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请教:时钟的驱动能力是指什么

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发表于 2008-9-1 21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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时钟的驱动能力是指什么,驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系?
  F, }5 }9 L7 k) x9 C     还请各位指教,Thank You.
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发表于 2008-9-1 22:05 | 只看该作者
对于时钟,可能驱动能力更多的是指fanout的能力,个人理解。
+ X; A! t6 Z# k9 W+ }当然跟走线长度有关系,路走远了,人也会累的

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Allen + 10 非常正确!

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发表于 2008-9-2 11:30 | 只看该作者
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强,是指电流越大,带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。

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发表于 2008-9-3 00:01 | 只看该作者
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载引脚的寄生电容效应越大,从而导致上升时间和下降时间延长,这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解,欢迎讨论。

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发表于 2008-9-3 19:33 | 只看该作者
这是不是芯片发热大的一个缘故之一) u! [5 A) n+ @0 O* S' H  h8 s
现在的芯片都是百万门
) ?- ^, i( n5 N每个触发器都挂上全局时钟,时钟够累的
  W6 W, j' [1 |2 w那这驱动能力的提高在那方面体现

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发表于 2008-9-4 13:26 | 只看该作者
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.
- l" i+ a' F3 H比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.
8 ]9 l% b( x& [8 i* u
& ]" E0 G- y8 q9 @( y. }% s2 W如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,$ N3 z  z9 w' k4 R

: j* H* u3 N- c& Z' v% d3 M+ C: U" u但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡
# x0 f( U! h& M8 e) f
: i$ N+ B7 m( J2 L9 r) M. p7 L- w[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]

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 楼主| 发表于 2008-9-9 23:13 | 只看该作者
时钟的datasheet里有1X,2X的调节。
# ]. d; _" w9 Q1X的走线长度有没有最大限制?

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发表于 2008-9-12 12:12 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
" }* `, G" ?$ s4 {9 M( ^killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...

+ k8 X& H+ W: K) b严重同意  呵呵

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发表于 2008-9-12 21:29 | 只看该作者
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否

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发表于 2008-9-18 22:09 | 只看该作者
理解成扇出电流能力比较确切

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发表于 2008-9-19 14:55 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
! f( Y9 d; G, P7 {* ~: Bkillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...
) }0 J- l5 t# d2 u
! @3 w) P# f0 m$ N* s6 G
4 t- }" }1 z' `( k
那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?
. j# L' x# r  D" l* _' l  G当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?: G$ W3 J  H8 E

% @) k5 J5 r+ g9 S: t" d: u[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]

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发表于 2008-9-19 23:06 | 只看该作者
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表 ) n+ Q& `& r2 q* ]. @7 I0 V1 M3 U
' {, J1 {# J  o* V# [' \7 y

: g  y% g( M0 y7 n& L0 D
) g' y. y8 }) b7 X5 ^那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?  ^8 ]4 H; Q9 }8 |- p( g1 Y
当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?

) X. Q3 o, b  R
3 O4 D, S6 q: O! ~; a不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。
# D. O6 _$ [. K  ~/ {% t$ @5 N
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没有关系。1 f- E' q% a9 |! F) w
我们可以说“芯片驱动的负载越多,寄生电容越大,实际的上升时间就越长”,但是这个芯片无论驱动了多少负载,它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子,即便他今天只吃了五个包子,我们仍然说他的最大饭量是十个包子。

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发表于 2008-9-21 23:01 | 只看该作者
主要是指带负载的能力!

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发表于 2008-9-23 15:19 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表
5 e9 h5 [1 [: N5 t$ M2 U; \. b
* e3 M1 w' K. ~, z! b
' J6 g% \  {# B- F不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。' z4 p- Y  D+ V. _0 d; l1 z5 s
6 b: v& \3 d; v" w' N
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没 ...

3 \4 b" d% b" R) M2 r
! O6 N& q( ^* }" a- \: \. |# }) ~. s& R0 B; y. ?, D; v
我是做主板的,根据我的经验:/ k3 a5 D' M: S. ]% t3 m
首先,据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的,而不是固定不变的。2 ?1 M1 ]6 W' ]7 B" H2 `
/ Z! g: c6 B, g+ M2 ?
其次,板子做出来一般很难做到一版ok,多多少少会有些这样或那样的问题,例如rise time与spec不符,那么你要怎么办?当然是debug了,你总不能置之不理吧?当然,咱也不能否认有这样的强人存在,不过非常少……9 G) U8 ], \7 p9 ?' c, \- T+ {: U. }

" M$ |% z6 }- _0 `& q7 i2 z第三,板子做出来要经过很多严格的测试,EMI、 compatibility 等等,如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符,那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么?——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活,最便宜的设计!
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