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[硬件] 分布式系统中模拟信号远程传输的噪声抑制

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发表于 2019-9-30 17:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在分布式系统中,模拟信号在传感器或负载间来回远程传输。在这类系统中,信号要传输很长的距离,噪声抑制能力成为一个重要考虑因素。噪声会耦合进信号中,结果使数据遭到破坏,由此产生不良影响。系统需要得到适当的保护,了解预期噪声的量和性质可以明确需要采取的保护措施,以取消或者至少减少环境干扰水平。
. z: s4 K1 u$ z; }7 @( Q8 e" V0 G0 B6 I" g) I$ y4 s" f
噪声源或干扰源一般有两种,根据其耦合进主信号的方式,分为共模噪声和差模噪声两种,如图1所示。0 t: x+ v0 _7 O5 \- z" x# j
1 q% Q& A- a/ |: p; D6 Y

- b5 J: k; V. \& a- Z8 A# B! ]- V7 @7 V6 ~9 v0 G" P- A
图1.噪声源

5 V; h5 y$ G5 b- `
( R! b1 K1 X4 I& A2 y
( B2 {7 N' ]# F1 X6 m二者中危害较小是共模噪声,它会同时耦合到系统GND信号和激励信号中,这主要是由电缆与真实GND间的偶极天线效应造成的。这种情况不会使信号减弱,因为噪声同时耦合进两个通道,而且幅度相似。问题在于,共模噪声会产生信号失调,使真实GND升高,结果导致两种不良效应。首先,如果间接折合到真实GND(比如,通过金属箱保护传感器时),则可能使负载饱和。其次,可能产生电弧,结果会损坏传感器。在激励惠斯登电桥时,共模噪声尤其麻烦,因为输出信号需要由控制器进行处理,通常是用到一个仪表放大器,而这种放大器的CMRR有限,结果可能会放大噪声。) z! P' R7 b( J! Q, V  X9 |

' x4 }: j4 B( y  P
! A" V# |& e$ V# `' f5 L使用低通滤波器(如RC滤波器),或者使用共模扼流圈来过滤输入信号,可以减少共模噪声。重要的是,不对称衰减的共模噪声会产生差模噪声。在实际应用中,不对称衰减的一个例子是低通滤波器;用一个电阻和电容实现截止频率,但受元件容差影响,两条线路中的截止频率不一样。
5 e7 ^) d  h: R' t/ z( v& V, E& f8 }. }* N7 [6 o

  m# a0 \) R; Y第二种,也是最麻烦的噪声是差模噪声,这种噪声是在激励与系统GND之间耦合的。该噪声之所以会耦合到信号中,是因为系统GND与充当天线的信号电缆之间存在电流环路。在部分应用中(如化学分析),出于安全考虑,传感器有时置于独立于控制器的腔室中。这种设置会导致数十或数百米的电流环路,结果,任何磁通量都可能在信号中导致电流噪声,从而使数据遭到破坏。为了减少差模噪声的影响,建立使用铁氧体材料来过滤高频辐射信号,在控制器与传感器之间采用星型连接,同时还要使用屏蔽电缆。
% }1 t1 g' C/ B% ^5 f" _0 _+ h: `) m' A/ K9 ?5 N% l3 E" x( ?: \- N
3 \4 _* K1 N, w! `1 N2 ^
两种情况下,如果该噪声足够大,设备甚至可能会因为电气过应力而受损。当负载为电机或荧光灯时,尤其如此,这样的负载构成一种强大的电磁兼容性/干扰(EMC/EMI)源;原因有二,分别为物理电磁元件和所产生信号的性质。一种较好的做法是使用EMC/EMI抑制器,如ESD保护装置,以确保系统能维持一定的稳定水平。
5 y# E8 V7 M1 R- V) G# O1 S- F
0 d* j. V1 P( _
5 I: @( c& Z" P1 L1 A9 C& g( t( G在实现部分前述方法时,主要后果是与元件相关的电容。甚至电缆也会含有寄生电容,因此不能忽略。寄生电容与电缆的长度、类型和类别成比例,如表1所示。
4 j0 Z' S$ j1 G4 v+ @. P$ A) @8 w8 Y" A) C
5 s% v9 L" |) a& e

2 L2 {! g  v; [3 _表1.不同电缆类型比较

$ Z; W8 t5 T6 x) \6 w4 u) y( U4 y7 P: G, z( n

) }% j( L( p. w集成式缓冲电压DAC,如AD5683R或AD5686R,可提供高压摆率、高带宽,而且功耗更低,功耗已成为业界的一个主要关注点,原因多种多样,比如电路板温度的降低、电路板组件数量的增加(不增加功率)、功效的提高等。结果,内部放大器的阻抗ZO(开环阻抗)变大(不要与闭环阻抗ZOUT相混淆),对最大负载电容形成限制。
" \  q0 k3 X; r2 f9 c8 N如果与运算放大器输出相连的电容超过最大允许值,结果会影响运算放大器的稳定性,可能导致放大器振铃和振荡。1 k$ M  J2 H& S4 Y" o" c. f
; ?  N( t* S: z3 _, ]

