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不知各位有没有注意过SIwave中走线的阻抗问题,软件中似乎只分为Microstrip、Stripline两类,因此计算线的阻抗也是按照这两类的模型去计算,没有考虑到实际上走线与旁边Ground的距离也会影响阻抗大小。 现以实际板子参数举例: 图1中红色走线线宽W=16mil,线长63mil,线与同层ground的距离G=14mil,线与下层参考地距离H=37.5mil,线的厚度T=1.4mil,介质介电常数Er=4.4,tanD=0.02。 在SIwave中计算出来线的阻抗是97.8464,如图1所示; 用ADS Linecalc的MLIN(微带线)模型计算出来的阻抗是97.6796,如图2所示; 用ADS Linecalc的CPWG模型计算出来的阻抗是75.7245,如图3所示; 实际板子需要的走线阻抗是75欧姆,这与用CPWG模型计算出来的一致。 SIwave中计算出来线的阻抗与用ADS Linecalc的MLIN(微带线)模型计算出来的阻抗是一样的,这说明SIwave中也是根据微带线模型计算阻抗的,但走线与同层Ground的距离小于走线宽度时就不能用微带线模型计算了 那么问题来了,是否可以判断SIwave中计算出来的阻抗是错的,没有参考意义?如果是这样的话,当我要提取一段线的S参数时,阻抗计算错误会不会影响到S参数的准确性? - P$ n, U" w4 u$ L$ v
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