单颗DDR3 6层板的画法

adwordslai · 发表于 2015-11-7 11:51

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如上图所示，准备用6层（不是用4层），有T点等长，目前想法是：L1走线，L2 GND (少量线），L3全GND , L4走线， L5 VDD电源 L6全GND;
不知这样是否合理，请大家评论，谢谢。

5718366 · 发表于 2015-11-7 12:11

这是pop的ddr，中心间距应该是0.4mm，如果是6层1阶的板，ddr的线尽量走在第1层（少量ddr线），第2层（主要ddr线），第3层为参考地。
如果是6层2阶的板，ddr的线尽量走在第1层（少量ddr线），第2层（少量ddr线），第3层（主要ddr线），第4层为参考地

血夜凤凰 · 发表于 2015-11-7 15:29

DDR3 一般用的都是通孔

12345liyunyun · 发表于 2015-11-7 17:58

还是多参考芯片手册，就这张图看不出来

Yuanlonglong · 发表于 2015-11-8 11:55

POP的DDR这样搞有点蛋疼吧

adwordslai · 发表于 2015-11-9 09:27

5718366 发表于 2015-11-7 12:11
0 L+ M' h+ y' u% \3 I0 I- p7 K& A这是pop的ddr，中心间距应该是0.4mm，如果是6层1阶的板，ddr的线尽量走在第1层（少量ddr线），第2层（主要d ...

6层2阶不可能太贵了，这个是平板一DDR3离CPU近1.5mm，我觉的第三层（主GND)走CPU到DDR3的所有线，但DQS CLK放在第四层并包GND ,L5为VDD，这应该是合理的走法。

5718366 · 发表于 2015-11-9 09:43

adwordslai 发表于 2015-11-9 09:27
& @8 x. O! A( D5 `6 X) S2 [6层2阶不可能太贵了，这个是平板一DDR3离CPU近1.5mm，我觉的第三层（主GND)走CPU到DDR3的所有线，但DQS C ...

不知道你的平板是啥方案的，如果用6层1阶的话，你想把ddr的线主要走在第3层，要看主芯片那是否有空间打那么多盲孔和埋孔，
另外，ddr3的跑频比较高，对DQS CLK的要求就比较严格，尽量要做到立体包地。
至于电源呢，不可能分配1层来走电源，主要是没那么多空间

adwordslai · 发表于 2015-11-9 10:12

5718366 发表于 2015-11-9 09:43
3 }3 v( J Y8 s不知道你的平板是啥方案的，如果用6层1阶的话，你想把ddr的线主要走在第3层，要看主芯片那是否有空间打那 ...

MTK，如按你的做法，L2主DDR线，L3是主GND, 那么L4是T点两边PIN的走线，L5为VDD，你说的DQS CLK立体包GND还是做不到。

5718366 · 发表于 2015-11-9 10:21

adwordslai 发表于 2015-11-9 10:12* j5 I- {6 Z; C
MTK，如按你的做法，L2主DDR线，L3是主GND, 那么L4是T点两边PIN的走线，L5为VDD，你说的DQS CLK立体包GND ...

DQS CLK走在第4层，第5层的电源平面，也可以作为DQS CLK参考平面

adwordslai · 发表于 2015-11-9 11:02

5718366 发表于 2015-11-9 10:216 A# d# d% z m3 s$ r
DQS CLK走在第4层，第5层的电源平面，也可以作为DQS CLK参考平面

对，这样才比较合理。

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