. e- a  v5 q+ w+ }0 E  b( W" c通过运用缓冲电压DAC,可用来降低运算放大器不稳定性的方法有以下几种:- e" ^+ F# c3 s: C3 X/ b
1.RSHUNT法; W$ @: {% X0 t3 X8 q! N3 a
2.外部负载网络补偿(缓冲电路)法
. c) E8 l! x) ^RSHUNT法需要的外部组件最少,其背后的原理相对简单;通过在运算放大器与负载之间放置分立式电阻使二者相隔离。
1 I! X6 g- Z0 X; h8 x2 B, r6 u  o7 Y$ K  }$ y

' |6 {- }+ F* n! h" |" w8 d, w- HRSHUNT在反馈网络的传递函数中增加一个零,结果使闭环在高频下能保持稳定。选择的这个零应至少比GBP(增益带宽积)低一个十倍频程。但这里的问题是,DAC的技术规格不包括这个数字,原因是其不相关,因为内部运算放大器充当的是缓冲器。5 k1 C, @7 H# C! T% |& e

8 C3 s* K( H" {& [$ ]: s' _) [
' W1 h& ], d3 g$ y在这种情况下,根据经验法则,应该选择一个尽量小的值,以减少电阻的影响;其范围一般在5 Ω至50 Ω之间。如果使用该方法,负载电压会下降,因为这种方法在物理上实现为一个电阻分压器,会影响其他规格,比如,压摆率降低,建立时间延长等。结果,DAC在负载或传感器端的整体性能会下降。
8 L9 V+ R1 V" D! T# `1 z) }: P. K4 E8 V' ^9 j! K/ l1 n

% U* S! X7 }/ d1 D- n通过增加RSHUNT值,阻尼比(ζ)也会随之增加,使其成为一种合适的电机驱动方法;但是,当负载幅度较小且电压轨较低时(如惠斯登电桥激励),不建议使用这种方法,因为可能导致幅度大幅下降。减小电压范围,比如,使用阻抗为1 kΩ的5 V供电轨,结果,降幅为2.5%左右,如图2所示。
0 N/ w; x6 f- D0 _
& L, ?# Z9 r: V: N图2.RSHUNT法
2 s  H# H2 H1 C/ {- y+ F6 \+ U

4 x3 E& Q# u2 T( j/ }0 p5 m
( E2 U# q# {9 i- r缓冲法(或RC分路法)不会减小负载电压范围,因而是低电压应用的首选方法。这种方法背后的原理略有不同。缓冲网络会减小靠近振荡频率的负载阻抗,使负载的实部低于虚部,结果改变相位。
, z$ f3 `6 m- i# @0 l5 U8 A: O8 d; @( l$ s* ]  g
+ d; p# u( |& h9 ~6 D0 X# _
正确元件值的选择方法需要凭经验确定,要分析与负载相连的DAC的瞬态响应。" {8 b) V% g, a  B5 P3 s& ~9 N

! k4 l2 P5 g4 ~5 F
/ s2 G  c0 Y$ [1 f2 l一般地,计算的前提是缓冲器GBP低于1 MHz。这种情况下,设电缆寄生电容为47 nF,
! U( H3 Y( C/ ]# {0 z
# s1 i: W6 |; H6 D: m& r% \6 E
  @  L- M$ _% F1 P3 c+ |
) R8 r: L) x6 Y: ~6 E
理想电阻应低于1 ?,RSNUBBER值越低,过冲就越低;但从实际应用角度来看,我们不妨选择RSNUBBER = 10 ?。. t' i0 k+ t* P; z$ y$ f) p
  s7 G! i, A* n# C$ Z6 P! O2 i

) ?8 n- L8 ~5 C! ^; \6 c- h: q' g缓冲器极需要比振荡频率高三分之一,
1 p+ ^' E& P) \6 I- j1 v
: m( h1 Q+ x# Q( b
% S) f8 |, p$ h; I
" T+ c& f, ~, n' q) O

2 e: E& O6 u3 ]9 {7 l7 r4 g: V9 _8 P& A. H. `9 G2 z; T% z" v
+ ?  y6 R$ Y5 y9 X) ]: s
图3.缓冲法
* _- c2 \& }6 x/ L" z5 R
( m( U' l* r5 ]
$ N& J. e- c% Q+ `, `7 _
缓冲法和分路法对于补偿或隔离容性负载十分有用,当负载或传感器需要远程激励时,可使DAC保持稳定。5 Z7 v! H0 Q" s3 K* I# |+ `1 E% l

' A0 M( n, F" o7 r
  [' q0 W; x  {. Z以上示例均基于AD5683R DAC。这款器件采用超小封装,整体性能卓越,并且拥有2 LSB INL @ 16位、35 mA驱动能力,集成了基准电压源,更有高达4 kV ESD的鲁棒性,众多优点使其成为负载或板外传感器激励的理想DAC。 1 P9 ?0 L- b+ B0 e2 m

; r. T& N" N# c$ t5 q- f5 Z, F# t7 D0 _5 Y+ q1 h
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2 V  ~: `3 E" Y+ a' s+ u6 u$ V( e1 l% ^% n  o9 Z% i; z  s0 u
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4 B+ a3 w1 J- _) R) T# V4 q2 HEDN电子技术设计
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9 q- v; ~/ Q3 }1 V1 D7 H6 _电子工程师的灵感设计之源
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