8 f, S3 z, s! ]7 `7 ]' @
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

* P* y& I& ?+ a* c+ m5 |  f4 C: F) o3 H. r- o& S5 E% G& b
既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?) h1 m, N, Y" p4 W
请问有相关资料吗?
% Q2 s8 m, K: V7 x; ?" r那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
! R' R4 d5 Q- ^& H找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊
Work as an engineer!!!

11

主题

63

帖子

111

积分

二级会员(20)

Rank: 2Rank: 2

积分
111
10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。: \, {1 g7 S- Q% W. Y- C
; B, A4 V; M3 L$ y: X$ B
主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。" ?' K" ?7 D! g' s5 q$ ?/ m
# D6 p5 k5 c4 ]# b" F1 G
大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

0

主题

168

帖子

1471

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1471
11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

6

主题

181

帖子

2755

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
2755
12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2025-4-26 12:56 , Processed in 0.066246 second(s), 37 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表