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7月份培训,杜老师重点讲了DDR3的布线规则和注意事项,非常详细,收获颇丰。
! E8 [! t4 P. w2 z2 A; X* w现将自己的一些笔记跟大家共享。
' [, U) O9 E `5 H. V; {( G: Ldm8168
3 B* M3 ~9 i. A7 }) _- a叠层不对称,走线全部走内层,出于EMC的考虑,表层、底层不走重要信号线5 ]( O/ S, h8 h3 H) K3 r, c
ODT技术,数据线匹配终结技术 R; U6 m$ W# Z2 i% Z7 T4 n
DDR等长:数据线以DQS为基准等长,地址线、控制线、时钟线以时钟线为基准等长
$ @/ l9 M! ]7 M- C4 ]数据线最大长度尽量不超过2500mil,数据线速率最高
# l: S, g# @0 I( g9 v所有信号不能跨分割,阻抗控制尽量以地平面为准,如果以电源平面参考,要以信号对应的电源层为参考+ t4 X% E4 r. X9 O7 {
; c3 w9 k. f7 A9 v6 H
电源PCB设计:$ |6 _9 h; X0 ]1 f5 W$ e
载流要求
5 d t6 ?* S; n7 w( `电源通道1 h# G4 ]8 X0 {* `0 Y* i {
滤波,降低电源纹波噪声7 q% e# G2 o/ \# }1 @; o' S& e
影响载流能力的几个关键因素
; l# w- ]" D7 T; U/ o2 M# d线宽、铜厚、温升、层面3 h; k! Q3 L/ R- h$ _/ {
`8 r3 |" v5 K$ _8 i& E0 p s; i开关电源:效率高、电流大;纹波大,体积大
0 S" f5 H7 Y* @$ B( C0 f是一个强烈的EMI辐射源,应远离时钟、接口等敏感器件。尽量靠近电流大的器件
! i" W% k! D) D( t" z电压电流采样布线时走伪差分
6 Y1 T0 p6 S: F+ r' _5 T) B开关管与其他信号的间距30mil以上。
& a# V) X! F5 @0 T
# F7 y+ [' ~* q3 _金属壳不要与板子的地直接相接' @! t9 r8 K) H8 }
2 c$ d6 X/ V6 w
同一器件同层布线7 Y8 A: k* T' k1 j0 x) F$ u# c
5 S5 k* x! x4 J# m4 G& T. b) v2 ?
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